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771.
Based on the method of compound synthesis, a new method of constructing the isothermal section phase diagram of ternary system is presented and the ternary C6H14O6-KCl-H2O system is taken as an example. By determinating the optical rotation of the saturated solution in the equilibrium system, the contents of the other components can be calculated, and then the isothermal section diagram of the ternary system can be constructed. The results shows that the common saturation point is as=58.5%, bs=17.4%, cs=24.1%. The general application of the method is discussed also in this paper.  相似文献   
772.
一种提高SiO2凝胶玻璃中ZnSe纳米晶稳定性的方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
半导体纳米品材料具有很大的应用潜力,然而非氧化物半导体纳米晶在空气中通常不稳定.因此其应用受到限制.纳米品不稳定主要是因为其表面原子配位不足,存在大量的悬空键,d使其很容易与环境中的物质发生反应而逐渐变质.人们通常采用惰性介质包覆的方法来提高纳米晶的稳定性,  相似文献   
773.
合氟单体的聚合极易受杂质的影响,氧气是影响聚合反应的物质,因此,研究氧对合氟单体聚合的影响是颇有意义的。 氧对自由基引发聚合的影响早已引起人们的注意,并且对于一些常用的单体作了比较仔細的研究。当有氧存在时,乙烯系单体的聚合反应有一个阻化期,在阻化期内氧与  相似文献   
774.
用循环伏安法研究MCM-41分子筛修饰电极对铁(Ⅱ)和钌(Ⅱ)的1,10=氮杂菲配合物的电化学行为,由于MCM-41中孔分子筛孔表面存在非常活泼的羟基,使其具有很高的活性,它能使分子筛本身作为配体与金属离子配位,并便原来的配体部分解离。  相似文献   
775.
运用电化学阻抗谱研究了LiCoO2电极在电解液中的贮存和首次脱锂过程. 发现LiCoO2电极在电解液中, 随浸泡时间延长其表面SEI膜不断增厚, 归结为LiCoO2电极与电解液之间的自发反应导致生成一些高介电常数的有机碳酸锂化合物. 研究结果指出LiCoO2电极首次脱锂过程中, SEI膜在3.8 ~ 3.95 V电位区间发生可逆坍塌, 对应其可逆溶解; 由于过充反应, 当电位大于4.2 V SEI膜迅速增厚. 研究结果同时表明, Li/LiCoO2电池体系的感抗来源于充放电过程中LiCoO2电极中存在LiCoO2/Li1-xCoO2局域浓差电池. 发现锂离子在LiCoO2电极中的嵌脱过程可较好地用Langmuir嵌入等温式和Frumkin嵌入等温式描述, 测得LiCoO2电极中锂离子嵌脱过程中电荷传递反应的对称因子α = 0.5.  相似文献   
776.
常温下环己烷的液相羟化反应   总被引:2,自引:0,他引:2  
常温下环己烷的液相羟化反应韩世清,曹国英,姜子奇,奚祖威(中国科学院大连化学物理研究所,大连116023)关键词环己烷,羟化反应,过氧化氢,铁络合物,钒络合物,金属络合物催化剂环己烷的氧化反应在工业上占有十分重要的地位,同时作为饱和烃官能团化(特别是...  相似文献   
777.
游达  许金通  汤英文  何政  徐运华  龚海梅 《物理学报》2006,55(12):6600-6605
对Ga面p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状态和半应变状态两种条件下,顶层GaN及中间层AlGaN厚度的变化对2DHG分布的影响.计算结果表明,势垒层AlGaN和顶层GaN的应变状态和厚度对极化引起的2DHG面密度及分布有重要影响.在此基础上制备了p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构肖特基器件,并通过器件的C-V测试证实了异质结处2DHG的存在.器件响应光谱的测试结果表明,由于p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN量子阱中强烈的极化作用和Stark效应使得器件零偏压和反向偏压时的响应光谱都向短波方向移动了10 nm,在零偏压下器件在280 nm处的峰值响应为0.022 A/W,在反向偏压为1 V时,峰值响应达到0.19 A/W,已经接近理论值. 关键词: AlGaN 二维空穴气 极化效应  相似文献   
778.
以4-硝基苯肼、自制的己二酰二氯原料,用冰浴法合成了己二酰-1′,6′-双(4-硝基苯肼)化合物,并用NBS/Pyridine氧化体系脱氢得新化合物己二酰-1′,6′-双(4-硝基偶氮苯)化合物,产品的结构经元素分析、IR、1HNMR确证,收率80.2%。该合成方法反应时间短、产率高、操作简单、现象明显,是制备该类化合物的一种快速简便的方法。  相似文献   
779.
利用流体模型,计算了调制磁场作用下,圆柱形等离子体发生器中电子、离子及尘埃的运动情况.数值模拟结果表明,尘埃颗粒随着调制磁场频率的改变,产生两种不同的运动方式:pulse运动和除尘运动.解释了pulse运动产生的机理,并提出了柱形等离子体发生器中利用调制磁场清除尘埃颗粒的方法. 关键词: 尘埃颗粒 调制磁场  相似文献   
780.
研究评价了本课题组合成的低温流动性改进剂蜡晶分散剂M分别与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚甲基丙烯酸高级酯之间的协同效应。结果表明:M组分与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物复配使用时表现了良好的协同效应,M和乙烯-醋酸乙烯酯聚合物以及聚甲烯酸高级酯组成的三元复配体系的协同效应更强。M具有助降冷滤作用。研究结果还表明,协同作用取决于M组分的分子结构,其中烃基链的长短具有重要影响。  相似文献   
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