266nm激光下三乙胺分子多光子电离质谱研究

利用YAG激光器输出的四倍频激光对三乙胺分子的共振增强双光子电离过程进行了研究，获得了三乙胺分子的飞行时间质谱，母体离子及碎片离子信号达29种之多．对碎片离子86+离子 异常漂移做了分析，发现了异常漂移是由于离子信号强度过强时， 86+离子之前的25种离子对其27次瞬间减速效应强于之后的3种离子对其3次瞬间加速效应造成的．     

5083铝合金光纤激光-TIG复合焊接工艺研究

采用IPG YLS-6000光纤激光器和Fronius MagicWave3000job数字化焊机,对4mm厚5083H116铝合金进行了复合焊接试验。研究了电源特性、电流大小和热源间距等工艺参数对光纤激光-钨极惰性气体保护焊(TIG)复合焊接焊缝成形的影响规律,并分析了焊接接头的缺陷、显微硬度及力学性能。结果表明,光纤激光-TIG复合焊接5083铝合金,能够明显改善焊缝成形,提高焊接过程稳定性,特别是与变极性TIG电弧复合效果更为显著;光纤激光与变极性TIG电弧复合焊接,采用激光在前的方式,电弧电流150A,且热源间距不大于4mm,可以得到具有明亮金属光泽和均匀鱼鳞纹的焊缝,焊缝无气孔和裂纹缺陷,其表面有少量的下凹;复合焊接接头抗拉强度为318MPa,达到母材强度的93%,延伸率为7.6%,高于单光纤激光焊接,断口分析为韧性断裂。     

高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制

采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_ph/σ_d)达到10⁶量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm²的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出:高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。在诸多因素中,大量原子态氢的退火处理和微量的硼补偿起到了重要作用。     

Microstructure of a-SiOx:H

A set of a-SiOx :H (0.52 ＜x＜1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250℃. The microstructure andlocal bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering,X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It isfound that the films are structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:H, SiO:H, Si2O3:Hand SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si)clusters that are spatially isolated. The average size of the clusters decreases with the increasingoxygen concentration x in the films. The results indicate that the structure of the present films canbe described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded in turn by thesubshells of Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H, and SiO2.     

~(160)Tb同位素示踪研究稀土元素铽在雏鸡体内的分布和转运

160Tb－EDTA注入美国海兰鸡种蛋，孵出雏鸡，解剖取21种组织、器官．用γ能谱测定160Tb．证明160Tb-EDTA能透过种蛋胎膜进入雏鸡各组织和器官中。     

非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p_a_SiC:H/i_a_Si:H/n_a_Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.     

等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底，硅烷 （SiH4）作硅源，硼烷（B2H6）作掺杂气体， Au作催化剂，生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制，探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活，更容易实现纳米线掺杂，进一步有望生长硅纳米线pn结，为研制纳米量级器件提供技术基础. 关键词： 硅纳米线 化学气相沉积 纳米器件     

电子加速器屏蔽室空间散射的蒙特卡罗计算

为解决电子直线加速器屏蔽室的空间散射计算相关问题,采用蒙特卡罗程序MCNP4B进行模拟,使用分步计算的方法,结合分裂和轮盘赌技巧,计算出9MeV驻波直线加速器运行时的空间散射剂量率大小.并实际测量了加速器运行时屏蔽室周围距地面上方1m处的空间散射剂量分布.将计算得到的结果、计算空间散射的经验公式结果和实际测量的结果三者进行了比较分析.结果表明:蒙特卡罗方法计算值比较符合实际测量值,经验公式计算值则存在一定的偏差.     

与抛物线内一点相关的一组优美性质

圆锥曲线有许多神奇美妙的性质,本文介绍与抛物线内一点相关的一组优美性质,与读者共赏.性质1设M(t,0)为抛物线y2=2px(p>0)内的任意一点,过点M作抛物线的两条弦AC和BD,点A、D在x轴的同侧,若直线AD和BC相     

种子数密度控制的Au@SiO2纳米粒子的合成

在异丙醇介质中用Frens金溶胶作种子介导合成二氧化硅包覆金(Au@SiO2)纳米粒子.研究结果表明,单核Au@SiO2纳米粒子的产率取决于催化剂用量、硅源加入速率及种子数密度.通过种子数密度控制,合成了高度单分散的粒径为200,320和450 nm的Au@SiO2纳米粒子,以期用作功能材料的理想构筑单元.