Eu2（DBM）6 4,4‘—BIPY的合成,光谱及铕（Ⅲ）格位

合成了配合物Ｅｕ２（ＤＢＭ）６４，６｀－ＢＩＰＹ，ＩＲ和Ｒａｍａｎ光谱都证实了配合物的生成，７７Ｋ正派激发高分辨激光激发光谱和荧光光谱表明配合物存在＾５Ｄ０能级能量差别为１５ｃｍ＾－１的两种Ｅｕ（Ⅲ）格位，两种Ｅｕ（Ⅲ）离子均不位于对称中心，由＾５Ｄ０→＾７Ｄ０．１，２跃迁荧光光谱峰数判断，两种Ｅｕ（Ⅲ）格位的区域对称性均为Ｃ１或Ｃ２或Ｃ，两种格位Ｅｕ（Ⅲ）离子的发光寿命分别为０．３７ｍｓ和０．３     

Eu3+掺杂的含氧磷酸盐发光性质

采用固态反应法制备了Gd₃PO₇:Eu³⁺ 和 La₃PO₇:Eu³⁺发光材料,通过X射线衍射和SEM确定了样品的结构和形貌。 在真空紫外光的激发下,Gd₃PO₇:Eu³⁺样品展示了较弱的基质吸收;但在紫外光的激发下,Gd₃PO₇:Eu³⁺显示了比La₃PO₇:Eu³⁺更强的红光发射,其原因是在Gd₃PO₇:Eu³⁺中存在Gd³⁺到Eu³⁺的有效能量传递过程。两个样品的发射光谱峰值位于618 nm,属于Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂跃迁。Eu³⁺在材料中处于较低的格位对称环境,具有很好的色纯度。     

沸石基纳米材料的水热分散法制备及其发光

用水热分散法,通过进行分步化学反应,在沸石分子筛的孔道中简便有效地制备了沸石基纳米发光材料．样品的发光表现出纳米粒子的量子尺寸效应     

微腔结构对铕配合物有机电致发光二极管(OLEDs)性能的提高

成功制备了铕配合物的微腔结构有机发光二极管(0LEDs),其发射层采用质量比为1：3的空穴传输材料(TPD)和电子传输材料(Eu(DBM)3bath)的混合层。该器件实现了Eu^3 高色纯度红光发射,其色坐标为(x=0．651,y=0．338);并克服了微腔器件的发光颜色随探测角度增大而变化的缺点。在微腔器件中,最大亮度在19V时达到1160cd／m^2;在高电流密度时的EL效率得到明显提高。     

金属离子表面修饰对纳米ZnS:Mn2+溶胶发光性质的影响

利用胶体化学共沉淀方法制备了纳米ZnS：Mn^2 乙醇溶胶,观察到Zn^2 的引入对内部Mn^2 的^4T1→^6A1跃迁的580nm橙色发光有激活作用,而外加的Mn^2 对该橙色发光有猝灭作用。Zn^2 的吸附通过形成单层ZnS壳,减少了表面猝灭中心,从而使发光强度增加,这种表面猝灭中心最有可能是来自表面S^2-孤对电子的悬空键。Mn^2 的猝灭过程不能用纯粹动态的猝灭过程来描述,Mn^2 本身很可能就是橙光的猝灭中心。考虑到Mn^2 在颗粒表面上的按泊松分布,并假设单个Mn^2 能100％猝灭Mn^2 580nm发射,理论与实验数据很好地符合。通过对猝灭数据的拟合,估算出的颗粒尺寸小于用有效质量近似模型算得的3．1nm,分析了可能的原因。     

Y2O3:Ho/Yb纳米晶的上转换发光性质

采用燃烧法制备了不同尺寸和不同掺杂浓度的Y2O3：Ho／Yb纳米晶,并系统地研究了颗粒尺寸对Y2O3：Ho／Yb纳米晶发光性质的影响。研究发现,随着尺寸的减小,发射强度和荧光分支比均发生了显著变化,Ho^3 的整体发射强度降低,但5^F5→^5I8的红光发射比^5S2(^5F4)→^5I8的绿光发射的荧光分支比增强。尺寸减小,表面原子更易吸附空气中的水和二氧化碳,引入一些较大的振动模式,从而增大了无辐射跃迁的速率,荧光分支比随尺寸的变化被归因于表面效应引起的无辐射弛豫过程^5S2(^5F4)→^5F5和^5I6→^5I7的增强。     

Yb~(3+)-Er~(3+)共掺杂的氟化物材料中激发功率对上转换发射光谱性质的影响

用固相法合成了Er3+和Yb3+共掺的LaF3及NaYbF4上转换发光粉末样品材料,研究了激发功率对室温上转换发光性质的影响,重点研究了红光发射增强现象,并探讨了获得红色上转换发光的条件。实验结果表明:在980 nm半导体激光激发下,Er3+和Yb3+共同掺杂的不同氟化物样品材料能够展示比较明亮的红色和绿色发光,激发功率密度对该类材料的上转换红色发射光谱性质能够产生明显的影响。基于上转换发光机制,提出了能量传递的红色上转换发射过程,并借助于一个示意性的能级图解释了所观测到的红色上转换发射增强现象。     

Y2O3纳米晶中两种格位的Eu3+之间的能量传递

讨论了Eu^3 :Y2O3纳米晶在低温下的发光性质。比较了不同颗粒尺寸的Y2O3纳米晶中Eu^3 离子的发射光谱,根据不同温度下的激发谱,分析了处于Y2O3纳米晶中C2和C3i两种格位的激发峰强度随温度的变化,选择激发了不同格位的孤立的Eu^3 离子和处于相邻格位（C3i-C2)的Eu^3 离子对,结果表明,相邻Eu^3 离子对的能量传递速率比孤立的Eu离子之间的能量传递速率快,分析了纳米Eu^3 :Y2O3中猝灭浓度提高的原因。     

Eu~(3+)掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性

研究了Eu3+掺杂铌硅玻璃的5D0发射光谱,其激发谱中7F0 5D2声子边带,荧光窄化谱及5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示5D0 7F2 5D0 7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大,表明材料对称性降低,Eu-O键强增加,共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小,同样表明Eu-O键的距离减小,键强增加。随着Nb2O5的浓度增加,电 声子耦合增强,5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短。     

Eu^3＋掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性

研究了Eu^3 掺杂铌硅玻璃的^5Do发射光谱，其激发谱中^7Fo-^5D2声子边带，荧光窄化谱及^5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示^5D0-^7F2／^5D0-^7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大．表明材料对称性降低．Eu-O键强增加，共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小，同样表明Eu-O键的距离减小，键强增加。随着Nb2O5的浓度增加。电-声子耦合增强，^5D0能级的无辐射过程加快，寿命变短。