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研究了金属离子对吸附在银胶表面的中位-四(4-N甲氧羰甲基吡啶)卟啉表面增强拉曼光谱的影响。结果表明,中位-四(4-N甲氧羰甲基吡啶)卟啉可发生金属离子取代反应。金属离子嵌入卟啉大环,吸附在银胶表面的中位-四(4-N甲氧羰甲基吡啶)卟啉转变为金属配合物。给出了各种金属配合物主要拉曼峰的经验式归属。金属离子的半径,d电子对卟啉环的排斥作用,金属卟啉骨架模式频率随孔穴大小,大环的平面性和π-π相互作用而相应变化的特性,都可用来解释不同金属离子配合物的结构灵敏特征峰为何存在着差异。 相似文献
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薄膜生长速率对有机光伏器件性能的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
采用真空热蒸发镀膜的方法制备了酞菁铜(CuPc)和富勒烯(C60)构成的平面异质结结构光伏器件,并初步研究了CuPc薄膜生长速率对器件光伏性能的影响,我们发现以较大薄膜生长速率制备的器件表现出较大的短路电流和能量转换效率。X射线衍射和原子力显微镜观察的结果表明生长速率较大的CuPc薄膜结晶相含量较少,薄膜结构较均匀、致密、平整,这可能使得CuPc薄膜激子扩散和载流子迁移特性得到提高,也可能改善其与C60受主薄膜和ITO阳极的接触,并有利于载流子的分离和收集,从而表现出较好的光伏特性。 相似文献
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基于密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),对氧钝化条件下4H-SiC纳米团簇的电子结构和光学性质进行了研究。计算了不同直径的4H-SiC纳米球氧钝化后的能带结构、电子态密度和光学性质。团簇的尺度在0.4~0.9 nm之间,构建表面仅存在硅氧双键和表面仅存在碳氧双键的两种模型。研究表明硅氧双键和碳氧双键所引起的缺陷态位于原4H-SiC的价带和导带之间,并且缺陷态与价带顶的能量差随纳米团簇颗粒直径的增大而减小;缺陷态主要是由Si原子外层电子和氧原子外层电子轨道杂化引起的。同时,由于氧的存在,对碳化硅的结构产生一定的影响,这也是缺陷态形成的一个原因。另外,碳氧双键和硅氧双键钝化对4H-SiC纳米团簇的光学性质有着不同的影响。在表面仅存在C=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向同性的性质。在表面仅存在Si=O的情况下,4H-SiC纳米团簇表现出各向异性的性质。 相似文献
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微波等离子体炬发射光谱法去溶系统性能的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
用微波等离子体矩(MPT)作激发光源,等离子体的工作气体为氩气,研究了气动雾化进样去溶系统的工作参数对分析性能的影响,探讨了水冷凝与浓硫酸吸收二者协同去溶的相关性,结果表明,OH (Q1带,带头谱线为308.520nm)的发射强度即可判别样品去溶效果。 相似文献
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以共沉淀法制备出Fe3O4纳米粒子,通过聚乙烯亚胺(PEI)修饰Fe3O4纳米粒子,再原位复合上Au纳米粒子,制得Fe3O4/PEI/Au纳米颗粒微球。再将Fe3O4/PEI/Au纳米颗粒与巯基乙酸修饰的量子点CdSe/CdS连接,成功制备了Fe3O4/PEI/Au@CdSe/CdS多功能复合微球。经过傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、荧光分光光度计、荧光显微镜、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及振动样品磁强计(VSM)的表征。结果表明:多功能复合微球的粒径在40 nm左右,具有超顺磁性,剩磁,矫顽力近似等于零,饱和磁化强度为28.83 A·m2·kg-1,同时兼有优越的荧光性能和金纳米粒子的特性。 相似文献
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以半透明Ag膜为阳极出光面,利用MoO3作为空穴注入层,在普通玻璃衬底上制备了底发射微腔OLEDs器件,其中微腔由接近全反射厚度为100nm的Al阴极和反射率约为50%左右厚度为22nm的半透明Ag阳极构成,由于采用了有效的空穴和电子注入层MoO3和LiF,以Alq3作为发光材料,器件的起亮电压为2.5V,在10V外加电压下正向亮度超过了15000cd/m2,最大电流效率接近6cd/A,大约是制备于ITO玻璃衬底阳极上的常规器件的两倍(3.2cd/A),并研究了光谱窄化以及随观测角度变化的微腔效应。 相似文献
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