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11.
采用密度泛函理论B3LYP 方法研究了CF2 自由基与HNCS 的反应机理, 并在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体、过渡态进行了全几何参数优化. 为了得到更精确的能量值,又用CCSD(T)/6-311++G**方法计算了在B3LYP/6-311++G**水平优化后的各个驻点的相对能量. 根据统计热力学及用Winger校正的Eyring过渡态理论,利用自编程序,计算不同温度下低势垒反应的平衡常数和速率常数.计算结果表明单重态的CF2 自由基与HNCS 的反应有6条反应通道,三重态的CF2 自由基与HNCS 的反应有1条反应通道.其中单重态反应通道CF2+HNCS→IM1→TS1→IM2 HCF2NCS(P1)为主反应通道.  相似文献   
12.
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了CCl2自由基与HNCO的反应机理,并在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物,中间体,过渡态进行了全几何参数优化,通过频率分析和IRC确定中间体和过渡态。为了得到更精确的能量值,用QCISD(T)/6-311++G**方法计算了各个驻点的单点能,计算结果表明单重态的二氯卡宾与异氰酸的反应有抽提氧、插入N-H键、抽提亚氨基的路径。而插入通道HNCO + CCl2→IM3 →TS2→P2(C2Cl2ONH) 反应能垒最低, 为主反应通道。  相似文献   
13.
分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2·Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2·Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PMMA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。  相似文献   
14.
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了CF2自由基与HNCS的反应机理,并在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体、过渡态进行了全几何参数优化,通过频率分析和IRC确定中间体和过渡态的真实性.为了得到更精确的能量值,又用CCSD(T)/6-311++G**方法计算了在B3LYP/6-311++G**水平优化后的各个驻点的相对能量.根据统计热力学及用Winger校正的Eyring过渡态理论,利用自编程序,计算不同温度下低势垒反应的平衡常数和速率常数.计算结果表明,单重态的CF2自由基与HNCS的反应有6条可能的反应通道,三重态的CF2自由基与HNCS的反应有1条反应通道.其中单重态反应通道CF2+HNCS→IM1→TS1→IM2 HCF2NCS(P1)为主反应通道.  相似文献   
15.
The application of TiO2-based devices is mainly dependent on their crystalline structure,morphology,size,and exposed facets.Two kinds of TiO2 with different structures,namely TiO2 pompons and TiO2 nanotubes,have been prepared by the hydrothermal method.TiO2 with different structures is characterized by scanning electron microscopy(SEM),X-ray diffraction(XRD),and Brunauer-Emmett-Teller(BET) surface area analysis.Solar cells based on poly(3-hexylthiophene)(P3HT) and TiO2 with different structures are fabricated.In the device ITO/TiO2/P3HT/Au,the P3HT is designed to act as the electron donor,and TiO2 pompons and TiO2 nanotubes act as the electron acceptor.The effects of the TiO2 structure on the performance of hybrid heterojunction solar cells are investigated.The device with TiO2 pompons has an open circuit voltage(Voc) of 0.51 V,a short circuit current(Jsc) of 0.21 mA/cm2,and a fill factor(FF) of 28.3%.Another device with TiO2 nanotubes has a V oc of 0.5 V,J sc of 0.27mA/cm2,and FF of 28.4%.The results indicate that the TiO2 nanotubes with a unidimensional structure have better carrier transport and light absorption properties than TiO 2 pompons.Consequently,the solar cell based on TiO2 nanotubes has a better performance.  相似文献   
16.
利用ZnO纳米棒阵列场发射电极,以SiO2做为电子加速层制备了固态阴极射线器件,发光层为聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV),在交流驱动下得到了MEH-PPV的固态阴极射线发光,探测到了长波峰和短波峰的发射,并和无电子加速层的器件做了比较,证明混合激发模式下的器件在长波长的发光亮度更大. 关键词: 固态阴极射线 ZnO纳米棒阵列 电子加速 电致发光  相似文献   
17.
以天然木棉为模板,利用造孔及纳米颗粒自组装两步法合成了分级多孔的Cafe2O4/C复合催化剂. Cafe2O4/C复合催化剂保留了木棉模板的中空纤维形貌,且该中空纤维是由碳及均匀分布在碳表面的Cafe2O4纳米颗粒组成. 该复合催化剂具有较强的甲基紫微波催化降解活性. 研究了Cafe2O4负载量、微波功率、催化剂用量、甲基紫的初始浓度和pH值对微波诱导甲基紫降解的影响. 结果表明,Cafe2O4/C微波降解甲基紫的催化反应具有较高的反应速率和较短的反应时间. 其降解反应符合一级动力学模型. Cafe2O4/C 高的催化活性得益于催化反应和吸附特性之间的协同作用.  相似文献   
18.
刘瑞  徐征  赵谡玲  张福俊  曹晓宁  孔超  曹文喆  龚伟 《物理学报》2011,60(5):58801-058801
制备了结构为ITO/Pentacene/C60/Al的双层光伏电池器件,在C60/Al界面插入了常用的缓冲层材料bathocuproine(BCP)作为阴极缓冲层,通过优化BCP层的厚度来提高电池的性能并研究了阴极缓冲层的作用机理.实验发现,BCP厚度为10 nm时器件的效率最高,为0.46%.在此基础上,利用bathophenanthroline(Bphen)和3,4,9,10-Perylenetetracarb-oxylicdianhydride(PTCDA 关键词: 有机太阳能电池 Pentacene 60')" href="#">C60 缓冲层  相似文献   
19.
针对超声相控阵井壁成像仪工作环境恶劣以及超声脉冲发射所需高压电源纹波噪声对超声回波信号干扰大的问题,提出一种高温环境下高压电源纹波噪声抑制方法并进行设计分析。本方法综合开关电源与线性稳压电源各自的技术优势且注重纹波噪声抑制和耐高温设计。利用开关电源完成不同电压幅值的高效转换并在电源输出端增设专门的EMI滤波电路,再利用屏蔽罩对电源进行屏蔽,最后输出电压再经过一级线性稳压电路进一步进行稳压滤波。实测结果表明,利用该方法,电源的纹波与辐射噪声得到了抑制,有效减少电源对回波信号的干扰,且输出电压稳定,提高了超声相控阵井壁成像仪井下工作的稳定性。  相似文献   
20.
孔超  徐征  赵谡玲  张福俊  黄金英  闫光  厉军明 《物理学报》2008,57(12):7891-7895
用Si3N4作为电子加速层制备了固态阴极射线发光器件,其中发光层为聚[2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV).在交流电压的驱动下,实现了MEH-PPV的固态阴极射线发光.与SiO2做电子加速层的器件进行了对比研究,两种器件在交流电场的驱动下都得到了波峰位于417nm的短波长发光峰,它来自有机物中电子从最低未占分子轨道到最高占据分子轨道的直接复合发光,这进一步证明了固态阴极射线理论的正确性.在交流高场下比 关键词: 固态阴极射线发光 3N4')" href="#">Si3N4 电子加速层 电致发光  相似文献   
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