SiO_x∶H(0

采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．     

532nm激光作用下甲基异丙基酮的电离解离研究

在532 nm激光波长下,利用时间飞行质谱（TOF-MS）对甲基异丙基酮的多光子电离解离机制进行了研究。实验结果显示,母体分子首先发生 断裂并且吸收（2+2）个光子到达离子态。主要的质谱峰 , , 等在质谱图中清晰可见。结合Guassian03,运用HF/ 3-21G 、CIS/ 3-21G对基态和激发态的构型进行了优化和频率计算,发现激发态的碳氧键变为介于碳氧单键和双键之间特殊键,并用QST2方法找到了其中的过渡态,对三个状态的几何结构参数进行了分析得出了其解离过程是 键断裂和基团构象转化协同进行的结论。     

“111”铁基超导体系的发现及压力效应研究

2008年发现的铁基超导体引发了全球超导研究的热潮。在本研究小组发现的铁基“111”体系的基础上,重点介绍“111”体系铁基超导体的压力效应,包括:“111”体系的3个组元LiFeAs、LiFeP、NaFeAs的超导转变随压力的演化;运用压力调控,获得“111”体系的最高超导转变温度;结合同步辐射技术,发现压力调控的“111”型铁基超导体的等结构演化以及对超导起关键作用的As-Fe-As键长和键角与超导转变温度的关联。     

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶-纳米晶两相结构硅薄膜.薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高；光敏性也较好，光、暗电导比可以达到１０⁴，此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应.更为重要 的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜，在光强为５０ｍW／ｃｍ²的卤钨灯光 照２４h后，光电导的衰退小于１０％.这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在 光学跃迁中的动量选择定则发生松弛，因而具有大的光学吸收系数和 关键词： 非晶硅 微结构 光致变化     

一种变形标准加入法及其在等离子体发射光谱分析中的应用

在小体积(< 50 μL)液体取样时,容易产生较大的取样误差,为了降低分析结果的不确定度,常常用质量定量法代替体积定量法。传统标准加入法以样品体积定量,不能用于以样品质量定量的场合。为此,我们提出了一种变形标准加入法,以便用于以样品质量定量的场合。以ICP-OES法测定复杂溶液体系中低含量及微量元素Hg,Mo和Rh为例,对变形标准加入法进行了介绍。标准加入法的目的是为了校正溶液基体效应,而溶液基体效应包括两种不同类型的干扰：“恒定干扰”和“比例干扰”。变形标准加入法只能校正溶液基体效应中的“比例干扰”,“比例干扰”的大小可以用一个定量指标k表示：当k=1时,表示不存在“比例干扰”的影响;k偏离1越远,则“比例干扰”的影响越大。至于“恒定干扰”的影响,则可以利用仪器自身的背景校正方法予以降低或消除。变形标准加入法测定结果不确定度主要来自于背景校正,与所选分析线的信背比密切相关。信背比越低,背景校正的不确定度越高,因此实际分析中应尽可能选择具有较高信背比的分析线,否则,即使事先经过了背景校正,最终的分析结果也可能包含很大的误差。     

铝-石墨复合自润滑轴承的研制

本文介绍了铝—石墨复合自润滑轴承的制备工艺和各种性能。作者是以铜包或镍包石墨的形式,藉旋涡搅拌将石墨加入熔融的液态铝中,并采用挤压铸造法(液态模锻)制备铝—石墨复合自润滑轴承的。由测试结果表明,该轴承材质致密,石墨分布均匀,无疏松、缩孔等铸造缺陷;其机械性能符合设计指标,耐磨性能优于锡青铜和巴氏合金材料;在无油润滑条件下,它的摩擦系数小于锡青铜和巴氏合金的,而高于后两种材料在油润滑条件下的摩擦系数。并指出,石墨加入铝液后有一定量的损耗。粒度愈小,损耗量愈大。     

素數

在人類社会發展的最早階段就已遇到运用計算和使用整數的必要性,整數是指無窮序列 1,2,3,4,5,…… (1)中的項,(1)就是常說的自然數列。 誠然,只是由於很長的过程,才能意識到序列 (1) 中含有任意大的数;例如人類最初只会数到二、三、四,而所有較大的數則被包含在“多”这一概念之中。在我們的語言中有“二重數”(把單數和多數同時放在一起)就是这一事实的反映;我們說:“一个(?)”,“兩个     

非晶态半导体的现状与展望

本文将使搬地介绍了非晶态半导体的发展悄况，阐述了当前非晶态半导体的前沿课题以及器件应用情况，井预期非晶态半导体将有较大的发展．     

XeCl激光诱导的CS_2多光子电离质谱

本文报道了CS_2在XeCl准分子激光(波长为308nm)诱导下的多光子电离质谱实验.我们测量了各种离子(S~ 、CS~ S_2~ 和CS_2~ )强度相对激光强度和样品气量的变化规律,根据这些结果和一些相应的计算确立了CS_2多光子电离的动力学模型和每一种离子的具体生成过程.     

离子迁移谱在环境污染物检测中的应用

目前对环境污染物的检测手段有多种,但都存在一定的局限性,作者介绍了一种环境污染气体检测的新方法—离子迁移谱(IMS)法.结合本实验室的研究工作简述了设计制作IMS的基本结构,介绍了IMS的基本原理,阐述了近期国际上IMS在环境污染物(如苯系物、卤代烯烃、全氟化碳、醇类及多环芳香烃等)检测中的研究进展,最后通过对研究结果进行分析,得出IMS在环境污染物检测这一领域中正逐步吸引越来越多的科学家的兴趣,是一种非常有效的环境检测方法,具有重要的应用价值和发展前景.