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51.
表面能对纳米颗粒的晶格收缩和固有频率的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
由于纳米颗粒具有很大的比表面积,因此,表面能对它的力学性能有着不可忽略的影响.本文给出了由表面能所导致的纳米颗粒晶格收缩效应的解析结果,与试验观察定量上相当一致;计算了表面能对纳米颗粒固有频率的影响,预测了由于表面能的影响,纳米颗粒出现的“振动软化”现象. 相似文献
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1会议概况非均质材料的力学(Mechanicso(Heterog’-neonsMaterials)国际研讨会于1999年6月21日和22日在法国Grenoble市举行.出席者共有来自中国、法国、意大利、波兰、瑞士、西班牙、英国和美国的70多位学者.会议上作了27个特邀报告.组委会特别感谢了J..LChaboche(法)、CHuet(瑞士)、S.Nemat-Nasser美)、T.Onat美)、A.J.M.Spencer(英)、JR.WilliS(英)、A.Zaolli(法)和郑泉水(t)的出席和演讲.会议由法国Grenoble的3S实验室(Labora-tolreSolsSolidesStructures)F.Darve和B.Loret教授发起… 相似文献
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54.
研究含汞土壤的修复问题,采用热解析和低温等离子体综合技术探究新途径,调整温度、添加剂、时间等因素来判断脱汞效果并探究其不同形态,分析工艺过程废料的内部联系,并对废气处理进行分析实验。结论如下:(1)通过改良技术的BCR连续萃取法,得出研究区汞的形态主要为有机结合态(53%)。之后依次是氧化物结合态(33%)、酸可提取态(8%)、残渣态(6%)。(2)温度对热解析程度影响较大。在500℃以上的热解析条件下,土壤中的汞浓度不足1.5 mg·kg-1。(3)当选用400℃的解析温度时,40 min汞去除总体完成。在低于1 700 mg·kg-1的浓度下,汞去除率随着土壤中的含量的增大而减小。(4)氯化钙对于热解析的促进作用最强,柠檬酸、升华硫也有一定作用,硫化钠对于汞去除形成阻滞。(5)低温等离子体的最佳状态是电源设置电压为22 kV,频率为660 Hz。整个系统的汞去除程度可达近90%。 相似文献
55.
应用分子动力学模拟技术,对二棕榈酰磷脂酰胆碱双分子层进行退火模拟,从微观水平上深入研究磷脂双层膜的相转变行为.在相变温度附近,磷脂双层膜的物理性质发生突变.在两相各自的温度范围内,凝胶相磷脂双层膜的物理性质随温度变化不明显,但液相呈缓和变化.凝胶相与液相磷脂双层膜的分子构象与其排布方式截然不同:从侧视图来看,前者脂质分子尾链纵向伸展,上下两叶未见交错,叶间隙清晰,后者脂质分子尾链横向弯曲,上下两叶并有交错,叶间隙消失;从俯视图来看,前者脂质分子烃链以极其规律的六角边形方式排列,而后者脂质分子烃链排列杂乱无章. 相似文献
56.
A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser 下载免费PDF全文
A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well (QW) vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) based on an intra-cavity contacted structure is fabricated. A threshold current of 1.5 mA for a 22 μm oxide aperture device is achieved, which corresponds to a threshold current density of 0.395 kA/cm2. The peak output optical power reaches 17.5 mW at an injection current of 30 mA at room temperature under pulsed operation. While under continuous-wave (CW) operation, the maximum power attains 10.5 mW. Such a device demonstrates a high characteristic temperature of 327 K within a temperature range from -12℃ to 96℃ and good reliability under a lifetime test. There is almost no decrease of the optical power when the device operates at a current of 5 mA at room temperature under the CW injection current. 相似文献
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