Co（Salen）载氧实验装置的改进

双水杨缩乙二胺合钴(Co(Salen))的合成及载氧实验,以其较强的综合性而被许多学科实验教材入选。对于载氧装置各教材不尽相同。在教学过程中我们发现教材中所涉及装置存在某些不足。因此对此装置进行了改进。 Co(Salen)的载氧实验,是基于Co(Salen)的非活性型暗红色结晶,在室温下不吸氧,而在某些极性溶剂中(如二甲基亚砜,二甲基甲酰胺;     

ZnO电子传输层对于反型结构聚合物太阳电池光浴效应的影响

采用金属氧化物电子传输层(ETL)的聚合物光伏器件在制备完成之初通常性能表现低下, J-V曲线呈异常“S”形. 当器件受白光持续照射后, 该不良状况会逐渐好转, 此过程称为光浴(light-soaking). 光浴现象普遍被认为是ETL界面问题所致. 从器件结构着手, 研究了ZnO 纳米颗粒ETL相邻的两个界面在光浴问题上的作用. 制备了功能层相同的(电极除外)正型、反型器件及复合ETL结构器件, 发现光浴现象仅出现于包含ZnO/ITO界面的反型器件中, 证明该界面是导致光浴现象的主要原因. 分析认为: ZnO颗粒表面O₂吸附形成的电子陷阱增加了ITO/ZnO势垒厚度, 使得光生电子无法逾越而成为空间电荷积累, 从而导致器件初始性能不佳. 器件经光照后, ETL内部受激而生的空穴电子对填补了ZnO缺陷, 提升了ETL的电荷选择性并减小了界面势垒厚度, 被束缚的光生电子得以隧穿至ITO电极, 反型器件性能最终得以改善.     

Bentone-34／0V-1毛细管柱的研制及其分离性能

自行研制了Bentone-34／0V-1高效石英毛细管气相色谱柱，并利用该柱分别对二甲苯、二氯苯和二氯甲苯异构体3种体系进行分析。在选用的色谱条件下，难分离物喷对二甲苯和间二甲苯分离度达3；间二氯苯和对二氯苯分离度达137结果表明该柱具有分离效果好，分析速度快的优点。     

拟正则双序集用矩形双序集的余扩张

称双序集E为双序集F用矩形双序集的余扩张,若存在满双序集态射θ：E→F,使对每个α∈F,αθ－1是E的矩形双序子集．本文讨论了拟正则双序集的这种余扩张的性质,给出了它们的结构．作为应用,证明了拟正则的硬双序集实为正则双序集．     

BZ反应系非理想性对化学振荡动力学区域的影响

基于Debye-Huckel强电解质溶液活度系数理论、反应速度的活化络合物理论以及三变量微分方程奇点理论,探讨了非理想性对BZ反应体系振荡动力学区域的影响。以Oregonator为模型建立了均匀体系非理想BZ反应的系统动力学方程,计算并绘制了化学振荡的临界"溴酸钠浓度-离子强度"阈值图谱,划分了不同的动力学区域,并进行了一系列实验研究,得到了与理论分析一致的结论.     

原子核裂变的研究近况

一、引言目前利用原子能有两条途径:一是很轻原子核的聚变反应,一是最重原子核的裂变反应,都会释放出大量的能量。到目前为止,聚变反应尚不能人为地控制,因此,目前利用原子能主要是重原子核的裂变反应。自1938年发现原子核裂变以来,在实际中已经得到极为广泛的应用,但是这一学科的理论研究却远远地落在实际的后面。近几年来,裂变物理学在实验方面取得了     

关于Pb208附近原子核的γ跃迁(Ⅱ)——M1跃迁

用组态混合的方法,对原子核Pb²⁰⁵的M1γ跃迁进行比较仔细的分析,结论是在定性上与实验完全没有矛盾,可以解释全部理论上存在、而实验上尚未观察到的能级;在定量上,也与实验符合较好。     

关于Pb~(208)附近原子核的能谱(Ⅰ) Pb~(205)和Pb~(204)

利用独立粒子模型的观点、用分波的方法,将两体相互作用当作微扰来处理。并且认为在计算能谱中,三体以上核子之间的相互关连不重要,对Pb~(205)及Pb~(204)两个原子核的能级进行了计算。所得结果与实验符合得很好。     

苏云金芽胞杆菌AiiA蛋白对魔芋软腐病菌的抗病活性

AiiA蛋白通过破坏病原菌的信号分子来阻断病原菌的群体感应调节系统,达到抗病的目的,是一种新型的抗病蛋白.根据蜡状芽胞杆菌ATCC14579基因组中aiiA序列设计引物,从苏云金芽胞杆菌中成功扩增出aiiA基因,其ORF为753bp,测序后经blast检测与已发表的序列相似性均在95%以上.将此基因克隆到pET28a表达载体中,转化大肠杆菌BL21(DE3),经IPTG诱导,超量表达的蛋白在菌体中以包涵体形式存在,纯化的AiiA蛋白经SDS PAGE电泳检测,表达产物分子量为28×103,致病性测定表明该蛋白对魔芋软腐病菌CZY具有较强的抗病活性.     

IGZO薄膜溅射功率对IGZOTFT栅电压不稳定性的影响

采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO薄膜形貌及电特性的影响,研究了不同IGZO溅射功率对IGZO-TFT栅偏压不稳定性的影响。结果表明,在一定范围内,低溅射功率使得IGZO薄膜的表面粗糙,缺陷较多,载流子浓度较低;在正栅极偏压作用下,低IGZO薄膜溅射功率导致较大的IGZO-TFT阈值电压漂移;在负偏压作用下不产生阈值电压漂移。