细胞色素C的薄层光谱电化学研究

细胞色素C(Cyt. C)在电极界面上的电子传递十分缓慢,只有在适当的电子迁移中介体(Mediator)或促进剂(Promoter)参与下才能以较快的速度进行反应,本文报道了以4,4′-二硫基联吡啶(PySSPy)作电极反应促进剂,用薄层光谱电化学技术研究细胞色素C在金微网栅薄层透光电极界面上的电化学过程,测定了电极反应的热力学参数E~(o′)及n,并与循环伏     

双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯驻极体的分立陷阱

用热释电极化温度扫描法在温度间隔为５℃的条件下研究了经过双向拉伸具有不同平面取向度的聚对苯二甲酸乙二醇酯ＰＥＴ驻极体试样，分离出对解俘获电流峰贡献的各分立陷阶电流峰．随平面取向度和脂肪链反式构象含量的提高，各分立陷阶深度增加．结构缺陷种类的增多使分立陷阱数由二个增至六个，并导致分立陷阱深度分布加宽．     

二氧化锰和氯酸钾混合加热爆炸问题

化学通报在1953年6月号228页问答中,谈氯酸钾和二氧化锰混合后加热爆炸问题,这是在抗战时期北京各中学的实验中常发生的现象,我也碰到,所以曾做过简单的分析,知道它爆炸的原因有二,其一原因是二氧化锰中含有不少的煤末,其一原因是氯酸钾中混有高氯酸钾,当时购的是日货,都是因商人无知,有意或无意的渗杂进去,这种药品,有些学校     

略谈用二次曲线定义灵活解题

在教学活动中我体会到，对定义理解得深刻方能在应用时事半功倍，掌握定义的本质属性是学好数学的关键，下面以二次曲线定义为例，从以下两方面略谈一下用定义灵活解题．１　理解定义实质使“繁”变“简”图１例１　试证：自等轴双曲线上任意一点至两焦点的距离之积，等于该点至双曲线中心的距离的平方．解　设Ｍ（ｘ，ｙ）是等轴双曲线上任意一点，由双曲线定义，有　｜｜ＭＦ２｜－｜ＭＦ１｜｜＝２ａ（）将（）两边平方整理得　｜ＭＦ２｜·｜ＭＦ１｜＝｜ＭＦ２｜２＋｜ＭＦ１｜２－４ａ２２＝（ｘ＋ｃ）２＋ｙ２＋（ｘ－ｃ）２＋ｙ…     

相对论重离子碰撞的三源模型

理论分析发现能解释较低碰撞能区带电强子分布的Heinz集体流模型无法解释较高碰撞能量的相对论对撞机(RHIC)能区的带电强子分布.为此在Heinz集体流模型的基础上,创建了三源模型.本模型将强子分布看成为射弹发射源、靶发射源和中心集体流三者贡献之和,其计算结果与RHIC能区的带电强子分布实验数据能较好地符合,能解释RHIC能区的带电强子分布特征.     

一类次线性算子在齐型广义Orlicz-Campanato空间上的加权有界性

设X是齐型空间,Φ为Young函数,并设次线性算子T是从L^Φ（X,ω）到L^Φ（X^＋,β）有界的.建立了算子T从广义Orlicz-Campanato空间L^Φ,φ（X,ω）到L^Φ,φ（X^＋,β）的加权有界性,并特别建立了广义极大算子M的有界性.     

RHIC能区的纵向流分布特征和核阻止特性的研究

首先利用相对论纵向非均匀集体流模型讨论RHIC能区的净质子分布特征,并分别与AGS,SPS的实验结果比较,发现,RHIC能区所产生的粒子系统具有很强的非均匀分布特征,表现为很强的核透明性,并分析了非均匀集体流模型与实验中的核阻止特性的紧密联系,接着分别研究了RHIC能区所产生质子、反质子和净质子的分布,这些研究可以帮助我们深入了解最新的RHIC能区的粒子分布和核阻止特征.     

普鲁士蓝膜电化学行为的EQCM研究

应用循环伏安法于铂电极上电化学沉积PB膜,并由电化学石英晶体微天平技术(EQCM)原位测量了PB膜电沉积过程的频率响应.研究表明,沉积液中添加邻菲咯啉对PB膜结构有影响.有邻菲咯啉参与沉积的PB Pt/QCM电极对H2O2的电催化还原性能优于不含邻菲咯啉沉积液制备的PB Pt/QCM电极.     

代码组件重用支撑环境CCRSE的设计策略

介绍了基于代码组件库的代码组件动态组合重用的支撑环境CCRSE的设计策略,包括代码组件及其组合机制的设计、CCRSE体系结构及其功能的设计.通过集成支持各种重用活动的一系列工具,CCRSE能够为代码组件动态组合重用的全过程提供系统全面的技术支持.     

大型水平极化电磁脉冲有界波模拟器的并行模拟分析

采用将大地设置为均匀有耗介质,并用单轴完全匹配层（UPML）吸收边界截断的方式,对离散电阻加载的地面上方大型水平极化电磁脉冲（EMP）有界波模拟器的时域辐射场进行并行时域有限差分模拟.给出大地电导率和相对介电常数及模拟器圆锥的锥半径不同时模拟器辐射场的时域波形,分析三者对辐射场的影响,并给出模拟器内有10 m长的效应物时耦合场的时域波形.并行模拟时,计算网格总数达18亿.研究表明：大地相对介电常数和电导率越大,近地面测点接收到的地面反射作用越大;测点场的峰值受锥半径的影响最大,且随着锥半径的增大,同一水平面内的场也越不均匀;对地面上方1 m处的几个测点,其脉冲峰值及半高宽受地面反射及地面损耗的影响较大,而地面上方5 m处的几个测点则受地面影响较小;当效应物开孔位置位于模拟器场泄露一侧时耦合进入圆筒内的电磁波能量较多.