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811.
以柠檬酸为碳源,尿素为氮源,采用微波一步法制备得到稳定性高,水溶性好的蓝色荧光的氮掺杂碳点。并将该氮掺杂碳点经透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、X-射线光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)表征,发现其粒径为0.5~5 nm,平均粒径2.6 nm,富含羟基、羧基和氨基等官能团。在优化实验条件下,多巴胺浓度在2.5~37.5μmol/L范围内与N-CDs的荧光猝灭效率(I_F/I_(F0))呈良好的线性关系,方法的检出限为0.08μmol/L。采用该方法对正常人尿液中的多巴胺进行测定,其加标回收率为99.5%~106%,RSD为1.8%~2.3%,方法准确度高,结果满意。 相似文献
812.
以L-苯丙氨酸甲酯盐酸盐为原料,依次经缩合、还原、甲基化和催化氢化反应制得N-甲基-L-苯丙氨醇(4); 4依次与N-Fmoc-L-苯丙氨酸(5a)或N-Fmoc-L-酪氨酸(5b)经缩合和脱Fmoc反应制得游离氨基化合物7a或7b; 7a(7b)与多种苯甲酸衍生物反应合成了20个新型的N-甲基马蹄金素衍生物(8a~8t),其结构经1H NMR, 13C NMR和MS(ESI)表征。以2.2.15细胞模型进行了初步的抗乙肝病毒(HBV)活性评价。结果表明:化合物8n和8o显示出一定的抗HBV活性,IC50分别为52.5 μmol·L-1和49.2 μmol·L-1。 相似文献
813.
基于表面分子印迹技术发展起来的表面分子印迹传感器具有与生物传感器相媲美的选择识别性,同时还兼具易于制备、成本低廉、机械稳定性高和重复性好的优点,受到了国内外研究者的极大关注。与传统的气相、气-质、液相、液-质等色谱分析方法相比,表面分子印迹传感器集分离与测试于一体,不需要任何样品前处理步骤,因此测试更加简单、灵敏和快速,在药物传输、环境监测、食品安全、化学反应实时监测等方面获得广泛应用。本文综述了表面分子印迹传感器的分类、制备方法和应用领域,以及该技术面临的挑战和市场应用前景及未来趋势,为相关科研工作者提供研究参考。 相似文献
814.
在金属的钠的作用下,通过2,6-二甲基吡啶侧链的烃基化合反应,合成了9个新的2,6-二烷基吡啶化合物,化合物的结构经元素分析,MS,IR,^1HNMR及UV分析确证。 相似文献
815.
锂离子电池电解液中甲醇杂质对石墨电极性能影响机制的电化学阻抗谱研究 总被引:5,自引:0,他引:5
运用电化学阻抗谱和循环伏安法研究了在1mol/LLiPF6-EC/DEC/DMC电解液中,不同甲醇杂质含量对石墨电极性能的影响及其机制.结果表明,甲醇对石墨电极性能的影响与电解液中甲醇的含量有关;其对石墨电极性能的影响机制为甲醇在2.0V左右还原生成的甲氧基锂沉积在石墨电极表面上,形成一层初始SEI膜,影响了EC的还原分解成膜过程. 相似文献
816.
以超声波作用下的均匀沉淀法制备了Eu0.12Y1.88-xLaxO3-δ纳米晶荧光粉,用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、荧光光谱对其进行表征,考察了不同La3+掺杂含量下Eu0.12Y1.88-xLaxO3-δ(x=0~0.30)的晶格常数及晶粒尺寸的变化,研究了掺杂含量对样品激发光谱及发射光谱的影响.结果表明,Eu0.12Y1.88-xLaxO3-δ的晶格常数在1.060~1.068nm之间,晶粒尺寸在6.8~26.1nm之间,当x=0.10时,Eu0.12Y1.78La0.10O3-δ的平均粒径为35nm,发光性能优于未掺杂的Y2O3∶Eu3+荧光材料.根据晶粒生长动力学理论计算Eu0.12Y1.78La0.10O3-δ晶粒长大的活化能为9.24kJ·mol-1,表明热处理过程中纳米晶粒的长大为扩散生长机制. 相似文献
818.
目前Web应用上存在接口枚举、越权与敏感信息回传三种逻辑漏洞,在SaaS服务模式的背景下,攻击者利用这些漏洞可以非法获取云端数据,给厂商和用户造成损失.主流的检测方案未实现自动化,依赖测试者经验的渗透测试,难以全面覆盖复杂的Web应用业务逻辑.本文分析云数据服务Web应用的业务逻辑,建立抽象三种逻辑漏洞的威胁模型,设计漏洞Fuzzing检测算法和系统框架,并实现了原型系统.实验结果表明,本文方案可检测造成云数据泄露的三种逻辑漏洞,与人工经验相结合,实现自动化的渗透测试.测试真实Web应用,发现了未被修补的三种逻辑漏洞,并已经得到厂商确认,提升了漏洞挖掘的覆盖度. 相似文献
819.
Novel distributed Bragg reflectors (DBRs) with 4.5 pairs of GaAs/AlAs short period superlattice (SPS)used in oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) were designed. The structure of a 22-period Al0.9Ga0.1As (69.5 nm)/4.5-pair [GaAs (10 nm)-AlAs (1.9 nm)] DBR was grown on an n+ GaAs substrate (100) 2° off toward (111)A by molecular beam epitaxy. The emitting wavelength was 850 nm with low threshold current of about 2 mA, corresponding to the threshold current density of 2 kA/cm2. The maximum output power was more than 1 mW. The VCSEL device temperature was increased by heating ambient temperature from 20 to 100 ℃ and the threshold current increased slowly with the increase of temperature. 相似文献
820.