GaP中N和NNi对等电子陷阱态的压力行为

 半导体中的局域电子态和半导体的能带结构密切相关，揭示局域电子态和能带结构之间的内在关系是当前半导体电子理论的重要方面。而压力光谱实验对研究这种相互关系提供了重要手段。本文对GaP中深、浅两组能级的不同压力行为作了系统的实验研究。实验观察到无论在室温还是在低温，压力小于3.3 GPa时，以N陷阱束缚激子的发光过程为主，大于3.3 GPa时则以自由激子零声子过程为主，并且所有与N有关的陷阱态都具有压力的非线性行为。根据有效质量随压力的变化提出能谷中不同能量态具有不同的压力关系。基于有效质量随压力变化的能带格林函数方法，对N和NNi对的压力系数作了模型计算，其结果和陷阱态的压力行为符合得相当好。证实了带结构，尤其是能谷曲率随压力的变化是决定陷阱态压力行为的主要因素。     

GaAs中N等电子陷阱的研究

对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子N_x的发光光谱及畸变势束缚激子N_T的发光峰。测量N_X能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。 关键词：     

感应圈的构造和故障检查与修理

感应圈次級不能发生火花的原因很多,根据我們連續修好八个感应圈的体会,首先应当对感应圈的构造、原理有足够的了解,尤其是如果对电容器的作用和对它的检查能熟练掌握,便会給检修带来很多方便。因此我们分以下几个步驟来談。一、构造原理图1示出感应圈的线路。 1.低压电路。低压电路包括蓄电池(1),轉向开     

多壁碳纳米管的拉曼散射

本文报导了用直流碳弧放电方法制备的多层碳纳米管的拉曼光谱。和ＨＯＰＧ相比,由于碳纳米管的量子尺寸效应和碳纳米管直径的分布,在纯化和未纯化的碳纳米管中均存在Ｅ２ｇ模的软化,其红移范围分布在２～１３ｃｍ １范围内。     

动物排泄物中无机砷和有机砷测定方法研究

本文建立了微波辅助提取-氢化物发生-原子荧光光谱法测定服用有机砷饲料后猪排泄粪便中的无机砷和有机砷的方法.研究了微波辅助提取的最佳条件,考察了酸介质、还原剂的选择及共存离子的干扰及消除方法.方法的检出限为0.20 μg\5L-1,相对标准偏差(RSD)为1.3%,样品加标回收率为95.2%～97.2%.     

异维A酸糖基衍生物的合成及其细胞毒活性研究

采用两种方法合成了2类新的异维A酸糖基衍生物(5a~5d, 6a, 10a~10c, 11a), 并进行了结构表征与确认. 采用MTT法测试了它们对肺癌细胞(A549)等的细胞毒活性. 结果显示, 含有糖苷结构的异维A酸衍生物明显比含有糖酯结构的异维A酸衍生物具有更好的细胞毒活性; 将糖环上的乙酰基脱去后, 相应的化合物活性有明显提高.     

He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He⁺ 辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga_0.94Mn_0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He⁺的辐照来得到改善,其结果是Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He⁺辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He⁺辐照改变了Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的结构.     

利用原子层沉积制备Pt/HZSM-5催化剂用于乙酰丙酸水相加氢制备戊酸

利用原子层沉积（ALD）技术制备出Pt/HZSM-5催化剂，并用于乙酰丙酸（LA）水相加氢制戊酸（VA）。在HZSM-5上沉积五个循环时的5Pt/HZSM-5催化剂，其VA收率高达91.4%，且具有较高的稳定性。研究表明，Pt加氢位点和HZSM-5 酸性位点距离越近越有利于VA的选择性生成。通过延长沉积的扩散时间，ALD可将Pt沉积到HZSM-5的微孔通道中，但对HZSM-5的微孔结构和酸性位点影响较小，这体现出ALD在保护HZSM-5 结构上的优势。随着ALD沉积Pt循环数的增加，Pt纳米颗粒的平均粒径、表面Pt的电子状态、HZSM-5表面酸位点都没有发生明显的变化，分子筛孔道中的Pt比例则逐渐降低，这导致VA生成的TOF降低。同时，也通过浸渍法制备了负载在HZSM-5上的Pt催化剂作为对比，结果表明，浸渍法导致HZSM-5的孔结构受损，形成了更多的微孔，表面酸性位点数目降低，其催化活性、VA 选择性和稳定性都显著低于ALD制备的催化剂。     

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为0%，5%和10%，用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析，发现随着锗在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃，GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV