用“最小数原理”证明2~(1/2)是无理数

《中学生数学》2004年3月(上)和2004年8 月(上)分别给出了3~(1/2)是无理数的两种证明,开阔 了同学们的视野．本文用最小数原理证明2~(1/2)是无 理数． “在任何一个自然数集合里．必定存在一个 最小的数．”这就是最小数原理． 下面证明2~(1/2)是无理数． 证明 只须证n·2~(1/2)对任何正整数n都不 是整数． 设S是所有使n·2~(1/2)为整数的正整数n的     

纳米X1-Y2SiO5: Eu3+发光光谱的理论研究

从晶体结构参数和Eu³⁺离子等的物性参数出发，用Faucher的静电模型，计及远程环境影响，且用自洽求解方法确定配位离子的诱导电偶极矩，系统地计算了纳米晶X₁-Y₂SiO₅: Eu³⁺的晶场参数，并延伸此模型用于跃迁强度计算．给出了在C₁对称下与实验相当一致的光谱，且得到可用于其他性质的计算的各态波函数 关键词：     

关于铱(Ir)的晶胞常数a0值的更正

关于铱（Ｉｒ）的晶胞常数ａ０值的更正兰田徐飞岳罗敬良夏都灵Ｉｒ的ａ０值与文献值稍有差别（如３．８５，３．８４和３．８３９等），文献［１］表４和文献［２］表１误用为３．５８，虽然各ｄｎ值未错，但其驰豫量（％）也应修正于后。园括号中为错误数值。Ｉ...     

楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应

采用真空蒸镀方法，利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程，在玻璃表面制备出斜率仅为10^-5的楔形金薄膜逾渗系统，并用四引线方法测量了从该薄膜系统中得到的均匀无序金薄膜的导电特性.实验结果表明：和通常的平整薄膜逾渗系统相比，该薄膜系统呈现更为强烈的跳跃电导和隧道效应. 关键词： 带状薄膜 跳跃电导 隧道效应     

基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征

通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料，研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影 响.Raman光谱研究发现，575cm^-1处声子模展宽是由高剂量Mn注入引起的缺陷所 致，退火样品528cm^-1振动模来自Mn相关的杂质振动.室温光致发光谱表明，退 火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用. 关键词： ZnMnO 离子注入 Raman光谱 室温光致发光     

柱面汇聚冲击界面不稳定性的理论计算

根据流体力学界面不稳定性的线性理论，结合流体动力学零级量的计算程序，计算了柱面汇聚的界面不稳定性问题，给出的扰动发展结果与实验符合较好。     

塞曼调制磁旋转分子光谱特征的研究

以Ｎ２第一正带（Ｂ３Πｇ－Ａ３Σ＋ｕ）为对象，研究塞曼调制磁旋转光谱技术的主要特征，对谱线的线型和位相做了详细的分析，同时，还提出并解释了谱线强度分布中的塞曼选态效应，结果均与实验相符合。     

稀土与对茴香酸配合物的合成和性质

本文以茴香酸为栩体，合成了与稀土离子的二元配合物ＲＥＬ３．对所合成的配合物进行了元素分析，红外光谱分析，紫外光谱分析和核磁共振分子等分析测试，初步研究了该类配合物的结构和性质。