M元码元移位键控扩频水声通信

针对传统直接序列扩频、M元扩频和码元移位键控扩频水声通信速率低的问题,基于小Kasami序列优良的自相关和互相关特性,提出了M元扩频和码元移位键控扩频两者相结合的水声扩频通信新方法.不仅利用了不同的序列信息,还利用了相同序列的扩频码相位信息.对于自相关和互相关函数在加性高斯白噪声和衰落信道下对M元码元移位键控扩频这种水声通信方法的影响进行了分析,并分别在两种信道下对其性能进行仿真,仿真结果表明在同等通信速率下M元码元移位键控扩频的抗噪声能力要高于直接序列扩频、M元扩频和码元移位键控扩频.在水池对M元扩频、码元移位键控扩频和M元码元移位键控这三种情况进行了比较性实验.在10~4比特的数据量下,实现了253.6 bps通信速率的M元码元移位键控无误码传输.     

深度复卷积递归网络模型的师生学习语声增强方法

基于深度神经网络的方法已经在语声增强领域得到了广泛的应用,然而若想取得理想的性能,一般需要规模较大且复杂度较高的模型。因此,在计算资源有限的设备或对延时要求高的环境下容易出现部署困难的问题。为了解决此问题,提出了一种基于深度复卷积递归网络的师生学习语声增强方法。在师生深度复卷积递归网络模型结构中间的复长短时记忆递归模块提取实部和虚部特征流,并分别计算帧级师生距离损失以进行知识转移。同时使用多分辨率频谱损失以进一步提升低复杂度学生模型的性能。实验在公开数据集Voice Bank Demand和DNS Challenge上进行,结果显示所提方法相对于基线学生模型在各项指标上均有明显提升。     

电场热处理条件下TiO2薄膜的晶化行为研究

利用溶胶-凝胶法和电场热处理工艺在玻璃表面制备出一层TiO₂薄膜，采用DTA ，Raman光 谱，XRD和AFM等测试手段分析了TiO₂薄膜在电场热处理过程中的晶化行为.然后 在理论上 分析了外电场对TiO₂薄膜热处理过程的影响，提出了通过引入外电场促进TiO2薄膜从无 定形到锐钛矿的相转变的方法.通过甲基橙水溶液的光催化降解实验表明：在520℃电场热处 理条件下的TiO₂薄膜的光催化效率高于未引入电场热处理的TiO₂薄 膜. 关键词： 薄膜 晶化 电场 2')" href="#">TiO₂     

一则高考模拟题的思路探析

<正>题目呈现(2023年11月日照市高三期中考试22题节选)已知函数f(x)=xe^a-x(x∈R).(2)若方程e²f(x+2)-x+2=0的两根互为相反数．(1)求实数a的值;     

二进制偏移载波调制的零相关窗水声同步技术研究

针对线性调频信号同步相关的旁瓣、m序列扩频同步的序列自噪声和二进制相移键控调制信号在主瓣周围一个码片范围内存在较强烈的旁瓣三个问题,提出了一种基于二进制偏移载波(BOC)调制信号的无干扰窗水声同步方式.利用互补序列的非周期自相关函数之和为零的特殊性质,实现了在主瓣周围一个码片范围外,零相关窗范围内的无干扰窗.使用BOC(1,1)方式对信号进行亚载波调制,以减少主瓣周围一个码片范围内的旁瓣.对单通道信号和双通道信号的零相关窗形式都进行了设计,通过仿真和实验验证了BOC零相关窗方法在水声系统的同步、信道测量和估计中的有效性.     

基于基追踪去噪的水声正交频分复用稀疏信道估计

针对传统的l₂-范数信道估计精度低的问题, 提出了一种基于基追踪去噪(BPDN)的水声正交频分复用稀疏信道估计方法, 该方法针对水声信道的稀疏特性, 利用少量的观测值即可以很高的精度估计出信道冲激响应. 与贪婪追踪类算法相比, 基于BPDN算法的稀疏信号估计具有全局最优解, 采用l₂-l₁范数准则估计信号, 同时考虑了观测值含噪情况, 通过调整正则化参数控制估计信号稀疏度和残余误差之间的平衡. 仿真分析了导频分布、正则化参数等对BPDN 算法的影响以及BPDN算法与最小平方(LS)、正交匹配追踪(OMP)信道估计算法的性能. 湖试结果表明, 在稀疏信道下, 基于BPDN的信道估计方法明显优于LS和OMP信道估计方法.     

蒸汽相法硼硅MFI沸石的合成与表征

在三乙胺（Ｅｔ３Ｎ）－乙二胺（ＥＤＡ）－Ｈ２Ｏ蒸汽相中，无定形凝胶Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ２－ＳｉＯ２－Ｈ２Ｏ晶化生成硼硅ＭＦＩ（ＺＳＭ—５）沸石．研究了硼硅ＭＦＩ沸石的适宜晶化条件，以及氯化钠、碳酸钠和磷酸钠取代氢氧化钠作为钠源的影响．晶体结构参数、１１ＢＮＭＲ、ＦＴ－ＩＲ的结果表明，由蒸汽相法合成的硼硅ＭＦＩ沸石，其硼原子进入了沸石骨架．     

人工裁剪制备石墨纳米结构

采用不同的方法裁剪高定向热解石墨（HOPG），制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束（镓离子）刻蚀高定向热解石墨，可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用 电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，可以得到最小尺寸为50 nm的纳米石墨图型 (nano-size d graphite pattern,纳米尺寸的多层石墨结构).采用了三种不同的方案制备反应等离子刻 蚀过程中需要的掩膜，分别是PECVD生长的SiO₂掩膜，磁控溅射的方法生长的Si O₂掩膜和PMMA光刻胶掩膜，并将三种方案的刻蚀结果做了对比. 关键词： 高定向热解石墨 聚焦离子束刻蚀 电子束曝光 反应离子刻蚀     

Spatial characteristics of nanosecond pulsed micro-discharges in atmospheric pressure He/H2O mixture by optical emission spectroscopy

Atmospheric pressure micro-discharges in helium gas with a mixture of 0.5%water vapor between two pin electrodes are generated with nanosecond overvoltage pulses.The temporal and spatial characteristics of the discharges are investigated by means of time-resolved imaging and optical emission spectroscopy with respect to the discharge morphology,gas temperature,electron density,and excited species.The evolution of micro-discharges is captured by intensified CCD camera and electrical properties.The gas temperature is diagnosed by a two-temperature fit to the ro-vibrational OH(A²Σ⁺–X^П(2),0–0)emission band and is found to remain low at 425 K during the discharge pulses.The profile of electron density performed by the Stark broadening of Ha 656.1-nm and He I 667.8-nm lines is uniform across the discharge gap at the initial of discharge and reaches as high as 10²³m^-3.The excited species of He,OH,and H show different spatio-temporal behaviors from each other by the measurement of their emission intensities,which are discussed qualitatively in regard of their plasma kinetics.     

基于发射光谱的大气压脉冲调制氩表面波等离子体的特性

以微波表面波形式激励的大气压放电等离子体能够在远离发生器的区域产生高密度等离子体且无需波导约束电磁波传输,从而提高了实际应用中微波耦合等离子体的处理效率和可操作性。本文介绍了表面波等离子体源的装置结构及其放电机制。基于等离子体发射光谱,利用Hα谱线的斯塔克展宽法和谱线-连续谱比值法分别诊断了等离子体中电子密度和温度,研究了脉冲调制等离子体在放电过程中电子密度和温度随瞬时功率、调制频率和轴向位置的变化规律,以及氩原子谱线强度的时间演化,并讨论了对电子密度和温度的影响机制以及等离子体余辉过程中激发态氩原子的产生机制。结果表明,等离子体电子密度可达～1015 cm-3且与局域微波耦合能量密度呈正相关,而电子温度受外部条件的影响相对较小,激发态氩原子主要由类似沙哈平衡过程控制。