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172.
173.
We propose a scheme for carpet anti-cloak based on the transformation optics. An anti-cloak layer is designed, which can make the external electromagnetic waves break the carpet cloak shielding. The external electromagnetic waves can be detected under the carpet cloak, while not affecting the role of carpet cloak of stealth. The Jacobian transformation tensor is calculated by numerically solving the Laplace equations with proper boundary condition. Thus, it is possible to design tile anti-cloak layer of irregular shape. The simulation results demonstrate the feasibilities and flexibilities of the structure. Design details and full-wave simulation results are provided. 相似文献
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己二酸生产过程中产生大量的混和二元酸副产物,其中戊二酸含量最高.在分离混合二元酸纯化戊二酸的工艺中,酯化分离水解法是其中一种常用的工艺方法.水解反应体系中,除了主产物戊二酸之外,还有戊二酸单甲酯和戊二酸二甲酯两种主要杂质,通过高效液相色谱法,建立了一种便捷快速,可以同时准确定量戊二酸、戊二酸单甲酯和戊二酸二甲酯含量的分析方法,采用Sun Fire C_(18)色谱柱(5μm,4.6 mm×150 mm)和乙腈/水/三氟醋酸(体积比为60:40:1)流动相,在柱温40℃和流速0.5 m L/min的条件下,实现了3种物质之间的基线分离.戊二酸、戊二酸单甲酯和戊二酸二甲酯的线性范围分别为6~3 000 mg/L(r=0.998 0)、3~1 500 mg/L(r=0.999 1)及3~1 500 mg/L(r=0.999 4),加标回收率(n=5)分别为105.79%(RSD=1.63%)、96.21%(RSD=7.28%)、93.10%(RSD=11.22%).方法实现了同时测定戊二酸、戊二酸单甲酯和戊二酸二甲酯,为酯化分离水解工艺提供准确可靠的数据支持. 相似文献
175.
176.
177.
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构随Ge含量的演变.研究表明:提高Ge含量可以增强μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜的吸收系数.将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度(J_(sc)).特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下,长波响应的提高会更为显著.应用ZnO衬底后,在Ge含量分别为9%和27%时,μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池的转换效率均超过了7%.最后,将μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中,发现μc-Si_(0.73)Ge_(0.27):H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm厚微晶硅(μc-Si:H)底电池更高的长波响应.以上结果体现μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池作为高效近红外光吸收层,在硅基薄膜太阳电池中应用的前景. 相似文献
178.
4-吡啶甲醛缩氨基硫脲(HL)与醋酸锌反应得到了标题配位聚合物[Zn(HL)(CH3 COO)2 ·H2 O]n (1). 采用元素分析、红外光谱、紫外光谱和单晶X射线衍射测试技术对其结构进行了表征. 单晶X射线衍射分析表明,在标题配位聚合物1中,Zn 2 离子与1个配体HL中的吡啶环上的氮原子,另外1个配体HL中的硫原子以及2个醋酸根上的氧原子配位,构成了锌离子的畸变四面体构型;每个HL分别以吡啶环上的氮原子和硫原子以头对尾的方式与2个锌离子配位,从而将锌离子依次桥联,形成了类螺旋形链结构,链间通过氢键和π-π相互作用形成三维网络结构. HL潜在的NNS三齿配位点中亚胺N没有配位,吡啶N和S采取头对尾的NS配位模式是比较新颖的. 相似文献
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Online The decay rate variation of r Be implanted into platinum and aluminum host materials has been measured via detecting the 478 keV γ-rays from the first excited state of r Li populated in the electron capture decay of7r Be. The result (λpt - λA1)λ0 = (-0.17 ± 0.13)% is obtained. It is smaller than the theoretical estimate from the TB-LMTO calculation (0.38%). This is quite different from our previous study which showed a 1arger decay rate variation ((0.8 ± 0.2)%) than the TB-LMTO calculation (0.30%) of 7 Be in palladium and gold. It is suggested that the effective quasi-free electron density near the implanted ions in different metal host materials may play an important role in r Be EC decay rate variation in addition to the electronic affinity and crystal structure of different host materials. 相似文献
180.