UV/H2O2氧化降解甲基叔丁基醚(MTBE)的试验研究

采用UV／H2O2技术对污染水体中的MTBE进行了氧化降解试验，考察了不同MTBE初始浓度，不同H2O2浓度，不同pH值，不同波长的紫外光对降解效果的影响，以及不同Cl^-、HCO3^-浓度的抑制作用．结果表明，在室温条件下，当紫外光波长为254nm，H2O2为15mmol／L，pH为3．0时对起始浓度为1mmol／L的MTBE具有较好的降解效果；反应60min，MTBE去除率可达97．6％．实验证明，UV／H2O2氧化技术是降解MTBE的一种有效方法．     

HL—1装置SiC涂层辐照实验的表面分析

本文应用表面分析技术研究HL-1装置中SiC涂层的等离子体辐照性能。结果表明,SiC材料应用于孔栏和壁涂层有利于减少杂质和提高等离子体品质。     

激光等离子实验中的低能X射线时间谱解谱方法

利用快速Fourier变换(FFT)算法和反卷积原理对Dante谱议测量波形进行了回推获得了激光等离子体源区低能X射线辐射时间波形。解谱方法采用了W.N.Mcelroy等人提出的SANDⅡ解谱方法并与文献[6]中介绍的限幅迭代和周期性光滑技术相配合计算出了能谱时间关系的16分区结果,给出了1989年6月LF-12强激光装置实验的双束靶、漏靶诊断口,入射口的X射线时间谱以及辐射温度时间关系T_R(i)。     

银溶胶吸附的维酶素的表面增强共振拉曼散射

获得了银溶胶吸附的维酶素的表面增强共振拉曼散射光谱(SERRS)。维酶素的水溶液加到银胶中形成银胶—维酶素络合物,可使吸收谱带在440—650nm范围出现。维酶素的组分与银溶胶发生了竞争结合,而维酶素的FAD在竞争中占优势,故吸附在银溶胶表面的维酶素的SERRS实际上是FAD的异咯嗪和腺嘌呤二核苷酸的振动光谱。在维酶素中FAD作为辅基与蛋白质相连,它与蛋白质相互作用使其拉曼谱线发生3—8cm~(-1)位移。因此SERRS技术对带发色团的蛋白质结构的研究很有用处。     

准时生产制（JIT）排序问题的发展和动态

本文综述十几年来国内外在准时生产制排序领域中取得的研究成果，提出这一领域有特继续研究的一些问题。     

一种基于序贯估计的直达声区水面舰船被动测距方法

该文利用基于射线的盲解卷积方法,从直达声区的水面舰船噪声中提取出船和锚系于海底的垂直接收阵之间的时域信道响应,并利用直达波在不同阵元相对于参考阵元的到达时间差,通过序贯方法,利用射线模型和声速剖面信息,对水面舰船距接收阵的距离进行了估计。通过处理海深约为580 m的2016年美国圣巴巴拉海峡的实验数据,对1.6～3.5 km直达声区范围内Anna Maersk商船与垂直阵之间的距离进行了估计,验证了测距方法的有效性,并将结果与系统测量值和几何方法的估计值进行了比较。由于该方法不需要对海底参数进行估计,所以在海底参数未知时要优于传统匹配场方法;在声速剖面存在跃层且海底为多层分布的复杂信道条件下,该方法仍能对距离进行有效估计,且与测量值的相对误差在6%以内,小于几何方法的估计误差,测距结果精度较高。     

简易气体电离导电实验

导电机致可以是气体离子.本实验只要自制一只高灵敏度的验电器就可清晰地显示气体的电离导电现象,还可检验放射线和放射性元素的存在. 仪器结构如图所示.高约20厘米的大号锥形烧瓶一只;大橡皮塞一只,并打好两个孔;金属圆板一对;铜片一块,面积约为0.8×8cm~2;金箔或铝箔一张,面积约为0.5     

激光等离子体受激布里渊散射光谱的周期性结构——前向散射的间接证据

在高强度钕玻璃激光辐照平面靶的实验中,观察到了呈现周期性尖峰结构的受激布里渊后向散射光谱,分析表明这种周期性结构是由受激布里渊前向散射与后向散射或其它方向散射之间的“声光相互作用”引起的。根据后向散射的频移和周期可以估计冕区等离子体的温度或漂移速度,以及发生前向散射的方向。 关键词：     

基于MTCA的HLS-Ⅱ直线加速器低电平系统改造

合肥光源(HLS-Ⅱ)在重大维修改造之后,其光源性能有了很大的提升。为了进一步实现连续、平稳地供光,需要对其进行恒流改造。恒流运行要求直线加速器的微波功率源有长期的稳定性与可靠性,旧的模拟低电平控制系统满足不了要求。本文基于微型电信计算平台(MTCA)设计实现了数字低电平控制系统,控制微波功率源的幅度和相位,它由以FPGA为核心的数字板卡、射频板卡、 MTCA机箱以及频率合成系统组成。该数字低电平系统工作在2 856 MHz的S波段,在线运行幅度稳定度达到0.04%,相位稳定度达到0.2°,满足恒流改造对直线加速器数字低电平系统0.25°相位抖动RMS值的相位精度要求。     

In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.