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71.
针对搭载于水下无人航行器(UUV)的四面体磁梯度张量系统易受载体磁场干扰的问题,提出了一种载体磁干扰补偿方法.该方法在载体磁干扰产生机理的基础上,利用磁梯度张量差分测量算法融合四面体磁梯度张量系统中四个矢量磁力仪的载体磁干扰,建立了磁梯度张量系统载体磁干扰数学模型;然后在此数学模型的基础上提出了磁干扰补偿方法,并根据磁梯度张量9分量的数学关系提出了补偿参数辨识方法;最后通过仿真实验对方法进行了验证,结果表明该补偿方法可以有效补偿磁梯度张量系统95.9%的载体磁干扰.该方法利用补偿参数对磁梯度张量系统的输出值直接进行磁干扰补偿,从理论上解决了磁梯度张量系统中各个矢量磁力仪载体磁干扰的统一补偿问题. 相似文献
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Influence of lateral size on dielectric properties of ferroelectric thin films with structure transition zones
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By taking into account structural transition zones near the lateral
and thickness direction edges, this paper uses a modified transverse
Ising model to study dielectric properties of a finite size
ferroelectric thin film in the framework of the mean-field
approximation. The results indicate that the influence of the
lateral size on the dielectric susceptibility cannot be neglected
and lateral structural transition zones could be a crucial factor
that improves the mean susceptibility of the fixed size film. 相似文献
78.
油酸/PS/TiO_2复合纳米微球对液体石蜡抗磨性能的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用种子乳液聚合法制备了油酸 / PS/ Ti O2 复合纳米微球 ,在四球摩擦磨损试验机上考察了油酸 / PS/ Ti O2 复合纳米微球添加剂对液体石蜡抗磨性能的影响 ,采用 X射线光电子能谱分析了钢球磨斑表面边界膜元素的组成及化学状态 .结果表明 ,油酸 / PS/ Ti O2 复合微球作为润滑油添加剂具有良好的抗磨性能 ,能显著提高基础油的失效载荷 .表面分析结果表明 ,复合纳米微球的抗磨作用取决于其摩擦化学反应所生成的含有 Ti O2 及部分添加剂分解产物的复合膜 . 相似文献
79.
从标量波动方程出发,采用傅里叶变换的方法,导出了行波电光相位调制器的时间域输出响应的计算公式。以高斯脉冲调制信号为例,定量计算并讨论了速度不匹配和微波衰减对输出相位调制信号的脉冲形状,峰值,半值宽的影响,所得到的结果,对行波电光调制器的实验研究有很好的参考价值,所给出的公式和方法适用于行波电光调制器的时间域定量分析。 相似文献
80.
As the fourth passive circuit component, a memristor is a nonlinear resistor that can "remember" the amount of charge passing through it. The characteristic of "remembering" the charge and non-volatility makes memristors great potential candidates in many fields. Nowadays, only a few groups have the ability to fabricate memristors, and most researchers study them by theoretic analysis and simulation. In this paper, we first analyse the theoretical base and characteristics of memristors, then use a simulation program with integrated circuit emphasis as our tool to simulate the theoretical model of memristors and change the parameters in the model to see the influence of each parameter on the characteristics. Our work supplies researchers engaged in memristor-based circuits with advice on how to choose the proper parameters. 相似文献