4,5二氢[1,2,4]三氮唑并[4-3-a]喹林衍生物的合成

为了寻找正性肌力作用更强、副作用较小的治疗充血性心力衰竭的正性肌力药物 ,本文参照有关二氢喹啉酮类化合物的结构与正性肌力活性的文献报道[1- 5] ,在喹啉环上并入三氮唑 ,设计合成了 4,5二氢 [1 ,2 ,4]三氮唑并 [4 3 ａ]喹啉衍生物 ,以进一步探索二氢喹啉酮并入三唑环对其活性的影响。其结构经质谱、红外光谱和核磁共振氢谱表征。1　合成路线以苯胺为起始原料 ,经酰化、环合、硝化、还原、硫代、环合得 6 氨基 4,5二氢 [1 ,2 ,4]三氮唑并 [4 3 ａ]喹啉衍生物 :2　实验部分熔点用毛细管法测定 ,温度计未校正。红外光谱仪为ＦＴ ＩＲ1 …     

高效毛细管电泳用于油田水及甘酪根水热降解物中有机酸分析

采用高效毛细管电泳分离，以间接检测方法对低碳一元及二元羧酸进行分析。结果表明：５种脂肪族一元及二元羧酸６ｍｉｎ内可获得完全分离。本法用于测定油田水及甘酪根降解物中的有机酸，结果与反相高效液相色谱所得结果相吻合。     

羟丙基甲基纤维素的接枝共聚及其在复合材料中的应用研究

在水溶液中以KMnO4／草酸／硫酸(氧化-还原引发体系)引发甲基丙烯酸甲酯在羟丙基甲基纤维素上的乳液接枝共聚。研究了引发剂组成、反应温度、反应介质的H^ 浓度等对接枝率的影响。结果表明：反应温度和引发剂组成对接枝率有显著影响。接枝纤维素经IR和DTA表征。用接枝纤维素填充聚氯烯(PVC)所得PVC复合材料的拉伸强度提高了20％。     

Ru—Co—Mo／Al2O3催化剂的加氢脱硫性能

考察了Ru助剂对Mo和Co-Mo/Al_2O_3催化剂加氢脱硫性能的影响,发现少量Ru(NO_3)_3的引入可显著提高催化剂的HDS(加氢脱硫)和HYD(环己烯加氢)性能。测定了硫化态催化剂的化学吸H_2、O_3和CO量,表明Ru助剂的作用主要是促进催化剂上形成更多的活性中心。     

低剂量铅对大鼠脑组织一氧化氮合酶表达及活性的影响

为探讨低水平铅损伤记忆功能的作用机理，采用ＮＡＤＰＨ－黄递酶组织化学方法和＾３Ｈ－瓜氨酸生成生物检测技术，观察了新生大鼠在４００ｍｇ／Ｌ醋酸铅染毒４０天后对脑组织内一氧化氮合酶表达及活性的影响。结果显示大脑皮质一氧化氮合酶阳性神经元数量明显减少（Ｐ〈０．０５），在海马区脑组织内一氧化氮合酶活性降低５４．４％。结论：低水平铅暴露后可抑制大鼠脑组织内一氧化氮合酶的表达及活性。     

聚酰亚胺纳米杂化材料的制备、结构和性能

介绍了聚酰亚胺（PI）纳米杂化材料的四种制备方法：溶胶－凝胶法、插层法、分散法、相转移分散聚合法。纳米粒子在PI材料中分散性良好。由于纳米粒子本身 性和纳米粒子改变了PI材料的应力作用点，随着SiO2,AIN等纳米粒子含量增加，PI杂化的玻璃化温度、热分解湿度、拉伸强度、断裂伸长率、杨式模量、密度增加，线性膨胀系数减少。对介电性能的影响因不同纳米材料而异。     

顺丁橡胶膜的卤代烷等离子体表面改性及其气体透过性能

本研究采用CF_2Cl_2、CF_2ClCF_2Cl及CF_4等离子体对顺丁橡胶膜表面进行了改性,改性后的复合膜用SEM、水的静态接触角以及XPS进行了表征,并测定了膜的气体透过性能。     

Nafion—MV修饰电极丙酮酸氧化酶生物传感器测定GPT的研究

用Nafion-甲基紫精修饰电极为基底,以牛血清白蛋白戊二醛为交联剂,将丙铜酸氧化酶固定在电极上,制成丙酮酸氧化酶生物传感器.用这种生物传感器测定人体血清中谷丙转氨酶(GPT)的活性,共存的尿酸、抗坏血酸等电活性物质不干扰测定.测定GPT的活性范围为0～110U/L,响应时间为50s.该传感器具有灵敏度高、抗干扰能力强和响应快等特点.     

硫化态Ru-Co-Mo/Al2O3加氢脱硫催化剂的表征

应用程序升温还原和化学吸附考察了硫化态Mo/Al_2O_3, Co-Mo/Al_2O_3, Ru-Mo/Al_2O_3, Ru-Co-Mo/Al_2O_3系列催化剂中的钴与钌的助剂作用. 实验结果发现, TPR谱图中Co-Mo/Al_2O_3上的Co 中心的还原峰强度比Co/Al_2O_3上的大大降低, 并且氧在Co-Mo/Al_2O_3上化学吸附量少于分别在Co/Al_2O_3和Mo/Al_2O_3上的吸附量之和, 说明钴和钼发生了相互作用, 可能生成了所滑的CoMoS相, 减少了独立的钴或钼中心. 与Co不同, 在Ru-Mo/Al_2O_3催化剂上助剂钌使得部分高温还原的Mo中心位移到中温区还原, 并且还增加了H_2和O_2在Mo中心上的吸附量, 这表明在硫化和还原过程中Ru促进了Mo中心的还原, 生成了更多的配位不饱和铝中心, 在Ru-Co-Mo/Al_2O_3催化剂上也发现了类似的钌助还原现象, 钉的这种助还原功能可以用氢溢流机理来解释.     

铝纳米晶的低温导电特性研究

采用真空热压技术将电磁感应加热-自悬浮定向流法制备的铝纳米粉末压制成块体样品.通过X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜及X射线能谱分析了铝纳米晶的微观结构,并用四探针法测量了不同温度下(8—300 K)样品的电阻率,研究了铝纳米晶的电阻率(ρ)随温度的变化规律.结果表明:由于晶界(非晶氧化铝)对电子的散射以及晶界声子对电子的散射效应,低温(40 K)下,铝纳米晶的本征电阻率随温度变化关系明显不同于粗晶铝,不仅呈现出T~4变化,还表现出显著的T3变化规律.因晶界等缺陷和非晶氧化铝杂质对电子的散射,铝纳米晶残余电阻率比粗晶铝电阻率大5—6个数量级.