Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs

Using self-consistent calculations of million-atom SchrSdinger-Poisson equations, we investigate the I-V characteristics of tunnelling and ballistic transport of nanometer metal oxide semiconductor field effect transistors （MOSFET） based on a full 3-D quantum mechanical simulation under nonequilibtium condition. Atomistic empirical pseudopotentials are used to describe the device Hamiltonian and the underlying bulk band structure. We find that the ballistic transport dominates the I-V characteristics, whereas the effects of tunnelling cannot be neglected with the maximal value up to 0.8mA/μm when the channel length of MOSFET scales down to 25 nm. The effects of tunnelling transport lower the threshold voltage Vt. The ballistic current based on fully 3-D quantum mechanical simulation is relatively large and has small on-off ratio compared with results derived from the calculation methods of Luo et al.     

本原李超代数和李超代数的主因子

本文首先引入了本原李超代数,研究了三种类型本原李超代数及其相关的结构性质.接着引入了李超代数主因子,利用第三种类型的本原李超代数性质给出了李超代数的主因子之间存在的L-连接关系.最后,介绍了李超代数的CAP-子代数,证明了若李超代数L的所有极大阶化子代数都是CAP-子代数,那么L是可解的.     

超分子均苯四甲酸/对羟基吡啶水凝胶中纤维状聚集体结构与性能的关系

采用1H-NMR和FT-IR表征了在摩尔比1∶4条件下,由均苯四甲酸和对羟基吡啶合成的一种凝胶因子(G2).通过在室温下冷却G2的水溶液,形成了超分子水凝胶.采用扫描电子显微镜(SEM)、示差扫描量热仪(DSC)和流变仪等多种技术研究了冷却速率对凝胶的组装纤维结构及宏观性能的影响.随着冷却速度的降低,纤维尺寸变大而凝胶的稳定性降低.因此,可以通过环境因素来控制凝胶的性能.采用流变仪分析表明凝胶具有高的机械强度.DSC分析结果表明随着凝胶因子浓度的增加,凝胶中可冻结水的含量降低.相对于在摩尔比1∶2条件下,由均苯四甲酸和对羟基吡啶合成的凝胶因子G1,在相同浓度下,G2在更高的最低凝胶因子浓度(MGC)使水凝胶,并且得到的凝胶具有更低的凝胶-溶胶破坏温度(Tgel).利用环境扫描电镜(ESEM)直接观测了实际含水状态下凝胶的形貌,结果表明采用常规SEM观测到的纤维状网络与ESEM的结果一致,这说明在干燥过程中形貌并未发生太大变化.组装体结构和性能关系有助于认识凝胶形成机理并使凝胶满足不同的应用.     

端羧基芳脂型超支化聚酯自组装性能的研究

利用聚电解质逐层浸渍 ( layer- by- layer dipping)法制备自组装膜是最近发展起来的进行表面改性的新方法[1～ 3] .一方面 ,从理论上来说 ,只要是带电荷的聚合物都可以利用该技术制备具有优异性能的自组装膜 ;另一方面 ,还可以通过调节溶液的 p H值和离子强度等控制阴阳离子的组装过程 ,从而控制自组装膜的内部结构和表面形态 ,为在纳米级范围内设计和控制聚合物聚集态内部结构提供了可能性 .近年来 ,具有高度支化结构的超支化分子由于具有独特的物理和化学性能而受到了广泛的关注 [4 ,5] ,但以聚电解质逐层浸渍法制备超支化分子自组装膜…     

室温固化疏水性聚合物涂层研究

结霜问题广泛存在于制冷和低温领域并降低制冷系统的运行效率及运行稳定 .为防止在材料表面附着小水滴并结霜 ,通常的表面改性方法有 :(1 )涂敷亲水性聚合物[1] ,通过提高表面的亲水性来使水滴铺张 ,但附着的水滴易使表面膨胀、强度降低并破坏与基材的粘结力 ;(2 )涂敷疏水性聚合物 ,它们一般含有大量低表面能的硅、氟等原子基团 ,通过提高表面的疏水性来提高表面对水滴的接触角 ,并使水滴滑落 ,但通常认为涂层对基材的粘接力低且强度及耐久性差[2 ] .氟树脂涂料具有优良的耐候性、耐腐蚀性、耐沾污性、耐热性、耐化学品性、斥水斥油性、绝…     

一种具有二维状组装体结构的氢键结合超分子水凝胶的制备

近年来,基于低分子量有机凝胶因子(low molecular mass organic gelators)[1]形成的超分子水凝胶得到了广泛关注.     

端丙烯酸酯基超支化聚(酯-胺)的结构分析及光固化

近年来 ,具有树枝状结构的超支化聚合物因其独特的物理化学性质而得到广泛关注[1,2 ] .超支化聚合物主要采用 3种途径合成 ,( 1 )ABn(n >2 )型及潜ABn 型单体的聚合 ;( 2 )由A2 与Bn 型单体直接聚合 ;( 3)先由特定的单体对原位形成ABn型中间体后再聚合 .其中后两种方法可直接采用商业化原料 ,因此更具有实用价值 .目前 ,基于途径 ( 2 )已合成出超支化聚酰胺[3 ] 、聚醚[4] 、聚酰亚胺[5] 和共轭聚合物[6] 等 ,但该途径容易生成凝胶化产物 ,通过控制反应物浓度、在凝胶点之前停止反应等 ,可得到溶解型超支化产物 .由于超支化聚合物具有低…     

SYNTHESIS, CROSSLINKING MECHANISM AND PROPERTIES OF A POLYACRYLATE/POLYURETHANE COMPOSITE COATING

A polyacrylate/polyurethane (P(A) / P(U)) composite coating has been prepared bycrosslinking an acetoacetylated polyacrylate with a vinylic group terminated polyurethaneat room temperature. A model Michael reaction between ethyl acetoacetate (EAA) andmethyl acrylate (MA) was designed to study the crosslinking mechanism. It was foundthat the two active hydrogen atoms in acetoacetyl group can both add to vinylic groupsand the yield of mono- and bis-adducts are much affected by the molar ratio of acetoacetylto vinylic groups. Higher crosslinking degree and better properties could be obtained withdecreasing the molar ratio of the two active groups from 1/1 to 0.6/1 in the compositecoatings.     

羧基丙烯酸酯涂料合成及其防雾性能研究

采用种子乳液聚合法合成了一种互穿网络型羧基丙烯酸酯类聚物乳液，研究了加料方式对羧基分布的影响，结果表明丙烯酸加入到核单体中有利于羧基分布在乳胶粒表面。在体系中引入离子键交联结构提高了乳液涂料的硬度和耐水性能，离子键交联ＰＩＬＮ型涂料具有优良的防雾性能。     

Band Alignment for Ambipolar-Doping of Sn_xZn_(1-x) Te Alloys

Using the first-principles band-structure method and a special quasirandom structure(SQS) approach,we have systematically calculated the alloy bowing coefficients and the nature band offsets of SnxZn1-x Te alloys.We show that the bowing coefficients and band gaps of these alloys are sensitively composition dependent.Due to wave functions full overlapping and delocalization of the Sn outermost p orbits and Zn s orbits,the coupling between these states is very strong,resulting in a significant downshift of conduction band edge with the increase of the Sn concentration x,While the valence band edge keeps almost unchanged compared with that of the binary ZnTe,thus improving the possibility for ambipolar-doping.