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142.
分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H?nchen位移解析表达式,并分析了Goos-H?nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H?nchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-H?nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-H?nchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H?nchen位移的表达式.
关键词:
Goos-H?nchen位移
左手介质
单轴各向异性
临界角 相似文献
143.
144.
白色荧光粉NaGd(MoO4)2:Dy3+,Eu3+的水热合成及发光性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用谷氨酸辅助水热法合成了八面体形NaGd(MoO4)2:Dy3+,Eu3+白色荧光粉.X射线衍射结果表明,合成的样品为四方晶系的NaGd(MoO4)2纯相.扫描电子显微镜照片显示所制备的粒子为八面体形,各边长约为2μm.荧光光谱结果表明,在NaGd(MoO4)2:4%Dy3+,yEu3+(y=0,0.5%,0.6%,0.7%,0.8%,0.9%,1.0%)样品中,随着Eu3+掺入量的增加,Dy3+的发射峰逐渐减弱,而Eu3+的发射峰逐渐增强,说明Dy3+-Eu3+之间存在能量传递.通过色坐标图可知,当Eu3+掺杂量y=0.9%时,荧光粉的色坐标(0.338,0.281)与标准的白光色坐标(0.33,0.33)接近,表明NaGd(MoO4)2:4%Dy3+,0.9%Eu3+是很好的近紫外光激发下的白色荧光粉. 相似文献
145.
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
146.
147.
取代酰肼化合物是制备偶氮化合物的原料,是一种非常重要的有机化合物,具有广泛的应用价值。它可以和金属形成稳定络合物,对聚烯烃等高分子材料的“铜害”有良好的防护,因而在电线、电缆、钢丝、轮胎等与铜及其它重金属相接触的高分子工业制品中得到广泛应用,被称为金属减活剂[2 相似文献
148.
149.
150.