多孔泡沫牺牲层的动态压溃及缓冲吸能机理研究

本文对强动载荷下多孔泡沫牺牲层的动态压溃行为及缓冲吸能机理进行了研究. 基于刚性-理想塑性-锁定(R-PP-L)及刚性-塑性硬化(R-PH)两类多孔泡沫材料本构, 建立了强动载荷下多孔泡沫牺牲层动态响应的理论分析模型, 分析了一维冲击波在多孔泡沫牺牲层中的传播规律; 利用Voronoi方法建立了多孔泡沫牺牲层的二维细观有限元模型, 获得了冲击载荷下多孔泡沫牺牲层的变形模式和动态响应曲线, 讨论了多孔泡沫材料的层间界面效应对多孔泡沫牺牲层缓冲吸能的影响. 研究结果表明, 考虑多孔泡沫材料塑性硬化影响的理论分析模型能够预测入射波在远端的反射及对多孔泡沫牺牲层的二次压缩过程和端部应力增强现象; 相比较存在界面的多孔泡沫牺牲层, 连续设计的多孔泡沫牺牲层可增强其缓冲吸能能力, 但在界面处增加设计刚性面板则能够降低界面胞元不完整对缓冲吸能的影响; 相同冲量载荷下, 端部应力峰值随冲击能量增大而增大, 而端部冲击波的反射可能是端部应力增强的主要诱因.      

映射与函数

1　本单元重、难点分析本单元学习的重点是映射与一一映射的概念 ,函数的定义 ,函数解析式、定义域、值域及图象 ,函数单调性与奇偶性的定义、判定与应用 ,奇、偶函数图象的对称性 ,反函数概念与求法 ,函数与其反函数的定义域、值域、图象之间的关系 ;难点是映射与反函数的概念 ,求函数的值域及分段函数、复合函数、抽象函数问题 .在学习本单元内容时 ,要重点掌握的数学思想与方法有函数思想、转化思想、数形结合、分类讨论、配方法、换元法及待定系数法 .函数知识与函数思想是高中数学的重点与精髓 ;掌握函数的图象与性质及用函数观点分析…     

窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡

通过对调制掺杂的n型Hg_0.82Cd_0.16Mn_0.02Te/Hg_0.3Cd_0.7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究，发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中，可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来. 关键词： 磁性二维电子气 自旋分裂 sp-d交换相互作用 拍频     

掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法，使用广义梯度近似处理交换相关势能，首先计算了β-FeSi₂的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度，β-FeSi₂的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定；其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi₂中的置换位置，在β-FeSi₂中，Co置换Fe_Ⅱ位置的Fe原子，Al置换Si_Ⅰ位置的Si原子，这种择位置换与现有的计算结果完全一致；最后计算了Fe_1-xCo_xSi₂和Fe(Si_1-xAl_x)₂的电子结构，对它们的电子结构特征进行了分析，并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响. 关键词： 第一性原理 电子结构 热电性能 2')" href="#">FeSi₂     

Ⅰa型金刚石中水的显微红外光谱研究

天然Ⅰa型金刚石在垂直于（100），（110）和（111）三个方面上定向显微红外光谱的定量比较分析表明：水、片晶和C－C键在以上三个方向上所测得的浓度是不相同的。不同方向上水和片晶浓度的变化趋势基本相同，表明样品中水与处晶具有密切伴生的特征。     

非静电力在不同电源中来源的探究

非静电力在不同的电源内物理本质是不同的, 然而在任何一种电源内究其宏观效应都有电荷的运动和 聚集的驱使现象发生,此“ 驱使”从效果上看相当于一种力的作用, 能量转换相当做功的结果     

还原温度对氧化铝负载的磷化钨催化剂咔唑加氢脱氮活性影响(英）

采用共浸渍和程序升温还原的方法,在不同的温度下氢气还原4h合成了负载量为30%（以WO3计）的WP/γ-Al2O3催化剂。对合成的催化剂进行了XRD、BET、TG和31P MAS NMR表征。在3.0MPa和633K的反应条件下,对催化剂的咔唑加氢脱氮（HDN）活性进行了评价。结果表明,当还原温度超过1023K时活性组分WP在载体表面发生聚集。当催化剂还原温度为923K时,在化学位移为2.4×10-5只能检测到与磷酸盐对应的特征峰;当催化剂还原温度为1023K和低旋转频率时,在化学位移为2.55×10-4处检测到与活性组分WP对应的特征衍射峰,当高旋转频率时,在化学位移为处6.88×10-4处检测到一个特征峰,该特征峰可能与载体和活性组分之间存在的强相互作用而产生的类似—Al—O—W—P结构的物种有关,这对应与XRD谱图中在40.44°存在的衍射峰。TG结果表明,随还原温度的提高,催化剂前体的磷化程度增加。923K合成的催化剂具有相对最高的咔唑HDN活性,其咔唑HDN转化率达到79%。催化剂咔唑HDN途径有三条：比较低的直接氢解脱氮选择性和比较高的加氢脱氮选择性（一个苯环先饱和然后脱氮,两个苯环饱和然后再脱氮）,其中第三条途径,即两个苯环饱和再脱氮为主要途径。