飞秒激光脉冲序列互相关实验及结果分析

利用搭建的大臂长差相关仪,进行了飞秒激光脉冲序列间脉冲的互相关实验。实验结果表明：飞秒脉冲间互相关具有飞秒脉冲自相关的干涉相关图样。初步互相关实验和数据处理表明:利用飞秒脉冲固有的间隔和超短的脉冲宽度在μm量级上能精确标定大型光学谐振腔的长度;大臂长差飞秒脉冲相关技术,在未来加速器新光源装置中,可以用于稳定定时信号传输时间,更直接用于大型光学谐振腔的长度确定。     

二苯并噻吩和吲哚在NiMoS/γ-Al2O3上加氢脱硫和加氢脱氮反应的相互影响

在固定床高压微反装置上考察了预硫化型NiMoS/γ-Al2O3催化剂上二苯并噻吩（DBT）加氢脱硫（HDS）反应和吲哚加氢脱氮（HDN）反应之间的相互影响。结果表明,吲哚对DBT的加氢脱硫反应具有抑制作用,其中对加氢路径（HYD）比对氢解路径（DDS）的抑制作用强,温度升高后,吲哚的抑制作用减弱。吲哚对DBT加氢脱硫反应的抑制作用源于吲哚及其HDN反应的中间产物在活性位上的竞争吸附。DBT和原位生成的H2S促进了催化剂表面硫阴离子空穴（CUS）向B酸位的转化,从而提高1,2-二氢吲哚（HIN）分子中C(sp3)—N键的断裂能力,使得吲哚的转化率和产物中邻乙基苯胺（OEA）的相对含量增大。HDN活性相的形成虽然需要硫原子的参与,但是活性相的保持并不需要大量的硫原子,较高含量硫化物存在时加氢活性位减少,不利于脱氮反应。     

Structure,Electrical,and Optical Properties of Nb-doped BaTiO3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy

Structure,electrical,and optical properties of Nb-doped BaTiO3 (Nb:BTO) thin films on MgO substrates grownby laser molecular beam epitaxy with increasing Nb content were investigated.The Nb:BTO thin films with high crystallinity are epitaxially grown on MgO substrates.With more Nb-doped content,the impurity phases are found in Nb:BTO thin films.Hall measurement at room temperature confirms that the charge carriers of the Nb:BTO thin films are n-type.When the Nb-doped content increases,the carrier concentration and carrier mobility increase.Meanwhile the optical transmittance decreases with the increase of the Nb-doping,and the width of the forbidden band in each group is not affected by the presence of Nb in the samples.Raman spectra show that the structural phase transition may occur with the increase of the Nb-doping content,in the meantime more defects and impurities exist in the Nb:BTO thin films.     

塞曼效应校正光谱背景吸收技术

论述了塞曼效应校正光谱背景吸收技术的物理原理，讨论了仪器结构及工作原理、特点，以及磁场强度对校正背景效果的影响。     

基于物理学科核心素养的课堂渗透

遵循以问题为导向( P B L)的课堂教学设计思路进行“ 牛顿第三定律”的教学, 从知识层面、 认识层面和 育人层面进行一些实践性的探索和思考, 把物理学科核心素养的教育渗透进常规物理课堂     

自发有序Ga_(0－5)In_(0－5)P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用ΓＬ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的ΓＬ相互作用势分别为０１９，０１５和０１０ｅＶ．表明在自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金中存在着的沿［１１１］方向的有序是带隙能量降低的主要原因．在样品Ｃ中还观察到了明显的ΓＸ反交叉行为．拟合得到的ΓＸ相互作用势为００１１ｅＶ，比ΓＬ相互作用势小一个数量级．表明在此样品中除［１１１］有序外还存在弱的［００１］有序     

第八届全国半导体物理会议简讯

受中国物理学会的委托,由中国科学院半导体研究所,清华大学和北京大学负责承办的第八届全国半导体物理会议(NCPS-8)于1991年11月5至8日在北京清华大学召开.来自全国 51个单位的 209名代表出席了会议.黄昆、谢希德等著名物理学家也出席了会议. 会议共接受了235篇学术论文,其中大会报告六篇,其余报告,包括19篇邀请报告(分为表面和界面,量子阱和超晶格,低维系统,杂质和缺陷,本体性质,光学性质,输运现象,非晶半导体,新现象和新材料,半导体器件物理10个方面)同时在三个分会场进行.其中量子阱和超晶格,低维系统及异质结构方面的报告占一半以上. …     

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为0%，5%和10%，用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析，发现随着锗在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃，GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV     

棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的制备与发光性能

采用一种简单的液相反应法在室温下合成了棒状的LaF3∶Eu3+纳米晶, 对其结构和发光性能进行了表征. XRD分析结果表明, 室温下即可得到结晶良好的六方晶相的LaF3, 灼烧之后样品的衍射峰增强, 没有杂相产生. TEM照片表明, 棒状LaF3∶Eu3+纳米材料的直径为8 nm左右, 长度达到50 nm. 荧光光谱表明, 室温下合成的棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的最强发射峰位于589 nm, 对应于Eu3+的5D0-7F1跃迁发射, 说明Eu3+占据LaF3基质中La3+晶格点的C2对称格位上. 同时Eu3+的猝灭摩尔分数为5%, 荧光寿命随着灼烧温度的升高而延长.     

N-多氟烷基取代和葡萄糖基取代的1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱的合成及其杀虫活性

为改善三唑类化合物的生物活性, 以3-苯基-4-氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮为原料, 将其与芳香醛在冰醋酸体系中反应, 得到3-苯基-4-芳基亚甲氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱(4a～4i). 在此基础上, 化合物4a～4i分别与多氟烷基碘代烷和溴代乙酰基葡萄糖反应合成了一系列1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱的多氟烷基取代物5a～5r和葡萄糖基取代物6a～6d, 并用¹H NMR, ¹⁹F NMR, IR和MS谱以及元素分析表征了它们的结构. 初步生物活性测试结果表明, 部分目标化合物具有明显的杀虫活性.