纳米ZnS∶Mn~(2+)薄膜荧光增强动力学研究

利用有机溶胶方法制备了纳米ZnS∶Mn2 + 颗粒并将其分散在PVB薄膜中 ,观察到紫外辐照荧光增强的现象且增长倍数高于以前的报道。利用激发和发射光谱等手段对荧光增强的动力学过程进行了研究。认为纳米ZnS中元激发向Mn2 + 离子和表面态的能量传递是两个互相竞争的过程 ,紫外光辐照使表面态数目减少从而使Mn2 + 的发光增强 ,辐照后ZnS基质的 1P能级对Mn的激发更为有效。该样品在太阳光辐照下有相同的增强效应 ,可用来作为紫外光辐照剂量的探测材料     

共掺杂对Y_2O_3:Eu~(3+)纳米晶结构和发光性质的影响

采用燃烧法制备不同离子(M:Li+,Na+,K+,Mg2+,Sr2+,Ba2+,B3+,Al3+)共掺杂的纳米Y2O3∶Eu3+粉末。系统地研究了各掺杂离子对纳米Y2O3∶Eu3+材料的结构、发光性质及其寿命的影响。比较发现,掺杂不仅可以调节纳米材料的尺寸,还可以影响材料的结晶性,尤其是后者对发光性质和荧光动力学过程,如荧光强度、电荷迁移带的位置和5D0的寿命等有重要的影响。     

LaPO_4∶Ce~(3+)/Tb~(3+)纳米线的合成和发光特性

通过水热法合成出Ce3+和Tb3+共激活的LaPO4纳米线,并同相应的微米棒进行了比较。研究了其荧光光谱和动力学过程。结果表明纳米线和微米棒的晶体结构均为单斜相。在单掺杂Ce3+和Tb3+的材料中,微米棒的发光强度与纳米线相比稍有提高,但在共掺杂的纳米线样品中对应Ce3+的激发,Tb3+的5D4→7F5绿光发射比微米棒提高了3～5倍。通过动力学研究,纳米线中Ce3+和Tb3+的电子跃迁速率与微米棒对比没有显著的提高,且Ce3+→Tb3+的能量传递速率降低了3倍。Tb3+的5D3能级衰减包括两个过程:快过程和慢过程。纳米线以慢过程为主,而微米棒以快过程为主。我们认为慢过程对应5D3→5D4的弛豫,快过程对应5D3向其他缺陷能级的跃迁。因此共掺杂纳米线中强度的提高被归因于在纳米线中更多的边界阻碍而引起在高于5D4的激发态能级上损失的能量更少。     

Eu3+掺杂LiNbO3晶体的变温发射光谱特征

在488nFn波长光的激发下，研究了用坩埚下降法生长的掺杂Eu^3 离子的下部与上部LiNbO3晶体从77到600K的变温发射光谱特征。实验结果表明，对于生长后期的上部晶体，随着温度的升高，其发光强度总体增强；然而对于生长初期的下部晶体，随着温度的升高，其发光强度首先增强，到540K时达最大值，然后随着温度的升高，其发光强度反而下降。用热激活效应、声子辅助吸收效应与热猝灭效应解释了晶体上部与下部的发光特征。     

Y2O3:Eu3+纳米晶与体材料在高分辨光谱上的显著区别

报道了Y2O3：Eu^3 纳米晶与体材料在光谱上的显著区别。除了相同于Y2O3：Eu^3 体材料在580．6nm处的激发峰外,Y2O3：Eu^3 纳米晶在579．9nm处出现了一新的较宽激发线。并且,该激发线的寿命要稍短于580．6nm的激发线。579．9nm激发线被归因于靠近纳米晶表面的Eu^3 的发光。纳米晶中存在大量的表面缺陷。表面的晶体场因而发生退化,从而使得4f组态的电子能级发生移动。     

含Eu3+离子的有机改良硅酸盐材料的合成及光谱性质研究

用溶胶－凝胶低温合成非晶态技术，以正硅酸乙脂与γ－缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷为先驱体，把Eu^3 离子掺入到上述体系的溶胶与凝胶中，对获得材料的基本物化性能作了研究，同时对获得材料的荧光特性作了详细的研究，研究结果表明掺杂在有机改良硅酸盐凝胶介质中，Eu^3 离子具有较强的发光效应与较宽的发光带，而掺杂在SiO2无机凝胶中的Eu^3 离子表现出很弱的发光强度，讨论了材料的成份，结构与荧光增强效应及增宽效应的内在联系，低温合成的上述复合材料表现出较强的机械强度。     

冷原子干涉仪囚禁原子数主动稳定技术

冷原子干涉仪中,囚禁原子数的抖动会转化为等效的干涉信号相位抖动,直接影响原子干涉测量结果.针对此问题,提出了一种冷原子干涉仪囚禁原子数主动稳定技术,通过测量干涉末态的原子数信息,反馈控制3D-MOT装载时间,实现对囚禁原子数的主动稳定.通过应用该技术,在装载时间大约为40 ms的条件下,3D-MOT囚禁原子数的短期抖动...     

钙钛矿发光-光电器件中的光谱调控

尽管钙钛矿材料在发光与光电器件等领域的研究发展迅速,但依然面临着如何突破极限效率、提高稳定性以及拓展新的应用空间等关键问题.近年来,本文作者围绕如何拓展钙钛矿材料与器件的光谱响应范围这一主题,在稀土掺杂、有机异质结杂化等方面进行了独特的探索,并取得了一些标识性的成果.作者近期接受了Light人物专访,本文是在此基础上整...     

高温MEMS剪应力传感器残余应力分析

采用理论分析与数值模拟相结合的方法,研究了残余应力对静电反馈式MEMS高温剪应力传感器的结构设计的影响.研究表明:在电极宽度和间距不变的情况下,增加电极数和减小电极长度可有效地减小由静电力引起的应力和变形;残余应力对结构应力和变形的影响远大于静电力.