In0.3Co4Sb12-xSex 方钴矿热电材料的制备和热电性能

用熔融退火结合放电等离子烧结法制备了In_0.3Co₄Sb_12-xSe_x(x=0—0.3)方钴矿热电材料,探讨了In的存在形式,系统研究了Se掺杂量对结构和热电性能的影响.结果表明:In可以填充到方钴矿二十面体空洞处,过量In在晶界处形成InSb第二相,Se对Sb的置换使晶格常数减小,In填充上限降低;In_0.3Co₄Sb_12-xSe_x样品呈n型传导,随着Se掺杂量的增大,载流子浓度降低,电导率下降,Seebeck系数增大,功率因子有所降低;由于在结构中引入了质量波动及晶格畸变,适量的Se掺杂可以大幅降低材料晶格热导率;样品In_0.3Co₄Sb₁₂和In_0.3Co₄Sb_11.95Se_0.05的最大ZT值均达到1.0以上. 关键词： 掺杂 填充式方钴矿 热电性能     

乒乓球的“反常”运动

我们知道,由于惯性,物体运动状态发生变化时,看起来好像呈"相反"的运动状态;比如刹车时乘客向前倾倒,车启动时乘客向后倾倒.在教学中还有这样一个惯性"反常"的问题引起了学生的兴趣:在一个密闭、充满水的长方体容器的顶部和底部分别系一个铁球和一个乒乓球,如图1(a)所示.刚开     

H_2及H~ 对C_xH_(1-x)薄膜表面状态的影响

系统研究了 H2 流量和 H 原位处理 Cx H1-x薄膜的时间对 Cx H1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响 ,表明 Cx H1-x薄膜的长时间 H 原位处理是减小 Cx H1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径。     

对浙大《概率论与数理统计》教材谈几点看法

<正> 近几年来,概率论与数理统计课在各工科院校相继开出。希望有一本或数本合用的教材成了普遍关心的问题。据笔者多次教这门课的体会,觉得浙江大学数学系高等数学教研组编写的这本《概率论与数理统计》(以下简称浙书)是比较好的一本。它选材精练,布局合     

超导电性制冷唯象理论

本文以超导热力学唯象为基础，讨论了有退磁效应和远退磁效应的两种Ｉ类超导体样品在外场从０增加到临界场ＨＣ（Ｔ）过程中所产生的制冷效应，我们发现：对于有退磁效应的样品，其制冷效应发生在中间态区；而从Ｍｅｉｓｓｎｅｒ态到中间态和从中间态到正常态的相变过程是二级相为，所以无制冷效应，这可能是超导体制冷实验研究的核心问题。     

一种菁染料—聚合物薄膜的光存存储性能

用旋涂法制备了一种菁染料－聚合物薄膜，并研究了该染料－聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能，该染料薄膜在６６０～８３０ｎｍ波段有较强的吸收和２０％以上的反射率，在最佳实验条件下，获得了５８ｄＢ的信噪比，信噪比（ＣＮＲ）载波信号强度（Ｃ）和薄膜反射率变化（△Ｒ）的对数（ｌｇ△Ｒ）在正比。     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

Co:BaTiO3纳米复合薄膜的制备及其结构

用脉冲激光沉积技术(PLD)在MgO(100)基底上生长了嵌埋Co纳米晶的BaTiO3复合薄膜. 分别利用x射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及拉曼光谱(Raman)对薄膜的微观结构、表面 形貌进行了表征. 结果表明该薄膜为c轴取向的四方晶体结构，薄膜表面均匀、致密、 具有原子尺度的光滑性，其均方根表面粗糙度(RMS)达到015nmCo以纳米晶形式嵌埋BaTi O3基体中，呈单分散性均匀分布，其粒径随激光脉冲数的增加而增大. Co：BaTiO3纳米 复合薄膜拉曼峰的强度随钴纳米晶粒径的增加明显减弱，但是峰的宽度逐渐增加. 关键词： Co：BaTiO3 纳米复合薄膜 脉冲激光沉积     

具有时滞的不确定离散时间系统时滞相关鲁棒镇定(英文)

基于状态观测器的设计,研究了不确定多时滞离散系统的鲁棒镇定问题,基于比较原理和不等式方法,给出了一个时滞相关鲁棒镇定条件。