晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征

随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。     

ZnGa2O4长余辉发光特性的研究

以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga^3＋替代了部分Zn^2＋后相对变形八面体中Ga^3＋的^2EA→^4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0^＊后变形八面体中氧空位向其周围的O^2-的V0^＊→O^2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因：温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn^2＋空位,从而多余的的Ga^3＋出现在这些空位上,其^2EA到^4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。     

高精度定量相位显微成像方法研究

定量相位显微成像在工业检测、生物医学和光场调控等领域具有重要的应用价值。常用的定量相位显微成像技术通过干涉的方法来获取相位的定量分布,干涉装置的稳定性、光学衍射极限的限制、相位再现时的解包裹问题、激光照明下的相干噪声,以及动态观测过程中的样品离焦等因素都会影响定量相位显微成像的分辨率和精度。本文围绕高精度定量相位显微成像中的上述关键问题展开研究,通过构建物参共路的同步相移数字全息显微结构实现稳定的实时测量;采用结构光照明的超分辨相位成像方法实现对微小物体的超分辨相位成像;利用双波长照明将纵向无包裹相位测量范围扩大到微米量级;使用低相干LED照明解决相干噪声问题;提出了基于结构光照明和双波长照明的数字全息显微自动调焦方法,可以满足对不同类型样品的长时间跟踪观测。     

突出学科特色 落实三维目标——例谈新课程化学有效教学的体会

我们认为,化学是最能体现理论与实际相结合的学科之一,离开了实际,理论就失去了存在的依据;化学是实验科学,离开了实验就没有化学。以此为基础,化学的学科本质和特色是充满生命活力课堂的源泉,是课堂创设教学情境的最佳素材。     

圆对称环域Josephson隧道结的静态特性(Ⅰ)——准衍射现象和自场效应

本文研究了圆对称环域Josephson隧道结的静态特性。在环带宽度较窄的情形下,不计入自场,并考虑到外磁场在结区内的非均匀性,解析地得到了l_m与外磁场的l_H的关系。与典型的小结衍射图形所不同的是所有极小都不为零,表现出准衍射图形特征。在环带宽度较宽的情形下,对自场方程进行了数值计算,得到其与一般一维结不同的结特性。 关键词：     

小电容Josephson隧道特性——二次量子宏观效应

本文对小电容的Josephson结,在流过结的电流小于临界电流I_c时。从“二次”量子化哈密顿出发,用Feynman路径积分方法,对I_c随温度的变化关系进行了计算。对于小的静电能,I_c随温度的降低而增加。对于大的静电能,I_c随温度的变化出现峰值。     

各向异性扩散DLA集团的豪斯道夫维数与标度性质

讨论了DLA集团的各向异性扩散效应.计算机模拟证实了具有各向异性扩散规则的DLA集团有严格的菱形结构.导出了一个粒子的各向异性扩散的新方程，计算了各向异性扩散DLA集团的豪斯道夫维数，结果表明，有效外半角β_eff=min(β_ix,β_iy).讨论了各向异性扩散DLA集团的广义维数，使用修改的楔模型得到了广义维数D_q的表达式. 关键词：     

半线性椭圆方程的多解存在性

本文考虑具有凹凸非线性和临界Sobolev指数的半线性椭圆方程的正解和多重解（可能非正）的存在性。     

二维次近邻渗流模型

本文采用位置空间重整化群和蒙特-卡罗模拟方法,研究了二维次近邻正方格点渗流问题,计算出其临界值p_c和临界指数α,β,γ,δ,ν等。结果表明:二维考虑次近邻的渗流问题与仅考虑最近邻的渗流问题属于不同的普适类。 关键词：     

一种菁染料－聚合物薄膜的光存存储性能

用旋涂法制备了一种菁染料－聚合物薄膜，并研究了该染料－聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能。该染料薄膜在６６０～８３０ｎｍ波段有较强的吸收和２０％以上的反射率。在最佳实验条件下，获得了５８ｄＢ的信噪比。信噪比（ＣＮＲ）、载波信号强度（Ｃ）和薄膜反射率变化（ΔＲ）的对数（ｌｇΔＲ）成正比