Bi2Sr2CaCu2Oy单晶调制结构的X射线衍射研究

用Ｘ射线转靶衍射仪，详细地观察和分析了Bi₂Sr₂CaCu₂O_y单晶的调制结构．指出布喇格反射的卫星峰是沿ｃ^*拉长的，与Ｂ心正交对称结构不相符的宽化峰正是由于这种拉长的结果，且导致卫星峰强度的不对称性．Ｂｉ-Ｏ层和钙钛矿层晶格失配形成的超晶格为非正交而是单斜的，并可能存在超晶格孪晶     

C60分子晶体中的类非晶散射研究

根据Ｘ射线衍射基本理论，计算了Ｃ₆₀分子晶体中的各种堆积方式下的Ｘ射线衍射花样，对Ｃ₆₀分子晶体中的类非晶散射产生的原因进行了探讨，指出在Ｃ₆₀分子晶体中，Ｃ₆₀分子有两种运动方式．非晶散射是Ｃ₆₀分子晶体固有结构特征所造成的 关键词：     

大尺寸LnBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的生长及其超导电性

本文报道大尺寸LnBa_2Cu_3O_(7-δ)(Ln=Y,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)单晶生长及其超导电性,并讨论了(001)自然晶面的X射线多级衍射、劳厄相、旋进相等单晶鉴定法。     

用自助熔剂法生长Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的特点

用Ｂｉ₂Ｏ₃作自助熔剂，对Ｂｉ-２２１２单晶的生长特点作了较为细致的实验研究．就助熔剂含量、热循环、坩锅的污染、熔体的非共熔性、各向异性生长速度以及Ｂｉ-２２０１相的共生等晶体生长中普遍存在的诸多问题进行了深入的探讨     

Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响

分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合. 关键词：     

非晶态多层膜和单层膜的低角X射线衍射研究

本文对a-Si:H/(a-SiN_x:H)非晶态周期多层膜和单层膜进行了低角X射线衍射研究。在周期数较少的多层膜衍射的布喇格衍射峰的低角侧发现了一系列次级衍射峰;在单层膜样品的低角衍射中也发现了一系列小峰。对此,我们提出了一个用于计算非晶多层膜和单层膜衍射强度的简单公式,使实验结果得到解释,并提出了一种测量膜厚的方法。 关键词：     

热阴极直流放电等离子体化学气相淀积金刚石膜过程中等离子体环境的研究 *

利用光发射谱和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相淀积(PCVD)金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断 ,根据探针和光谱诊断结果定量地计算了在放电电流密度变化过程中基态氢原子和基态CH基团数密度的变化 ,发现基态和激发态的原子氢和CH基团的数密度均因放电密度增加而提高 .电子密度、CH发射的相对强度均随放电电流密度的增加而线性增加 ,而不同的含碳活性粒子的产生与电子温度的升高有关 .将诊断结果与金刚石的生长相联系 ,表明激发态的原子氢的产生促进了金刚石的生长 ,等离子体环境中电子温度和密度的增加对金刚石生长速率提高起着重要的作用 .     

溶致性液晶高分子PBT的结构表征

聚苯撑苯并二噻唑(PBT)具有典型的溶致性液晶行为,聚合后期有液晶态搅拌乳光现象。偏光显微镜观察到具有向列型织态结构,溶液粘度随浓度变化,当进入液晶区时有明显的反常突变。对高分子链和凝聚态结构进行了X射线衍射研究,测定了晶胞参数、C轴等同周期和高分子链的取向度,并表明取向的PBT凝聚态是由刚性棒状的分子呈园柱体形态二维有序堆砌而成的。     

EFFECT OF THERMAL TREATMENTS ON THE SUPERCONDUCTIVITY OF UNDOPED AND WO3 DOPED Y-Ba-Cu-O SYSTEM

Undoped and WO₃-doped Y-Ba-Cu-O ceramics have been slowly cooled in flowing oxygen or quenched in air from 900℃ to room temperature, after sintering at 900℃ for 3Oh in flowing oxygen. The ac susceptibility measurements show that the T_c of the quenched WO₃-doped Y-Ba-Gu-O superconductor can reach 88K, while the undoped Y-Ba-Cu-O ceramic quenched in air is a non-superconductor. X-ray diffraction data show that WO₃ does not enter into the YBa₂Cu₃O_7-x lattice but forms all impurity phase. The WO₃-doped YBCO specimens quenched in air consist of orthorhombic YBa₂Cu₃O_7-x phase and an impurity phase which increases with increasing WO₃ content. Raman spectra chow that oxygen contents are different for undoped and WO₃-doped samples. It la suggested that suitable doping with WO₃ can change the oxygen content and reduce the effect of thermal treatments on the superconductivity of Y-Ba-Cu-O system.     

THE CRYSTALLIZATION OF Bi IN THE ANNEALED a-Ge/Bi BILAYER AND ITS EFFECT ON CONDUCTIVITY

In this paper, the crystallization behaviors and transport properties are investigated for a-Ge/Bi bilayers annealed at different temperatures. For 200nm/100nm bilayers, it is found that the orientations of Bi in the bilayers annealed at 200℃ and 340℃ are preferred, as well as the original one. But they are random when the bilayers are annealed at tem-peratures between 240℃ and 300℃. For 200nm/50nm bilayers, the orientation of Bi are always preferred. Corresponding to the orientations mentioned above, the minimum on the R(300K)-T_a curve appears only in the case of 200nm/100 nm bilayers.