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111.
112.
113.
以R600a压力式封闭系统喷雾冷却过程为研究对象,对其换热过程进行分析。对液滴撞击热面后的状态进行建模,分析了其运动状态。通过忽略液膜的对流换热,引入韦伯数来简化并修正雾滴与热源表面的对流换热系数关联式;借鉴二次成核理论,通过单位时间内,单位面积上覆盖的雾滴数量对核态沸腾换热系数关联式修正。通过上述分析,以对流换热和核态沸腾换热两种机理为中心,建立了新的换热系数关联式。通过与其他文献的关联式、实验测量值进行比较、不同工质进行比较、不同实验系统比较,发现该式预测值和实验测量值偏差在±20%以内,能够很好地预测压力式封闭系统喷雾冷却过程的换热系数。 相似文献
114.
在相场再结晶模型中提出了形式为 f(ηik,ηjk) = Es (ηide )2 (1-(ηjre)2)的冷变形储能项,并应用该模型模拟了 AZ31镁合金的再结晶过程,模拟结果和实验观测结果符合很好.研究表明, 引入储能释放模型可以实现再结晶形核物理过程的模拟; 模拟结果可以把合金在冷变形后退火的过程按照机理分为再结晶和热晶粒 长大两个阶段,模拟得出的理论再结晶时间是实验再结晶时间的2/3. 考察了冷变形应变大小对形变金属的亚晶粒尺寸和储能的影响机理和 试验结果,并将考察结果代入到改进后的再结晶模拟模型, 成功地再现了一个经典实验结果:随预先应变量的增加, 存在临界应变量对应的一个再结晶晶粒尺寸峰值.同时还给出了 这一经典实验结果的理论解释. 相似文献
115.
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制, 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.
关键词:
THz辐射
反应离子刻蚀
ZnTe 相似文献
116.
MgxZn1-xO thin films have been prepared on silicon substrates by radio
frequency magnetron sputtering at 60℃. The thin films have hexagonal
wurtzite single-phase structure and a preferred orientation with the c-axis
perpendicular to the substrates. The refractive indices of MgxZn1-xO films
are studied at room temperature by spectroscopic ellipsometry over the wavelength
range of 400--760\,nm at the incident angle of 70℃. Both absorption
coefficients and optical band gaps of MgxZn1-xO films are determined by
the transmittance spectra. While Mg content is increasing, the absorption edges of
MgxZn1-xO films shift to higher energies and band gaps linearly increase
from 3.24.eV at x=0 to 3.90\,eV at x=0.30. These results provide important
information for the design and modelling of ZnO/ MgxZn1-xO heterostructure
optoelectronic devices. 相似文献
117.
本文详细研究了稀土元素La3+、Gd3+、Tb3+、Lu3+、Y3+及Sc3+对铕苯甲酰二氟丙酮(BTA)-阳离子表面活性剂体系的荧光增强效应。结果表明,在上述增强离子的分别存在下,体系的荧光强度分别增加17、75、65、5、55和18倍,铕浓度在1.0×10-10-8.0×10-7mol/L范围内与荧光强度成线性关系,最低检出限为1.0×10-11mol/L利用标准加入法测定了混合稀土氧化物中的铕,结果满意。 相似文献
118.
差分吸收光谱技术(DOAS)已经发展为监测对流层痕量气体的重要技术,一般采用光电倍增管(PMT)作为探测器.由于光电二极管阵列(PDA)在多道探测及像元灵敏性方面的优势,采用PDA代替扫描探测装置将能改善系统剩余噪声,提高系统性能.但实际应用中由于使用收发一体Cassegrain望远镜造成灯谱与大气谱结构不统一,在消除PDA像元间差异的过程中给系统带来误差,从而导致剩余噪声的标准偏差达到1.4×10-3.根据光纤扰模原理在系统中加入自制光纤模式混合器很好的解决了上述难题,在实际应用中起到良好的作用,系统剩余噪声的标准偏差为3.4×10-4.
关键词:
差分吸收光谱
扰模
模式混合器
剩余噪声 相似文献
119.
桑立雯 ;秦志新 ;岑龙斌 ;沈波 ;张国义 ;李书平 ;陈航洋 ;刘达艺 ;康俊勇 ;成彩晶 ;赵鸿燕 ;鲁正雄 ;丁嘉欣 ;赵岚 ;司俊杰 ;孙维国 《中国物理快报》2008,25(1):258-261
We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D* is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current. 相似文献
120.
染料分子吸附在正、负电性纳米银上的荧光增强及荧光猝死现象 总被引:2,自引:1,他引:2
制备了两种不同表面电性的胶态纳米银,选取阴离子型染料分子荧光素钠、既有阴离子基团又有阳离子的染料分子罗丹明B,研究其在两种纳米银表面的荧光增强及荧光猝死现象,当罗丹明B(RhB)分子分别吸附在这两种纳米银上时,对负电性纳米银,观察到荧光猝死、荧光峰红移现象,且在分子的浓度适当时,加入KBr可获得较强的表面增强拉曼光谱:在正电性纳米银上,当分子的浓度较大时观察到荧光猝灭,当分子的浓度较小时观察到荧光增强,而当荧光素钠分子(FS)分别吸附在这两种纳米银上时,在负电性纳米银,观察到荧光猝死;在正电性纳米银上观察荧光急剧增强现象,从分子的结构及纳米银表面局域场增强或无辐射通道的增加对增强和猝灭的原因作了讨论。 相似文献