Fe2O3@Ag纳米棒复合阵列的构筑及其SERS性能研究

以均匀有序的聚丙烯腈(PAN)纳米柱阵列薄膜为基材,结合水热法以及离子溅射方法制备大面积有序的Fe₂O₃@Ag纳米棒复合结构阵列。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能谱仪、紫外可见光吸收光谱仪、X射线衍射仪以及拉曼光谱仪对复合材料进行表征。以罗丹明6G(R6G)和4-氨基苯硫酚(4-ATP)为探针分子,对结构阵列的表面增强拉曼散射(SERS)性能进行研究。结果表明,制备的结构阵列具有较高的SERS活性和信号均匀性,对R6G和4-ATP可以实现10^-10 M和10^-9 M低浓度探测。以10^-6 M的4-ATP为探针分子,计算得到基底的SERS信号相对标准偏差(RSD)值为7.5%。所制备的复合结构在SERS检测中具有良好的潜力。     

Measurements of neutron energy spectra of 9Be(d,n)10B reaction with a thick beryllium target

Novel measurements of the neutron energy spectra of the 9Be(d,n)10B reaction with a thick beryllium target are performed using a fast neutron time-of-flight(TOF)spectrometer for the neutron emission angles θ=0°and 45°,and the incident deuteron energies are 250 and 300 keV,respectively.The neutron contributions from the 9Be(d,n)10B reaction are distributed relatively independently for the ground state and the first,second,and third excited states of 10B.The branching ratios of the 9Be(d,n)10B reaction for the different excited states of 10B are obtained for the neutron emission angles θ=0°and 45°,and the incident deuteron energies are 250 and 300 keV,respectively.The branching ratio of the 9Be(d,n)10B reaction for the third excited state decreases with increase in the incident deuteron energy,and the branching ratios for the ground state and the second excited state increase with increase in the neutron emission angle.     

Pb2+对胰蛋白酶活性影响的作用机理研究

在胰蛋白酶介质中加入Pb²⁺， 研究其对胰蛋白酶活性影响的作用机理。结果表明低浓度的Pb²⁺对酶有激活作用，高浓度则严重抑制酶活性。在高浓度下，Pb²⁺能完全竞争出胰蛋白酶中的Ca²⁺而结合到了胰蛋白酶上，其EXAFS的测试表明Pb²⁺与多肽链氨基酸残基上的氨基或羧基发生了配位，配位数为2，Pb-N或Pb-O键长为0.241nm。圆二色谱测试表明高浓度的Pb²⁺结合使胰蛋白酶的二级结构被破坏，α-螺旋含量、β-转角及无规则卷曲下降，β-折叠增加，因而使酶失去活性。     

一道组合竞赛题的推广

1978年波兰数学奥林匹克有一道组合题: 对于n元集合M的任何两个子集A和B,求得A∩B的元素个数,求证所有求得的个数之和为n*4n-1.下面给出原证明.     

6个素数阶完全图的循环图分解

研究素数阶完全图分解为循环图的方法 ,给出计算它的子图的团数的一种算法 ,得到 3个三色 ,3个四色 Ramsey数的新的下界 :R(3,3,13) 194 ,R(3,4 ,11) 2 12 ,R(3,6 ,13) 52 2 ,R(3,3,4 ,10 ) 380 ,R(3,3,6 ,14) 1154,R(3,4 ,5,13) 10 94     

Pb~(2+)对核糖核酸酶活性及其结构的影响

通过各种光谱学手段研究了Pb2 +对核糖核酸酶活性的影响及其作用机制.结果表明低浓度的Pb2 +可提高酶活性,高浓度则严重抑制酶活性,这是因为在高浓度下Pb2 +能完全竞争出核糖核酸酶中的Ca2 +,荧光滴定显示核糖核酸酶可结合 3个Pb2 +.利用EXAFS表征出Pb2 +已结合到核糖核酸酶主链氨基酸残基上,与N或O发生了配位,Pb—N(或O)键长分别为 0.2 42nm和 0.312nm,配位数均为 2.圆二色谱测试进一步表明高浓度的Pb2 +结合使核糖核酸酶的二级结构遭到严重破坏,α 螺旋含量、β 折叠及 β 转角大量下降,无规则卷曲则明显增加     

整级透平中转静轮缘封严问题研究PartⅠ:封严与入侵

本文通过构建由一级动静叶组成的外流影响下的轮缘密封问题的实验和数值模型,针对燃气轮机透平转静轮盘间隙的封严与入侵问题开展了研究。其中第一部分主要关注燃气入侵的主要影响因素,入侵气体在腔室内部的分布规律和最小封严流量。结果表明:静叶尾缘的压力分布是造成燃气入侵的主要原因,即在主流的压力大于密封腔室内压力的区域会出现燃气侵入腔室,造成局部温度过高;主流压力小于腔室内部的压力区域,密封气体能够较好的封严转静间隙。入侵气体和封严气体的掺混主要发生在腔内高半径处并在高速旋转的动盘引发的夹带作用下深入腔室内部低半径处。因此在轮缘密封的结构设计中需要全面的考虑这些因素的影响。     

为一复数题“取模解法”辩解

文[1]给出以下试题"已知复数z满足｜z｜＝1，且zn＋z＝1，求z．"（1988年苏州市数学竞赛试题）的解法。解先将原方程变为zn＝1－z，取模得：｜zn｜＝｜1－z｜，再由｜z｜＝1得｜z｜2＝｜1－z｜2，z·z＝（1－z）·（1－z），化简得z＋z＝1；再以z＝a＋bi代入得故原方程有二解：文[2]说，容易验证：这确是原方程的根，但方法不对．文[2]开篇便称此种解法是"取模的误解"．究竟文[1]的这种"取模解法"是否能够成立？我们试作如下分析．原解法可写成：显然⑤是①的必要条件但不一定是充分条件．因此有可能会产生增根，但不至于有漏根．因为凡适合…     

厚靶低中能9Be(d,xn)反应加速器中子源特性研究

利用PHITS程序评价计算了厚靶9Be(d, xn)反应加速器中子源的能谱和角分布数据,重点讨论了JQMD、INCL和INCL/DWBA三种核反应物理模型计算厚靶9Be(d, xn)反应中子辐射场分布的适用性。研究结果显示,基于INCL/DWBA耦合模型的PHITS程序计算所得到的厚靶9Be(d, xn)反应中子能谱和角分布数据能够较好地与实验数据符合,可以为厚靶9Be(d, xn)反应中子源特性研究及应用提供较为准确的中子辐射场数据。此外,设计了水冷大面积旋转铍靶的方案,并在5~25 MeV/5 mA入射氘能量下条件下,开展了靶面温度模拟研究,结果显示,靶面最高温度可控制在100 oC以下。     

Monolayer MoS2 of high mobility grown on SiO2 substrate by two-step chemical vapor deposition

We report a novel two-step ambient pressure chemical vapor deposition (CVD) pathway to grow high-quality MoS₂ monolayer on the SiO₂ substrate with large crystal size up to 110 μm. The large specific surface area of the pre-synthesized MoO₃ flakes on the mica substrate compared to MoO₃ powder could dramatically reduce the consumption of the Mo source. The electronic information inferred from the four-probe scanning tunneling microscope (4P-STM) image explains the threshold voltage variations and the n-type behavior observed in the two-terminal transport measurements. Furthermore, the direct van der Pauw transport also confirms its relatively high carrier mobility. Our study provides a reliable method to synthesize high-quality MoS₂ monolayer, which is confirmed by the direct 4P-STM measurement results. Such methodology is a key step toward the large-scale growth of transition metal dichalcogenides (TMDs) on the SiO₂ substrate and is essential to further development of the TMDs-related integrated devices.