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41.
42.
稀土与脂肪族Schiff碱多核配合物的合成及波谱 总被引:2,自引:0,他引:2
在形成多核配合物的诸条件中,认为减小空间位阻颇为重要,设计的直链脂肪族的四甘醇醛与甘氨酸缩合形成的Schiff碱(TAGL)为此提供了有利的条件,且成功地获得了它与稀土离子反应形成的三核配合物(Ln:L=3:1):[Ln~3(TAGL)(NO~3)~7]CH~3OH·nH~2O(Ln=La,Nd,Sm,n=1;Ln=Gd,Dy,Yb,Y,n=2)。以元素分析,IR,NMR等确证其组成,根据EPR谱探讨了Gd(III)配合物的晶体场强,同时见到该类脂肪族Schiff碱及其配合物中δ~H~C~=~N的质子谱向高场明显位移至~5.10。 相似文献
43.
利用Breath Figure法制备具有Honeycomb结构的有机/无机复合膜 总被引:2,自引:0,他引:2
以聚苯乙烯和正硅酸乙酯的有机溶液为铸膜溶液, 利用Breath Figure法制备了PS/SiO2Honeycomb结构复合膜. 采用SEM对复合膜进行了形貌分析, 探讨了聚合物浓度、 PS/TEOS配比、聚合物的结构、溶剂等对膜Honeycomb结构的影响. 研究结果表明, 聚合物浓度在20~50 mg/mL, PS/TEOS质量比大于2∶1的条件下可以制备结构完整的多孔膜, 且制备的Honeycomb结构在0.8 cm2内无缺陷; 采用双羧基封端的聚苯乙烯成膜效果好于单羧基封端的成膜效果; 以氯仿和苯作为溶剂均可以制备完全Honeycomb结构的复合膜, 但以苯为溶剂制备的多孔膜孔径较大. 成膜中TEOS水解不完全, 复合膜中混杂着未完全水解的TEOS以及SiO2. EDS面扫描分析表明, Si和O均匀地分散在复合膜中. 相似文献
44.
为了研究尘埃等离子体中尘埃颗粒以及鞘层中粒子密度分布等特性,对尘埃颗粒存在条件下等离子体鞘层结构的采取数值模拟.采用稳态无碰撞的尘埃等离子体鞘层模型,对玻姆判据、尘埃颗粒的荷电性质、平板鞘层区域的电势分布及鞘层内粒子分布特性进行了系统的数值模拟研究.计算结果显示,鞘层边缘尘埃颗粒数密度的增加、尘埃温度的升高,将引起孤立尘埃颗粒对电子吸附能力的减弱,集体效应也受到一定程度的影响;二者同时对离子玻姆速度以及鞘层厚度的增加都有着极大的促进作用.鞘层电势在靠近下极区处降落迅速,主要聚集在接近阴极极板的鞘层区域,各种微粒数密度的空间分布满足准中性条件. 相似文献
45.
基于BP神经网络的数码相机特性化 总被引:4,自引:0,他引:4
由于数码相机的颜色空间是依赖于设备的,对于一个具体的数码相机,其光谱响应与设备独立的CIE标准观察者颜色匹配函数是一个非线性关系,因此不能真实复制场景的颜色。特性化彩色图像设备是提高图像的颜色复制质量的一个重要方法。介绍一种基于BP神经网络数码相机特性化方法。采用Munsell颜色系统作为目标色,大样本训练空间。测试了不同的网络结构和样本空间分布。训练样本平均色差为1.75CMC(1∶1)色差单位,测试样本为2.16。该方法在数码相机颜色测量、光谱重建等领域有广泛的应用前景。 相似文献
46.
47.
基于表面等离子体共振和定向耦合的光子晶体光纤传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了一种具有较大动态检测范围的新型光子晶体光纤折射率传感器。光子晶体光纤中一个空气孔镀上金纳米薄膜作为表面等离子体共振传感通道用来检测低于石英基底材料的液体折射率,一个空气孔填充待测液体作为定向耦合器通道用于检测高于石英基底材料的折射率。该传感器可以实现折射率为1.32~1.52范围内的检测,且具有较高的传感灵敏度。在各向异性的完美匹配层(PML)下利用全矢量有限元法(FEM)对该传感器特性进行了数值研究,结果表明:在1.32~1.44和1.46~1.52的折射率范围该折射率传感器灵敏度最高分别可达13500 nm/RIU和28700 nm/RIU,RIU为折射率单位。 相似文献
48.
详细研究了D2(F1x-Six)17系列化合物的晶格结构和内禀磁性。X射线衍射分析表明,Dy2(Fe1-xSix)17系列化合物呈现Th2Ni17结构牙或Th2Zn17结构相,居里温度TC随X的增大而增大,饱和磁化强度σs随x的增加而减小。 相似文献
49.
采用SiH4,C2H4和Ar在射频容性耦合柱状放电室中产生了尘埃颗粒,利用发射光谱测得射频尘埃等离子体放电室中的一些基本碎片的发射光谱,并给出了这些碎片的光发射强度随着实验条件变化的曲线。随着功率和气压的增加,碎片的光发射强度逐步增加,尤其是随功率增加得更快,这说明功率对硅烷和乙烯的离解作用明显。随着硅烷和乙烯流量的增加,碎片的光发射强度随之下降。利用朗缪尔探针的实验结果得出尘埃密度的变化趋势,给出了尘埃密度随射频功率变化的曲线,其结果与硅烷和乙烯的离解变化趋势基本吻合。 相似文献
50.
Spin Transport under In-plane Electric Fields with Different Orientations in Undoped InGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells
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The spin-polarized photocurrent is used to study the in-plane electric field dependent spin transport in undoped InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells. In the temperature range of 77–297 K, the spin-polarized photocurrent shows an anisotropic spin transport under different oriented in-plane electric fields. We ascribe this characteristic to two dominant mechanisms: the hot phonon effect and the Rashba spin-orbit effect which is influenced by the in-plane electric fields with different orientations. The formulas are proposed to fit our experiments, suggesting a guide of potential applications and devices. 相似文献