Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制

测量了淬火前后8Ce, 0.5Y-TZP陶瓷(稳定剂Y2O3的摩尔分数为0.50%)在室温到250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr‘V偶极子的再取向有关,而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变.此外,本文还研究了8Ce, 0.5Y-TZP和8Ce, 0.75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗,计算了介电驰豫的激活能,结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致.     

推拉型偶氮化合物的三阶非线性和光学双稳效应

本文报道从推拉型偶氮化合物中测得了非常高的三阶非线性极化率,X~(3)～6×10~(→3)esu.这对于引起光学双稳现象是至关重要的.利用波长为488nm的氩离子激光为光源,从这类材料掺杂的玻璃态聚合物薄膜的Kretschmann型态中,进一步观察到了光学双稳现象.与此同时,联系这类材料的顺反异构化反应历程,从电子吸收机制或光诱导的折射率变化机制对有关问题进行了讨论.     

MNA/PMMA有机薄膜光波导

研究出MNA/PMMA有机薄膜光波导。用棱镜耦合器进行了波导参数的测量,发现薄膜呈现各向异性,有较大的双折射。     

Cu的类F、类Ne和类Na离子的相对论多组态计算和相关效应的讨论

本文应用加Briet与QED修正的相对论多组态方法对Cu的类F、类Ne和类Na离子的精细结构能级和跃迁参数进行了计算,获得的数据和文献值符合很好。对相对论多组态方法中的相关效应做了分析与讨论,以高剥离度Cu离子为例,总结出判断非动力学相关与动力学相关效应大小的一些规则。     

量子体系演化的几何相位

量子体系在演化过程中,其状态的时间演化因子除众所周知的由系统能谱决定的动力学相位因子外,还会出现与系统演化路径有关的几何相位因子即Berry相位因子。几何相位的存在已为大量实验所证实,在理论上,已确定了其数学基础是纤维丛理论,并发现它与规范场有某些联系。本文评述了有关几何相位研究工作的进展。     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。     

Theoretical Research on Sensitivity for Resonance Wavelength of Long Period Fiber Grating

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ａｌｏｎｇｐｅｒｉｏｄｆｉｂｅｒｇｒａｔｉｎｇ (ＬＰＦＧ)ｉｓａｎｏｖｅｌｐａｓｓｉｖｅｆｉｂｅｒｅｌｅｍｅｎｔａｒｉｓｉｎｇｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ[1] .ＳｅｖｅｒａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＬＰＦＧｈａｖｅｂｅｅｎｆｏｕｎｄ ,ｓｕｃｈａｓ ｇａｉｎ ｐｒｏｆｉｌｅｆｌａｔｔｅｎｅｄｆｉｌｔｅｒ,ｂａｎｄ ｒｅｊｅｃｔｉｏｎｆｉｌｔｅｒ,ａｎｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ,ｓｔｒａｉｎｏｒｎｅｗｃｈｅｍｉｃａｌｓｅｎｓｏｒｓ[2 ,3] .ＩｔｃａｎｂｅＵＶ ｗｒｉｔｔｅｎｏｒ…     

模式耦合理论在圆周对称长周期光纤光栅建模中的应用

长周期光纤光栅是不同于光纤Bragg光栅的一种光纤光栅器件 ,根据模式耦合理论 ,长周期光纤光栅表现为前向传播的纤芯导模和同向的各阶次包层模式之间的耦合。分析研究了长周期光纤光栅轴向的模场变化。忽略轴向的模式耦合以及包层模式之间的相互耦合作用 ,并认为折射率指数的调制只存在于纤芯中 ,建立了简化的长周期光纤光栅数学模型。对圆周对称轴向均匀型长周期光纤光栅谱特性进行了仿真 ,其结果与实验结果基本吻合 ,表明了简化的数学模型的合理性     

长周期光纤光栅耦合常数的研究

长周期光纤光栅表现为前向传播的纤芯基模与同向传播的各阶次包层模式在特定波长时的模式耦合。由纤芯基模、一阶包层模式的场分布推得其功率分布 ,进一步得到两种模式的归一化常量。推导了纤芯基模与一阶各次包层模式 (HE1l/EH1l)的耦合常数。结果表明 ,纤芯基模与HE1l包层模式产生的耦合常数远大于与EH1l包层模式的耦合常数。次数低时 ,耦合常数随包层模式次数的升高而增大     

长寿命导H^＋全固态电致变色器件的研究

研究了导Ｈ＾＋离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制，发现有两个因素导致器件性能退化，在器件褪色过程中，存在于ＷＯ３薄膜中的水份将导致ＯＨ＾－在ＷＯ３中积累而在其中产生碱性环境，ＷＯ３溶于碱性环境而生成钨酸盐，在较高电压作用下Ｈ２Ｏ电解释放出气体Ｈ２和Ｏ２而使膜层剥落，通过改进器件结构和改善制备工艺条件，获得了光学密度高达０．５，着色／漂白（Ｃｏｌｏｒ／Ｂｌｅａｃｈ）循环次数高达１０＾６以上的性能