D-D结合型金刚石聚晶的高压合成研究

 为了探索功能金刚石聚晶的高压合成，使其具有优异的透红外和散热性能，我们采取了提高合成压力、温度和尽量减少结合剂的办法进行试验。首先探索如何使合成的金刚石聚晶具有D-D型结合，然后尽量减少结合剂，以合成出高密度的D-D型金刚石聚晶。为了尽量减少结合剂含量，不用粉末混合法，而是分别采用7~14 μm和63~80 μm粒度的金刚石为原料，与纯Ni或Ni₇₀Mn₂₅Co₅合金为基底积层组装，通过高温高压下触媒金属向金刚石晶粒间渗透进行烧结生长。在6.3 GPa的压力和1 440~1 650 ℃的不同温度下分别保持3~40 min。所得到的金刚石聚晶在触媒金属渗透得充分的区域形成了D-D结合型结构，而没有发现碳化物生成及金刚石表面石墨化等现象。     

600~760 ℃范围内超高压力的测定——铅熔点法

 在DS 6×800A压机上，用NiC-NiSi热电偶测量出高压腔内铅的熔点，再根据铅的液-固相变曲线得出所对应的压力。在600~760 ℃温度范围内，测定出高压腔内压力（1.27~6.62 GPa）与油压的对应关系。对两种不同传压介质腔内压力测定的结果表明，采用NaCl作内层传压介质后，其传压效果比不用NaCl只用叶腊石的情况提高了10%。     

正丁烷在Au,Zn组合改性纳米HZSM-5上的催化转化

采用沉积沉淀和浸渍法制备了Au-Zn组合改性HZSM-5催化剂.并且对比研究了HZSM-5,Au/HZSM-5,Zn/HZSM-5和Au-Zn/HZSM-5催化剂的性质和催化性能.采用UV-Vis和XPS表征揭示出Au-Zn/HZSM-5催化剂中Au物种与Zn物种的相互作用.正丁烷探针反应结果表明,在Zn/HZSM-5催化剂中引入Au有效地提高了正丁烷的脱氢芳构化性能,同时抑制了正丁烷在Zn活性中心上的氢解副反应.在相同条件下,与Zn/HZSM-5催化剂相比,正丁烷转化率由49.1%增加到70.8%,烯烃和芳烃产物总选择性由57%增加到61.98%,干气的选择性由31%降低至28.4%.上述结果表明,Au-Zn/HZSM-5催化剂在轻烃芳构化反应中具有良好的催化性能.     

Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在 关键词：     

Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth

The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) on sapphire (0001) substrates was investigated by using double crystal X-ray diffraction (DC-XRD). It was found that ELO GaN stripes bent towards the SiN_x mask in the direction perpendicular to seeding lines. Each side of GaN (0002) peak in DC-XRD rocking curves was a broad peak related with the crystallographic tilt. This broad peak split into two peaks (denoted as A and B), and peak B disappeared gradually when the mask began to be removed by selective etching. Only narrow peak A remained when the SiN_x mask was removed completely. A model based on these results has been developed to show that there are two factors responsible for the crystallographic tilt: One is the non-uniformity elastic deformation caused by the interphase force between the ELO GaN layer and the SiN_x mask. The other is the plastic deformation, which is attributed to the change of the threading dislocations (TDs)—from vertical in the window regions to the lateral in the regions over the mask.     

英雄一世,学者一生--纪念吴杭生院士

2003年12月9日，伴随着贝多芬英雄交响曲的乐章，吴杭生先生的夫人、儿子、亲友、学生和同事将手中的鲜花放到他面前，向这位同命运抗争一生的英雄，这位视物理学为自己生命、求索一生的学者最后告别．     

第二类静电边值问题中对称性格林函数的一种制作方法

着重研究了Ｎｅｕｍａｎｎ静电边值问题中对称性格林函数的制作，并以同心球壳之间空间格林函数的制作为例加以说明，同时给出了Ｄｉｒｉｃｈｌｅｔ静电边值问题的相应结果。     

AF-5分子筛催化剂再生过程的动力学研究及其数学模型建立

本文介绍了用国产WRT-1型微量热天平仪,测定AF-5分子筛烷基化制乙苯催化剂上的烧炭速度,归纳出以失炭速率r_A=k·C_A~a型式的动力学烧炭速率方程式。并在此基础上建立了相应的数学模型。     

等物质的量反应规则不能成立

1982年5月我国国家标准局颁发了国家标准GB3100《国际单位制及其应用》并规定从1983年起实施。这是符合科学技术迅速交流和发展的实际需要的。但是,目前国内外有不少化学工作者主张利用物质的量及其单位摩尔来废除当量、当量浓度和当量定律。我认为这是不正确的。本文主要论证等物质的量反应规则或等摩尔数反应规则不能成为一条化学物质反应规律。同时论证基本单元(Elementary Entity)不能凭主观意愿脱离实际地指定。