表面修饰磷钼酸铵纳米微粒的合成及摩擦学行为研究

在醇-水体系中采用同阴离子共沉淀法合成了季铵盐修饰的(NH4)3PMo12O40纳米微粒,以TEM、 XRD、 FTIR、 TGA、 DSC等多种分析手段表征了这种纳米微粒的形貌和结构,在四球试验机上考察了它们的摩擦学性能.结果表明所合成的杂多化合物具有Keggin骨架结构,微粒粒径约20 nm,在有机溶剂中可良好分散,作为一类新型润滑油添加剂,具有良好的抗磨性能.     

PS/TiO2复合纳米微球的制备和结构表征

无机纳米微粒具有特殊的物理化学性能 ,近年来在摩擦学领域中受到越来越多的重视 .由于无机纳米微粒难以分散于润滑基础油中 ,故其作为润滑材料主要用作聚合物填料和润滑脂添加剂 .为了改善其在基础油中的分散性 ,需要对无机纳米微粒进行表面改性 ,制备成有机无机复合纳米微粒 ,从而使它们能够用作润滑油添加剂 .目前有机小分子表面修饰无机纳米微粒的摩擦学性能已有报导 [1－ 3],但是聚合物修饰无机纳米微粒的研究较少 ,并且大多是采用高分子（如 PVK,PVA等）直接包埋的方法 ,用这种方法制得的微粒 ,粒径差别较大,性能不太稳定 .　　本…     

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程，建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下，模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响，说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致. 关键词： 横向外延 生长模型 扩散 生长速率     

First-Principles Calculations of Electronic Structures of New Ⅲ-Ⅴ Semiconductors： BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs alloys

We investigate the electronic structures of new semiconductor alloys BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs, employing first-principles calculations within the density-functional theory and the generalized gradient approximation. The calculation results indicate that alloying a small TI content with GaAs will produce larger modifications of the band structures compared to B. A careful investigation of the internal lattice structure relaxation shows that significant bond-length relaxations takes place in both the alloys, and it turns out that difference between the band-gap bowing behaviours for B and TI stems from the different impact of atomic relaxation on the electronic structure. The relaxed structure yields electronic-structure results, which are in good agreement with the experimental data. Finally, a comparison of formation enthalpies indicates that the production Tlx Ga1-xAs with TI concentration of at least 8% is possible.     

甲烷氧化偶联纳米SrTiO3催化剂的原位ESR和TPSR表征

采用溶胶-凝胶法制备了纳米钙钛矿型复合氧化物SrTiO3催化剂,并用X射线粉末衍射、透射电子显微镜、原位电子自旋共振和程序升温表面反应等技术对催化剂进行了表征,测定了催化剂对甲烷氧化偶联(OCM)反应的催化性能.结果表明,与相同组成的常规SrTiO3催化剂相比,纳米SrTiO3催化剂具有较好的低温(～650℃)催化性能.通过增大Sr/Ti比可进一步优化纳米SrTiO3的催化性能.纳米SrTiO3催化剂表面的吸附氧物种和F中心均具有活化及催化甲烷分子生成C2烃产物的活性,但吸附氧物种易使OCM反应中间体和产物深度氧化,而F中心具有低温活化甲烷分子及高选择性生成C2烃产物的特性.纳米氧化物粒子因表面原子配位不饱和(配位数低),其表面存在较多的F中心。     

3-仲氨基氧杂环丁烷-3-腈衍生物的合成

以仲胺、氧杂环丁-3-酮和三甲基氰硅烷为原料,无水甲醇为溶剂,无需催化剂,一步反应合成目标化合物3-仲氨基氧杂环丁烷-3-腈衍生物(1a～1d),产物结构经¹H NMR、¹³C NMR和ESI-MS表征。并以异吲哚啉、氧杂环丁-3-酮和三甲基氰硅烷的反应为模型反应,考察影响产物1a收率的主要因素,优化反应条件为:物料摩尔比为n(异吲哚啉)∶n(氧杂环丁-3-酮)∶n(三甲基氰硅烷)=2.0∶1∶2.5;反应溶剂为无水甲醇,在65℃反应6h,在此反应条件下,化合物1a收率78.3%。化合物1a与苯基溴化镁在四氢呋喃中室温反应5h,可得到2-(3-苯基氧杂环丁烷-3-基)异吲哚啉(4)和[3-(异吲哚啉-2-基)氧杂环丁烷-3-基](苯基)甲酮(5),收率分别为40.1%和31.5%。     

ΛN张量相互作用的首次观测

在用HYPERBALL进行的16ΛO的γ射线谱学测量中, 观察到由16ΛO的6.6 MeV 1－2 激发态跃迁到基态自旋翻转二重态( 1－1和0-)之间的两条γ射线. 由这两条γ射线的能量差得到基态二重态之间的能量间隔为26.4 ± 1.6(stat) ± 0.5(syst) keV, 并由此推导出ΛN之间的张量相互作用强度T=0.03MeV.实验还测定了16ΛO的激发态的激发能为6561.7 ± 1.1(stat) ± 1.7(syst) keV.     

二氧化钛纳米微粒膜光电化学行为的研究

利用不同的制备方法制备出二氧化钛纳米微粒膜，对二氧化钛纳米微粒膜的光电化学材为和产生的机理进行了研究．结果表明；二氧化钛纳米微粒膜除了具有传统半导体的光电化学性质外，还具有不同于传统半导体的光电化学性质这主要是出膜的微粒性引起的，可综合传统半导体和胶粒半导体两种模型来加以解释。     

聚苯乙烯/Ag核壳结构纳米微粒的制备及表征

用种子乳液聚合法合成了聚苯乙烯（PS）/Ag复合纳米粒子,进一步利用分步聚合技术实现了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)在微球表面功能化,分别用TEM、XRD、TG-DTA及FT-IR对其结构和形貌进行了表征,并考察了其摩擦学性能.结果表明,在所选择的实验条件下,合成了以Ag纳米微粒为核,PS、PMMA为壳层的核壳结构复合纳米微球,其中Ag纳米核平均粒径约12 nm,复合微球粒径约25 nm,颗粒较均匀并且在有机溶剂中有良好的分散性,作为润滑油添加剂,具有良好的抗磨性能.     

钕掺杂对（Ba0.6Sr0．4）TiO3／MgO陶瓷结构和性能的影响

采用X射线衍射、扫描电镜及介电性能测试,研究了Nd掺杂对42%(Ba0.6Sr0.4)TiO3/58%MgO(质量分数)复相陶瓷微结构和低频介电性能的影响.结果表明,添加O%～0.6%Nd203的材料均由(Ba,Sr)TiO3和Mgo两相组成,不含其他物相.随着Nd2O3掺杂量的增加,材料的晶粒尺寸变大,晶粒结合更加紧密.适量的Nd2O3掺杂可以获得适中的介电常数和较高的介电可调度,并使材料的介电损耗显著改善.0.4%(质量分数)的Nd2O3掺杂使材料的居里温度从-24.6℃迅速降低至-79.2℃,并改善了材料的温度稳定性.这时材料具有很好的介电性能,室温下(约25℃),100 kHz时介电常数为103.0,介电损耗为0.0005,2V·μm-1偏置电场下样品的介电可调度为9.15%(10 kHz),能够满足移相器的应用要求.