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81.
Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling
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<正>A 240-nm thick Al0.4In0.02Ga0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire(0001).Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(xmin= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal(1213) axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion eT,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed (eT=0). 相似文献
82.
无衍射光束(如贝塞尔光束、艾里光束)因具有无衍射、自愈合的特性, 在很多领域都有广泛的应用. 本文提出使用纯相位型空间光调制器对光场的复振幅进行调控, 从而可以产生多种复杂模式的无衍射光束, 如强度可独立调控的多个零阶贝塞尔光束, 两个高阶贝塞尔光束干涉生成的花瓣状无衍射光束, 具有多个主瓣的加速光束等特殊的无衍射光束. 通过在待测焦场附近放置一个平面反射镜, 使其沿光轴快速扫描光场, 并由数字相机同步拍摄反射回来的一系列二维光场强度分布信息, 可实现对无衍射光束三维光场强度分布的快速测量和表征. 本实验方法和技术可以快速产生各种复杂的特殊光场并获得其精确的三维可视化重建效果, 在光学显微、光学俘获、光学微加工等领域有潜在的应用价值. 相似文献
83.
Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences (series I: 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ: 1.75 × 10^17 ions/cm^2) are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott's equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition (IMT). However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott's equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry (RBS) is applied to confirm the actual fluence for these two series. 相似文献
84.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了p-GaN上的Ni/Au电极在氧气氛下相同合金温度(500℃)不同合金时间后的微结构演化,以揭示欧姆接触的形成机制.利用背散射随机谱和RUMP模拟程序研究了电极金属之间的互扩散,用沟道谱探测了电极金属中的氧分布.结合不同合金时间下比接触电阻ρc的变化,发现随着合金时间的延长比接触电阻持续降低,在合金时间60 s后降低的速度减慢, Au扩散到GaN的表面,在p-GaN上形成外延结构,O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρ关键词:
GaN
卢瑟福背散射/沟道
欧姆接触 相似文献
85.
86.
87.
We synthesize LiTal-x FexO3-σ (LTFO) remain single phase up to x = 0.09 ceramics by the conventional solid-state reaction method. The samples The magnetic measurements show that the doping of Fe successfully realizes ferromagnetism of LTFO at room temperature. The dielectric measurements indicate that LTFO is ferroelectric, similarly to LiTaO3 (LTO), but its ferroelectric Curie temperature seems to decrease with the increasing Fe content. By means of doping Fe ions into LTO, the coexistence of spontaneous electric polarization and spontaneous magnetic moment is realized at room temperature. 相似文献
88.
89.
通过制备晶粒尺寸处于0.1-10 μm之间的致密Ba0.70Sr0.30TiO3陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度TC、铁电相介电常数εF、峰值介电常数εM的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明:晶粒尺寸减小时,TC刚开始基本不变,直到晶粒尺寸小到一定程度时才开始降低,此变化规律可由Buesseum的内应力模型解释;随晶粒尺寸的增加,εF先增加后减小,此变化规律可由Shaikh的串并联模型来解释,主要影响因素有内应力、畴、晶界;εM随晶粒尺寸的增加,在晶粒尺寸较小时先增加后减小,晶粒尺寸较大时略有增加,此变化规律可由弥散相变理论和串并联模型共同解释,在晶粒尺寸较小时主要影响因素为内应力、微畴和晶界,晶粒尺寸较大时主要影响因素为晶界. 相似文献
90.