Geometrical nonlinear waves in finite deformation elastic rods

IntroductionSomenewphenomenaofnonlinearwavesinthesolidmediumsuchasshockwave ,solitarywaveetc.arepaidmoreattentiontoincreasinglybyresearchersbecausetheytakeonalotofimportantproperties.ItistheoreticallyanalyzedinRefs.[1 -6]thattheformationmechanismsofshockwaveandsolitarywaveintheelasticthinrodsaswellastheirpropagationproperties.TheexistenceofsolitarywaveintheelasticmediumsuchasarodandaplatehasbeenverifiedinRef.[7]byexperiments.Shockwaveandsolitarywavearesteadilypropagatingtraveling_wavesgenerat…     

掺C60二氧化钛微晶特性和光催化活性研究

通过热分析、X射线衍射以及光活性测试,分析了不同掺杂量、不同燃烧温度下掺杂C60二氧化钛微晶样品,研究了掺杂对二氧化钛光活性的改善情况,C60掺杂二氧化钛体系中C60的热解温度明显提前,二氧化钛的晶化温度延迟、相变受到抑制且光活性得到一定程度的提高,其微晶参数也有一定规律变化。     

水杨基荧光酮荧光法测定钴(Ⅱ)-过氧化氢体系产生 的羟自由基

本实验发现Co     

不同晶面Co基催化剂上CO活化行为研究

本研究用溶剂热法合成了三种暴露不同晶面的Co基催化剂,排除载体、助剂、晶粒尺寸等参数的影响,通过程序升温脱附、原位拉曼光谱、原位漫反射红外光谱等表征手段和化学瞬变反应技术,对不同晶面Co催化剂在费托反应过程中CO活化行为进行了研究。结果表明,CO的活化在不同晶面的Co基催化剂上具有结构敏感性。Co（10-11）晶面上CO以直接解离的方式进行活化,且CO解离生成的碳物种部分形成积炭,其余碳物种加氢生成CH_x;Co（0001）晶面上CO以氢助解离的方式活化,大量解离为积炭,少量碳物种氢化为CH_x;Co（11-20）晶面上CO直接解离,该催化剂上CO弱解离得到微量的积炭,其余碳物种在氢的存在下生成微量的CH_x中间体。     

不同金属改性HZSM-5催化剂的甲醇羰基化反应性能

以具有酸性特性的HZSM-5分子筛为载体,结合金属本身具有的羰基化活性,可以更好的提高羰基化反应效率。采用负压沉积沉淀法对HZSM-5催化剂进行Pt、Pd、Cu、Au、Zn改性,制备不同酸度的催化剂。利用X射线衍射、NH₃程序升温脱附、吡啶吸附FTIR、N₂吸附-脱附和X射线荧光分析研究了不同金属对催化剂物理化学性质及不同负载型HZSM-5催化剂对甲醇羰基化产物的分布和产率的影响。结果表明,不同金属的引入对HZSM-5催化剂的比表面积、孔径和孔体积影响较小,但明显地改变了催化剂表面的酸强度。Pt、Au、Zn和Cu改性后的催化剂更有利于甲醇羰基化反应的进行,其中Cu/HZSM-5催化剂在400℃的甲醇转化率高达90.2%,比HZSM-5催化剂的甲醇转化率高12%,但目标产物的选择性比Pt/HZSM-5及Au/HZSM-5的低。总的来看,金属的引入改变了催化剂表面Brønsted酸（B酸）和Lewis酸（L酸）中心的数量,甲醇的转化率随总酸量的增加而增加,催化剂表面B酸与L酸的比例在0.3~0.5时,催化剂表现出更好的羰基化作用。     

阿特拉津分子印迹固相萃取柱的制备及应用

以阿特拉津为模板分子,α-甲基丙烯酸为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,偶氮二异丁腈为引发剂,65 ℃聚合17 h,制备了对阿特拉津具有特异性识别的分子印迹聚合物.将聚合物研磨、过筛、洗涤并装柱,制备分子印迹固相萃取柱,其最大结合量比游离态的聚合物微球高600倍,结合时间为游离态的1/60,采用液相色谱法检测其回收率达90%;用于富集水样中含量低于2×10-8 mol/L的待测物,其回收率也可达到89.3%.与市售C18柱相比,分子印迹固相萃取柱回收时间仅为C18柱的1/3,试剂用量为其1/4,但回收率更好,净化更彻底,减少了杂质峰对分析的影响,提高了灵敏度,利于仪器的保护和保养.应用此方法对实际农业水样进行了检测,结果满意.     

铕三元配合物-聚氨酯丙烯酸酯发光材料的合成与荧光性能研究

以1,10-邻菲啰啉和2,7-二羟基萘-3,6-二磺酸钠为配体,合成了铕-2,7-二羟基萘-3,6-二磺酸-邻菲啰啉三元配合物{[Eu(HL)(phen)(H2O)](H2O)3}∞;利用配合物中未参与配位的-OH作为活性基团,以二月桂酸二丁基锡为催化剂,与具有活性基团-NCO的异佛尔酮-二异氰酸酯反应制备铕三元配合物-聚氨酯丙烯酸酯发光材料。通过X射线单晶衍射、红外、热分析和荧光光谱分析,测定了配合物及发光材料的组成、结构、热稳定性和发光性能。结果表明,在496 nm波长激发下,配合物及发光材料在610 nm处能发出较强的特征荧光,且随着配合物含量的增加,荧光性能增强,同时在测试范围内没有发生荧光淬灭现象,是一种极具潜在应用的新型发光材料。     

中高温热泵工质的理论研究

在60～140℃的冷凝温度范围,对21种环境友好、温度压力水平适宜的流体及CFC11、CFC114进行了中高温热泵理论循环对比分析。结果表明,HFC254cb、HC600、HFC143、HFE134、HFC236ea、HFC236ca、HFC245ca、HFE143、HFE245fa、HFC245fa等工质的理论循环性能较优。     

阴性及中性丝氨酸与纯的金属掺杂石墨烯相互作用的密度泛函理论研究

We present a theoretical study of interactions of anionic and neutral serine (Ser) on pure or metal-doped graphene surfaces using density functional theory calculations. Interactions of both types of Ser with the pure graphene surface show weak non-covalent interactions due to the formation of -COOH…π, -COO^-…π, and -OH…π interactions. On metaldoped graphene, covalent interactions to the surface dominate, due to the formation of strong metal-O and O-metal-O interactions. Furthermore, the doped Fe, Cr, Mn, Al, or Ti enhances the ability of graphene to attract both types of Ser by a combination of the adsorption energy, the density of states, the Mulliken atomic charges, and differences of electron density. At the same time, the interaction strengths of anionic Ser on various graphene surfaces are stronger than those of neutral Ser. These results provide useful insights for the rational design and development of graphene-based sensors for the two forms of Ser by introducing appropriate doped atoms. Ti and Fe are suggested to be the best choices among all doped atoms for the anionic Ser and neutral Ser, respectively.     

Enhanced resistance switching stability of transparent ITO/TiO2/ITO sandwiches

We report that fully transparent resistive random access memory(TRRAM) devices based on ITO/TiO2/ITO sandwich structure,which are prepared by the method of RF magnetron sputtering,exhibit excellent switching stability.In the visible region(400-800 nm in wavelength) the TRRAM device has a transmittance of more than 80%.The fabricated TRRAM device shows a bipolar resistance switching behaviour at low voltage,while the retention test and rewrite cycles of more than 300,000 indicate the enhancement of switching capability.The mechanism of resistance switching is further explained by the forming and rupture processes of the filament in the TiO 2 layer with the help of more oxygen vacancies which are provided by the transparent ITO electrodes.