The similar solutions of nonlinear heat conduction equation

ＴＨＥＳＩＭＩＬＡＲＳＯＬＵＴＩＯＮＳＯＦＮＯＮＬＩＮＥＡＲＨＥＡＴＣＯＮＤＵＣＴＩＯＮＥＱＵＡＴＩＯＮＹｕａｎＹｉｗｕ（袁镒吾）（ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ,Ｃｈａｎｇｓｈａ４１００１２．Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ...     

M.E.SHVEZ ITERATIVE METHOD AND ITS APPLICATION IN MECHANICS

Ｍ．Ｅ．ＳＨＶＥＺＩＴＥＲＡＴＩＶＥＭＥＴＨＯＤＡＮＤＩＴＳＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＩＮＭＥＣＨＡＮＩＣＳ￥(袁镒吾，刘又文)ＹｕａｎＹｉｗｕ；ＬｉｕＹｏｕｗｅｎ（ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ４１...     

3-取代-4(3H)-喹唑啉酮在酸性离子液体中的一锅法、微波辅助合成

研究以二种基于磺酸基官能团的Brфnsted酸性功能化离子液体:1-(4-磺酸基)苄基-3-甲基咪唑硫酸氢盐(a),N-(4-磺酸基)苄基吡啶硫酸氢根盐(b)作为反应介质与催化剂,2-氨基苯甲酸、原甲酸酯或甲酸、芳香胺或脂肪胺三组分为原料,在微波辐射下实现了3-取代-4(3H)-喹唑啉酮的一锅法快速合成.离子液体加入量10 mo1%,反应时间4～6min,目标化合物产率74%～94%.离子液体可循环使用3次,催化活性基本保持不变.此合成方法通用性强,3-位可引入芳基或烷基取代基,取代基电性效应小,拉电子取代基底物也可顺利反应.另外,反应可直接以85%甲酸作为C-2引入单元,目标化合物产率72%～91%.     

气液并流向上三相流化床流体流动性质的研究

本文研究气液并流向上兰相流化床的一般流体流动性质。阐明了不同性质及粒度的固体颗粒、流化床静止床高、气体及液体的表观线速、气体分布板结构等参数对床层的均匀性、气体及液体滞留量、床层膨胀高度及气泡形态及大小等影响的一般规律。提出了在液固两相流化床中通入气体后,床层膨胀比随着气体速度的增大而变化的规律具有五种不同类型。用气泡上升的平均真实速度V_g/ε_g作为V_g及V_L的函数作图,可以表明气体及液体的表观线速对气体滞留量及气泡大小的影响,并用在流化床上部的照片直观地表明了这一点。最后用关联式将本文数据进行关联,误差在±10%以内。     

对二茂铁基苯甲醛双缩间苯二胺盐酸盐Schiff碱及其过渡金属配合物的合成与表征

合成了新的二茂铁基苯甲醛双缩间苯二胺盐酸盐Schiff碱[m-C6H4(NCH)2(Cp′FeCp)2]及其过渡金属配合物[m-C6H4(NCH)2(Cp′FeCp)2·MCl2(M=Pd2+,Fe2+,Zn2+)]。其结构经1HNMR,IR和元素分析表征。     

中性及其带电Cu_n(n=12-16)团簇体系的几何和电子结构的密度泛函理论研究

结合半经验Gupta原子间相互作用势及遗传算法,采用密度泛函方法系统计算研究了中性及带电Cu_n、Cu_n~±(n=12-16)团簇的基态与低激发态的几何结构与电子结构.结果表明:带电明显影响团簇结构稳定性,除Cu_(12)~-及Cu_(15)~+基态结构与相应中性团簇(Cu_(12)及Cu_(15)一致外,其它带电团簇基态结构与相应中性团簇均不相同;带电对团簇近基态同分异构现象也产生影响,全部带正电Cu_n~+(n=12-16)团簇均出现近基态同分异构体,而对中性及带负电团簇同分异构现象并不明显;计算所得Cu_n(n=12-16)团簇的电子离化能、电子亲和势及能隙的变化趋势均与实验结果相一致.     

ψ辐射衰变的角分布

J/ψ和ψ′粒子辐射衰变到介子的过程是寻找胶球,混杂态,抽取gg-qq耦合的极佳场所.北京正负电子对撞机(BEPC)已经积累了大量的J/ψ和ψ′事例,即将改进升级的BEPC及美国的CLEO-c还将获取更多的事例.这里首先利用协变张量方法提供了该类过程的角分布公式,然后利用螺旋度方法给出了ψ辐射衰变到两个赝标介子的角分布公式,以此为例讨论了螺旋度方法和协变张量方法的关系.     

Growth of AlGaN Epitaxial Film with Chemical Vapour High A1 Content by Metalorganic Deposition

A high-Al-content AlGaN epilayer is grown on a low-temperature-deposited AlN buffer on （0001） sapphire by low pressure metalorganic chemical vapour deposition. The dependence of surface roughness, tilted mosaicity, and twisted mosaicity on the conditions of the AlGaN epilayer deposition is evaluated. An AlGaN epilayer with favourable surface morphology and crystal quality is deposited on a 2Onto low-temperature-deposited AlN buffer at a low V/Ⅲ flow ratio of 783 and at a low reactor pressure of 100 Torr, and the adduct reaction between trimethylaluminium and NH3 is considered.     

Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique

In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray diffraction peaks to that of the sapphire substrate ones. This ratio shows a linear dependence on the GaN epilayer thickness up to 2 μm. The new method is more accurate and convenient than those of using the relationship between the integrated intensity of GaN epilayer diffraction peaks and the GaN thickness. Besides, it can eliminate the absorption effect of the GaN epilayer.