On the Involutive Solutions of Solition Hierarchy

ＯｎｔｈｅＩｎｖｏｌｕｔｉｖｅＳｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆＳｏｌｉｔｉｏｎＨｉｅｒａｒｃｈｙ乔志军ＯｎｔｈｅＩｎｖｏｌｕｔｉｖｅＳｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆＳｏｌｉｔｉｏｎＨｉｅｒａｒｃｈｙ￥ＱｉａｏＺｈｉｊｕｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＭａｔｈ，ＬｉａｏｎｉｇｎＵｎｉｖ...     

HL-1装置的X射线测量

本文叙述了HL-1装置的X射线测量。结果表明,电子温度随着等离子体电流通道的缩小而升高,其典型值为480eV。稳定放电的软X射线扰动幅度大约是总强度的15％,锯齿振荡周期约为2ms。与磁探针信号比较,明显看到了内、外模之间的耦合关系。多次放电清洗了真空空器壁,含水量下降;硬X射线测量表明,逃逸产生率减小。     

1.315μm附近CO2的高分辨率吸收光谱

 利用可调谐激光长程吸收光谱测量系统，记录到1.315μm附近高气压（80kPa和40kPa）CO₂的高分辨率吸收光谱，拟合分析获得谱线参数，结果与HITRAN 2k的数据基本一致。用程差法测量了绝对吸收，氧碘激光频率(7 603.138 5cm^-1)的总吸收截面为(0.23~0.29)×^-24cm²。仅计算谱线吸收的吸收截面为0.18×10^-24cm²。在1.315μm波段COCO₂存在连续吸收，吸收截面为(0.05~0.11)×10^-24cm²。还讨论了测量误差问题。     

一个几何命题及其应用

命题过定角内一定点的直线与角两边围成的诸三角形中,当定点是该边中点时,此三角形面积最小。证明如下左图,M为定角∠O内一定点;直线AB过点M与∠O两边分别交于A、B,且AM=MB;任一直线A′B′过点M与角两边分别交于A′、B′。过B作BC//OA(若B在OB′延长线上,则A     

基于贝叶斯网的网络故障监测方法

提出了一种基于贝叶斯网络的智能故障监测方法．通过有限混合模型对单个MIB变量的行为进行建模，将基于模型参数产生的残差用以描述MIB变量的状态；把观测得到的各MIB变量的信息经由贝叶斯网络加以融合，从而计算出网络出现故障的概率，包括未知的和不可预见的故障．实验中，在故障发生前约5mm网络异常的后验概率超过0．5，表明该方法能够在故障发生以前发现网络异常行为．     

基态锰化氢分子及离子的势能函数及其稳定性

利用原子分子反应静力学原理推导出了MnHn(n=0, 1, 2)的基态电子状态及其离解极限.对H原子采用6-311 G**基组,对Mn原子采用SVP全电子基组,用B3LYP方法计算了它们的平衡几何,电子状态,在此基础上分别计算了MnH,MnH 1的Murrell-Sorbie解析势能函数和MnH 2的解析势能函数及其对应的力常数,光谱参数,理论计算值与文献值较好地吻合.计算表明MnH 的势能曲线具有对应于稳定平衡结构的极小点,说明MnH 可稳定存在.而由于MnH2 离子的离解能较小,其稳定性较差.     

Theoretical Analysis of Current Crowding Effect in Metal/AIGaN/GaN Schottky Diodes and Its Reduction by Using Polysilicon in Anode

There exists a current crowding effect in the anode of AIGaN/GaN heterojunction Schottky diodes, causing local overheating when working at high power density, and undermining their performance. The seriousness of this effect is illustrated by theoretical analysis. A method of reducing this effect is proposed by depositing a polysilicon layer on the Schottky barrier metal. The effectiveness of this method is provided through computer simulation. Power consumption of the polysilicon layer is also calculated and compared to that of the Schottky junction to ensure the applicability of this method.     

Effect of Ⅲ/Ⅴ Ratio of HT-AIN Buffer Layer on Polarity Selection and Electrical Quality of GaN Films Grown by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy

We investigate the effect of A/N ratio of the high temperature （HT） AIN buffer layer on polarity selection and electrical quality of GaN films grown by radio frequency molecular beam epitaxy. The results show that low Al/N ratio results in N-polarity GaN films and intermediate Al/N ratio leads to mixed-polarity GaN films with poor electrical quality. GaN films tend to grow with Ga polarity on Al-rich AIN buffer layers. GaN films with different polarities are confirmed by in-situ reflection high-energy electron diffraction during the growth process. Wet chemical etching, together with atomic force microscopy, also proves the polarity assignments. The optimum value for room-temperature Hall mobility of the Ga-polarity GaN film is 703cm^2/V.s, which is superior to the N-polarity and mixed-polarity GaN films.     

油水饱和球管孔隙模型弛豫的理论计算与计算机模拟

根据Brownstein-Tarr理论，采用特征函数展开法，通过求解基于扩散效应的Bloch控制方程，给出了油水饱和球管孔隙模型弛豫的理论计算公式.理论计算结果表明，在水润湿条件下，油的弛豫过程只与含油饱和度有关，而与岩石的孔隙结构无关.根据理论计算结果对球管模型中水的弛豫进行了数值模拟，模拟结果显示，球和管的主弛豫过程是一个单指数函数，其余部分与之相比可以忽略，即球管模型中水的弛豫可近似为一个双指数衰减过程.     

SO2在吸收池内的稳定性研究

在室温条条件下,以Xe灯为光源,利用SO2的紫外吸收光谱,研究了SO2的浓度随时间连续变化规律。实验中考虑了温度和充垫气体N2对SO2的浓度变化的影响。实验结果表明：SO2的浓度基本上是随时间线性变化的;同时,SO2的浓度变化率与光照时间有关。