水中钢板爆破水介质对装药量的影响

为分析水介质对水中钢板爆破装药量的影响,理论推导了钢板背衬水介质条件下,钢板爆破最小装药量与空气中钢板爆破最小装药量的倍数关系:最小倍数关系为3.76。数值计算了钢板背衬空气介质和背衬水介质情形下钢板爆破的最小装药量,其倍数关系在3.5左右,与理论结果相近,表明钢板背衬水介质或空气介质是决定装药量大小的关键因素。数值计算了装药在空气介质中及水介质中钢板爆破爆轰产物对钢板的冲量大小,结果接近,表明水介质对炸药爆轰产物的约束作用是影响水中钢板装药量的次要因素。     

天空光辐射亮度测量系统设计

天空光辐射亮度是大气光学特性的重要参数之一,在空间目标探测与识别中有着重要作用。为了获取天空光辐射亮度,评价光电系统探测跟踪空间目标的能力,设计实现了一套天空光辐射亮度测量系统,详细介绍了光信号收集和信号探测部分的工作原理,及系统所应用弱辐射信号探测、辐射计量等关键技术。通过该套测量系统的初步应用及对测量结果分析表明:利用该套测量系统能够准确获取天空光连续光谱(光谱范围从380nm～1100nm)数据,为应用研究提供了更多的光谱信息。     

加速器质谱测量用NH4HfF5的合成研究

探索了用于加速器质谱(AMS)测量用NH₄HfF₅样品的多相合成方法. HfO₂样品通过分离纯化流程后, 与NH₄HF₂进行反应制成NH₄HfF₅, 并用加速器质谱进行测量. 结果表明: α-安息香肟萃取是降低¹⁸²W含量的重要步骤|多相合成法制备的NH₄HfF₅样品中 的引出束流强度是同等条件下液相合成法的3～4倍|制样方法(多相合成法、液相合成法)对¹⁸²W/Hf比值影响不大|NH₄HfF₅中¹⁸²W/Hf的比值低至10^－11g•g^－1量级. 采用XRD和XPS表征了NH₄HfF₅粉末的结构. 结果表明, NH₄HfF₅样品主要含有N, Hf和F元素, 其中Hf主要以＋4价态存在.     

含有δ掺杂层的SiGe pMOS量子阱沟道空穴面密度研究

建立了含有δ掺杂层的SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型，并对该模型进行了数值分析.讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系，阈值电压VT与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟道载流子面密度Ps及本征层厚度di等参数间的关系.同时还讨论了准静态时量子阱空穴面密度P′s与栅压VGS的关系. 关键词： δ掺杂层 空穴面密度     

Mn（TMPP）Cl／NaOCl体系对苯乙烯催化环氧化反应的研究

为了实现温和条件下的烯烃环氧化,近年来对模拟单加氧酶细胞色素P—450的催化氧化研究十分活跃。Tabushi,I.,Meunier,B.等人用卤素取代的四苯基卟啉锰/次氯酸钠作为烯烃催化环氧化的模拟体系实现了环辛烯和1一十二碳烯的环氧化,并讨论了轴向配体、配体—卟啉比及溶液PH对催化活性和选择性的影响,但有关这方面的研究报道不多。已有的研究表明:多卤代和多甲基取代的金属卟啉催化效果较为理想,卟啉环上取     

Novel vertical stack HCMOSFET with strained SiGe/Si quantum channel

A novel vertical stack heterostructure CMOSFET is investigated, which is structured by strained SiGe/Si with a hole quantum well channel in the compressively strained Si量子信道 异质结构 CMOSFET 量子论 量子阱strained SiGe/Si, quantum well channel, heterostructure CMOSFET, poly-SiGe gateProject supported by the Preresearch from National Ministries and Commissions (Grant Nos 51408061104DZ01, 51439010904DZ0101).2/2/2006 12:00:00 AM2006-01-022006-03-16A novel vertical stack heterostructure CMOSFET is investigated, which is structured by strained SiGe/Si with a hole quantum well channel in the compressively strained Sil-xGex layer for p-MOSFET and an electron quantum well channel in the tensile strained Si layer for n-MOSFET. The device possesses several advantages including： 1） the integration of electron quantum well channel with hole quantum well channel into the same vertical layer structure; 2） the gate work function modifiability due to the introduction of poly-SiGe as a gate material; 3） better transistor matching; and 4） flexibility of layout design of CMOSFET by adopting exactly the same material lays for both n-channel and p-channel. The MEDICI simulation result shows that p-MOSFET and n-MOSFET have approximately the same matching threshold voltages. Nice performances are displayed in transfer characteristic, transconductance and cut-off frequency. In addition, its operation as an inverter confirms the CMOSFET structured device to be normal and effective in function.     

水溶性NaYF_4∶Yb/Tm纳米粒子的制备及其上转换发光性质

利用溶剂热法合成了NaYF4:20%Yb,0.5%Tm上转换发光纳米粒子(UCNPs),用扫描电子显微镜、X射线衍射分析、发光光谱测量等手段对水溶性纳米颗粒进行了形貌和发光性质表征。结果表明,UCNPs是纯立方相的NaYF4,尺寸均匀分布在30nm左右。在980nm红外光的激发下,UCNPs能够发出肉眼可见的明亮的蓝紫色光。发射光谱中最强发射峰在479nm,来源于Tm3+离子的1G4→3H6发射,并且给出了UCNPs的上转换发光机制。利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂所制备的上转换发光纳米颗粒具有良好的水溶性,尺寸较小,在生物荧光标记领域具有潜在的应用价值。     

选择性维护决策的研究进展与挑战

在工业生产和军事领域中,生产设备或技术装备往往要求连续执行多个任务,并且在任务间隔期内需要对系统中老化或失效的部件进行维护以确保完成后续任务.然而,由于受有限的成本、时间、设备及人员等维护资源的限制,在任务间隔期内难以修复系统中的所有组成部件,决策者只能有策略地选择部分部件进行维护,从而最大程度地确保完成后续任务,这类维护决策问题被称为选择性维护.现主要介绍选择性维护决策的基本模型和特点,并从系统建模、维护程度、资源约束与资源消耗、任务特性与应用环境、优化算法五个方面综述国内外关于选择性维护决策的研究进展和发展动态,并讨论其发展趋势和挑战.     

密度泛函理论研究高温高压下UO2弹性与热力学性能

采用第一性原理与准谐德拜模型研究UO2在高温高压条件下的弹性与热力学性能。UO2在高温高压下仍属离子型晶体,并且弹性性能计算表明,四角方向剪切常数在高温与高压下均保持稳定。高温下弹性常数C44没有明显变化,而高压下C44迅速增大。体积模量、剪切模量与杨氏模量均随压强增加而增大;高温条件下,体积模量、剪切模量与杨氏模量也未出现明显的降低,表明UO2在高温度高压下均可保持良好的力学性能。不同压强下,UO2定容热容均随温度迅速增大,并在1000 K 附近趋近于杜隆-佩蒂特极限。德拜温度则随温度降低,随压强升高。在低于室温条件下,热膨胀系数随温度急剧增加;温度继续增加,系数的增加趋势则逐渐变缓。计算结果还表明,UO2的热膨胀系数在相同条件下,远小于其他核材料。