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11.
The possible defect models of Y^3+:PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3+ ions are studied by using the general utility lattice program (GULP). The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3+ :PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^+ + VPb^2-], and in the heavily doped Y^3+ :PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^+, forming defect clusters of [2Ypb^+ +Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3+ :PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal. 相似文献
12.
13.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
关键词:
变缓冲层高迁移率晶体管
Shubnikov_de Hass 振荡 相似文献
14.
利用2~8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系. 相似文献
15.
物理实验课程体系之我见 总被引:1,自引:0,他引:1
自国家教委确定物理实验独立设课以来,探索和建立其课程体系已成为该课程建设的一个重要课题。传统的“菜谱式”的教材,适合于将物理实验作为物理理论课的辅助教学手段时期,实践证明在配合理论教学中它的确起过一定的作用。但是当它现在已成为高等院校的一门独立必修基础课程时,我们感到再沿袭那种“菜谱式”的教学方案,会显得陈旧而落伍。因为物理实验的独立设课意 相似文献
16.
17.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
18.
19.
本文合成了多种磺胺的季鏻及季鉮盐型离子缔合物,以此为电活性物,系统地研究了电极性能。发现:电极性能主要决定于定域体阳离子,阴离子部分无显著影响,电极性能次序为十六烷基三辛铵>十六烷基三苯锛>十六烷基三苯钟。电极对不同磺胺的选择性次序为ST>SMZ>SDM,SDM′>SA>SD>SN;选择性系数不单与分子连接性指数X有关,且与N_1原子电荷密度σ及pKa有关,符合关系式:logK_(ij)=ax+bσ-cpKa-d。在文献中首次提出可用磺胺类药物离子选择性电极测定磺胺类药物。 相似文献
20.