TC4钛合金在模拟海水中腐蚀?磨损交互行为研究

采用自制摩擦腐蚀装置研究了TC4钛合金在模拟海水中电化学腐蚀与机械磨损间的交互作用,探究了不同电化学状态对TC4钛合金腐蚀磨损行为的影响. 在摩擦腐蚀过程中,TC4钛合金的腐蚀电位发生负偏移,腐蚀电流随着外加电位升高而增大,在零电流电势(OCP)附近TC4钛合金获得最低摩擦系数. TC4钛合金总体积损失随着外加电位的增加而增大,证实了腐蚀磨损交的交互作用随着外加电位的增加而增强;当电位从–0.5 V增大至0.8 V时,腐蚀磨损交互作用导致的材料损失占总材料损失的比例由12%增加至66%,其中腐蚀诱导磨损导致的损失量占比由7%增加至44%. OCP及其以下外加电位条件下,TC4钛合金的磨损机制为磨粒磨损;0 V电位下TC4钛合金磨损机制为磨粒磨损和疲劳磨损;0.8 V电位下TC4钛合金的磨损机制为磨粒磨损和摩擦诱导的腐蚀磨损.      

吲哚啉苯并螺呲喃类化合物的合成和应用

吲(口朶)啉苯并螺吡喃类化合物具有明显的光致变色性能。我们合成了6′-碘-1,3,3-三甲基吲(口朶)啉-2-螺环-2′-苯并吡喃及一些不同取代的吲(口朶)啉苯并螺吡喃化合物并对其色变性能进行了初步探讨。用这些化合物与光致抗蚀干膜G11胶制成了一种新型光致变色抗蚀干膜。将底片覆盖在此膜上,经紫外线照射后呈现出明显的色差,显示出的图象可保留24小时以上。     

正确使用QA8510型透镜定心磨边机

<正> 磨边是光学透镜冷加工中最后一道加工工序。若透镜在磨边这道工序报废,则前面所有工序:开料、粗磨、精磨、抛光等就会前功尽弃,造成很大浪费。对一个直接操作这种机床的工作者来说,正确使用该机床能做到优质高产低消耗的研讨是有现实意义的,本文就有关问题向读者作一介绍; QA8510型机床是用机械定心法磨削透     

80.6MeV~(16)O轰击~(27)Al出射类弹碎片的测量

用大面积位置灵敏电离室测量了80.6MeV~(16)O轰击~(27)Al时产生的出射类弹碎片,得到了从Li到Na的能谱、角分布、E-θ平面上的d~2σ/dQ dE等高线图及Z分布;导出了准弹和深部非弹的截面;并对实验结果进行了讨论.     

磁针偏转佯谬与Trouton-Noble零实验

在均匀直线电荷附近本来平行静置的磁针，对于在其中运动的参考系却 “因受外力矩而偏转”。用等效磁荷观点不仅圆满地解决了这一表观佯谬，而且还给出了普适的Lorentz力矩张量表达式，后者可对Trouton-Noble零实验的“偏转”力矩作出直接描述。     

80.6MeV ~(16)O轰击~(27)Al反应的弛豫过程的研究

从80.6MeV~(16)O ~(274)Al出射类弹碎片的测量实验结果导出了角分布衰减系数、电荷分布及电荷分布的一次矩和二次矩随TKEL的变化,对该反应中的弛豫过程进行了分析。并讨论了势能面对电荷分布的一次矩和二次矩的影响。     

93MeV~(14)N+(nat)~Ca深部非弹反应的研究

用大面积位置灵敏电离室测量93MeV~(14)N轰击~(nat)Ca产生的类弹碎片,得到了从Li到Mg各元素质心系的能谱,角分布和TKE-θ平面上的(d~3σ/d(?)dEdZ)等高图,以及元素分布离散σ_z~2和能量耗散的关系.用简单的扩散模型对实验结果进行了分析、讨论.     

14MeV中子的(n, 2n)反应截面系统学研究

本文对1984年以前的A=19—209的124种核素的14MeV(n, 2n)反应截面的实验数据进行了收集、分析和评价. 研究了截面与(N—Z)/A的关系. 看不出有明显的中子壳效应存在. 用复合核统计理论对一些核的反应截面进行了计算, 对中重核和重核的计算结果与实验值符合较好.     

阶跃电压法确定产生寿命和表面产生速度

在分析MOS电容对耗尽的阶跃电压瞬态响应的基础上,本文提出了一种同时确定产生寿命和表面产生速度的方法。用该方法对一些样品进行了测试分析,结果表明该方法是合理的。并且指出,在表面产生与体产生相比较实际上不能忽略时,忽略表面产生的方法将导致测得的产生寿命低于它的真实值。 关键词：     

磁化水、自来水和蒸馏水的拉曼散射研究

对自来水、蒸馏水和磁化水进行了拉曼散射研究。发现:水经磁化后水分子结构未变化,氢键未断裂;磁化效果与磁化时间、磁场强度和磁化方式有关;静态磁化同样有效;水中离子在磁化过程中起重要作用。在离子水化理论基础上,对实验结果和磁化机理作了初步的解释和探讨。对磁水器的设计提出了建议。