AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究

采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO₂薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO₂钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法.     

稠环芳烃菲电子激发态的含时密度泛函理论研究

用含时密度泛函理论TD-DFT及组态相关CIS、含时TD-HF方法对菲的UV光谱进行了理论研究,在几何构型优化的基础上,计算了其垂直电子激发能．计算表明,基函数的选择对激发能的计算影响较大,而不同的密度泛函交换一相关势对其影响较小,这和轨道能级的系统误差相互抵消有关．对菲的电子跃迁能的计算,与实验结果比较相一致,理论与实验的误差和不同的实验之间的误差在同一个数量级之内,显示TD-DFT方法比CIS,TD-HF方法更适合电子激发能的计算．     

熔融玻璃片-波长色散X射线荧光光谱法测定铁矿石中全铁及其它多种元素的分析进展

综述了近年来国内应用熔融玻璃片–波长色散X射线荧光光谱法测定铁矿石中全铁及其它成分这一分析技术的研究和进展,重点对标样的选择与制备、熔剂组成对制样效果的影响、氧化剂和脱模剂的选择、烧失量的影响进行了总结。并对熔融玻璃片—波长色散X射线荧光光谱法测定铁矿石中全铁及其它元素的发展方向提出了建议和展望。     

Synthesis and Crystal Structure of Dicyanamide(5,7,7,12,14,14-Hexamethyl-1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane) Copper(II) Percholatehydrate

1 INTRODUCTION Recently the chemistry of transition metal com- plexes containing macrocyclic ligand has become in- creasingly important[1～12]. However, the structurally characterized transition metal complexes containing macrocyclic ligand teta are stil…     

500 fs超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应

 采用脉宽500 fs,脉冲能量250 μJ的超短脉冲激光辐照线阵CCD探测器,观察到了CCD从线性响应到像元饱和、饱和串音直至硬损伤的整个过程,并着重对两种辐照能量密度下的硬损伤机理进行了理论分析。结果表明：激光能量密度为0.45 μJ/cm²时,达到像元饱和;能量密度为0.14 J/cm²时,辐照6个脉冲后实现了CCD器件的硬损伤,硬损伤源于晶格被加热并汽化形成等离子体;能量密度为1.41 J/cm²时,单个脉冲就使CCD器件的输出波形无法辨认,2个脉冲后CCD器件没有任何信号输出,硬破坏源于电荷分离形成的电场库仑力。     

并苯分子结的热电性质

通过运用非平衡格林函数方法,研究了基于并苯连接石墨烯纳米带的分子结的热电性质.主要考虑了并苯分子长度、并苯分子与石墨烯纳米带电极的接触位置对并苯分子结热电参量的影响.结果发现并苯分子结最大热电优值(ZTmax)对应的热导中声子贡献往往占据主导地位.当并苯分子的长度增加,声子热导单调减少,最终变得与并苯分子长度几乎无关.当并苯分子与石墨烯纳米带左(右)电极的中(上)部接触时,对应的ZTmax是最高的,然而当并苯分子与石墨烯纳米带左(右)电极的中(中)部接触时,对应的ZTmax是最低的.当温度增加时, ZTmax有单调增加的趋势,无关于接触位置.随着并苯分子长度的增加, ZTmax对应化学势的位置越靠近本征费米能级.以上发现能对未来设计基于并苯分子结的热电器件提供有价值的参考.     

BiI3修饰Cs3Bi2I9自供能光电化学型探测器制备及其性能

在溶液法合成Cs₃Bi₂I₉前驱体溶液的基础上，采用添加BiI₃修饰Cs₃Bi₂I₉溶液的方法后得到Cs₃Bi₂I₉/BiI₃薄膜并制备出具有自供能特性的Cs₃Bi₂I₉/BiI₃薄膜光电化学型探测器。结果表明，添加的BiI₃以第二相形式存在于Cs₃Bi₂I₉薄膜中，形成两相混合结构。在紫外光(365nm)单色光照射下，Cs₃Bi₂I₉/BiI₃探测器的开关比达到3198，响应度和探测率分别为2.85×10^-3A/W和3.77×10¹⁰Jones...     

基于现场可编程门阵列的质谱信号滤波器的设计与应用

低通滤波法是四极杆质谱仪信号去噪的常见方法，为了提高滤波器性能，引入一维离散平稳小波进行阈值法滤波，其不仅能够几乎完全抑制噪声，而且可以很好地保留原始信号的特征尖峰点，缩短与成熟商业化产品差距。同时针对四极杆质谱控制系统运算能力不足的问题，本研究提出了基于Zynq芯片的应用方案，大大降低了仪器得到高信噪比(Signal-To-Noise, SNR)和低均方误差(Mean-Square-Error, MSE)质谱数据的时间。基于本团队研制的四极杆质谱仪，测试使用赛默飞世尔科技(Thermo Fisher Scientific)公司的调谐液样品。结果显示，小波变换法噪声衰减25 dB以上，对比240阶低通滤波法MSE整体降低20%以上，有效部分降低8%以上，并且通过可配置现场可编程逻辑门阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)处理，使有效信号相较低通滤波法下降15%以上，同时处理延迟小于1μs。为优化质谱数据降噪和控制系统集成化提供了设计参考。     

新型二维SiO2结构及面内应变对其光电性质影响的第一性原理研究

SiO₂通常以三维晶体或无定形结构存在，限制了其在新技术如新一代集成电路中的应用，因此二维SiO₂的研究引起了越来越多的关注。本文通过删除三维层状CaAl₂Si₂O₈结构中的Ca和Al原子，直接构建出新的二维SiO₂构型。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，结构优化获得的新型2D SiO₂具有P-62m对称性，群号189。通过结合能、弹性系数、分子动力学模拟和声子谱计算，发现新型2D SiO₂具有高机械稳定性、热力学稳定性和动力学稳定性。电子性质和光学性质计算发现，2D SiO₂是带隙为6.08 eV绝缘体，且具有良好的光透射率和光导率。此外，通过研究面内双轴应变对2D SiO₂电子和光学性质的影响，发现2D SiO₂的带隙和介电函数受面内拉伸应变的影响较压缩应变略大，不过其整体光学性质受应变影响不大，保证了其在实际应用中电子性质和光学性质的稳定...     

1/f噪声及其在二维材料石墨烯中的研究进展

1/f噪声具有丰富的物理内涵,既是科学研究的量化工具,也是电子器件重要性能指标.本文从通用数学形式和物理背景两个方面归纳总结1/f噪声模型.首先介绍了基于马尔可夫过程和基于扩散过程的1/f噪声通用数学模型.在此基础上,溯源1/f噪声物理模型的发展历程,总结五类典型物理模型,包括Mc Whorter模型、Hooge模型、Voss-Clarker模型、Dutta-Horn模型、干涉模型以及Hung统一模型.二维材料石墨烯让1/f噪声研究重归学术热点,本文梳理了当前石墨烯1/f噪声研究中形成的共识性研究成果,提出石墨烯低频噪声研究的三层次分类分析模型,分析了不同层面噪声机理研究代表性成果,归纳总结了各层面可能的主导机制.通过比较不同团队报道的石墨烯1/f噪声栅极调控特征谱型及测试条件,分析了复杂多变栅控谱型形成原因.基于分析结论,为避免非本征噪声干扰,提出了石墨烯本征背景1/f噪声规范性测量方案,为厘清和揭示石墨烯1/f噪声机制及特性探索可行技术途径.