分形滤波在高精度海洋重力仪数据处理中的应用研究

为有效地消除各种外界干扰噪声对高精度海洋重力仪测量值的影响,提高重力异常测量值的精度,在分析基于分形理论的滤波算法基础上,首次将其应用到高精度海洋重力仪系统数据处理中,并与自适应卡尔曼滤波进行对比分析,以实际信号数据与处理后信号数据的均方差作为衡量两种数据处理方法好坏的依据。理论分析和仿真实验表明:分形滤波方法和自适应卡尔曼滤波都能在一定程度上消除干扰噪声对重力异常信号的影响,但在相同背景条件下,分形滤波的性能优于自适应卡尔曼滤波。     

硫酸根对钙基层状双金属氢氧化物去除SDS的影响

利用铝酸三钙（C3A）水化合成钙基层状双金属氢氧化物（CaAl-LDH-Cl）。通过静态吸附实验考察不同十二烷基硫酸钠（sodium dodecyl sulphate,简称SDS）初始浓度下,CaAl-LDH-Cl在SDS体系、SDS-SO42-共存体系中对SDS的吸附效果,并结合XRD、FTIR、SEM和TG等测试手段探究硫酸根对CaAl-LDH-Cl去除SDS的影响机制。结果表明:SDS-SO42-共存体系中CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附量(4.65mmol·g-1)明显高于SDS体系吸附量(3.42mmol·g-1);两种体系中CaAl-LDH-Cl吸附SDS的行为均符合Langmuir模型,属于单分子层吸附;硫酸根促进CaAl-LDH-Cl去除SDS的机理:（1）CaAl-LDH-Cl自溶解产生的Ca2+与SDS生成Ca-SDS沉淀,以及SO42-通过离子交换作用生成的CaAl-LDH-SO4,均增加了产物的层间距,提高CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附量;（2）SO42-的存在有利于SDS胶束形成,促进了CaAl-LDH-Cl对SDS的吸附。     

（3-氧代苯并异噻唑啉-2-基）羧酸烷酯的合成及抑菌活性研究

以1,2-苯并异噻唑啉-2（3H）-酮为原料,通过＂一锅法＂制备了8种（3-氧代苯并异噻唑啉-2-基）羧酸烷酯,结构经IR、1H NMR和元素分析确认。抑菌活性实验表明,化合物在浓度为2mg/L时对亚心型扁藻、球等鞭金藻和蛋白核小球藻的生长都有抑制活性,其中部分化合物（2c～2h）对球等鞭金藻和蛋白核小球藻的生长有优良...     

Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究（英文）SCIEI北大核心CSCD

采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e,A^0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D^0,X)占主导,而(e,A^0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e,A^0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In_(Cd)^+V_(Cd)^(2-)]^-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。     

多壁碳纳米管功能化及其在电化学葡萄糖传感器中的应用

利用硅烷偶联剂的表面修饰技术,将氨基丙基三乙氧基硅烷(APS)共价接枝到酸处理后的碳纳米管的表面.红外光谱数据证实了该反应的可行性.修饰后的碳纳米管在水中具有良好的分散性.利用西夫碱反应将氨基化的碳纳米管与醛基化的葡萄糖氧化酶共价层层自组装到电极表面,获得灵敏度可控的葡萄糖传感器.用电化学交流阻抗法和扫描电镜对成膜过程...     

蝴蝶定理在高考试题中的应用——2022全国甲卷理科第20题背景探幽

<正>1 试题呈现例 (2022全国甲卷520)设抛物线C:y2=2px(p>0)的焦点为F,点D(p,0),过点F的直线交C于M,N两点.当直线MD垂直于x轴时,|MF|=3.(1)求C的方程;(2)设直线MD,ND与C的另一个交点分别为A,B,     

空气斜槽浓相煤粉输送的实验研究

在一个长7 m的空气斜槽内进行浓相输送煤粉的实验研究.实验结果表明,随着空气表观速度增加,煤粉饱和输送量先增加,随后达到稳定,约为0.25kg/s.槽倾角低于5°时,煤粉不流动.倾角在5°～7°内,煤粉的饱和输送量和最大固气质量比随角度变化不明显,但随倾角增大,处于最大固气比下的工作空气速度范围增大.输送槽高度对煤粉的...     

Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress

Owing to the fifll isolation and minimization of the silicon active volume, silicon-on-insulator （SOI） tech- nology has better resistance against transient ionizing effects like single event effects （SEE） or latch up.However, the total ionizing dose （TID） irradiation responses of SOI transistors are more complex than bulk-silicon devices. In addition to the gate and par- asitic field leakage current, which are common to SOI and bulk-silicon devices, irradiation induced charges trapped in the SOI buried oxide （BOX） can also affect SOI device performance. Typically, there is a par- asitic edge transistor in the back-gate of SOI devices paralleled with the main transistor, which is formed by the corner region of the silicon island. Due to the high electric field induced by the back-gate voltage at the corner of the silicon island, the threshold of the parasitic edge transistor is lower than the main transistor, resulting in a sub-threshold hump in the transfer characteristic of the back-gate transistor. Even though the threshold of the parasitic edge tran- sistor is lower than the main transistor, it is still larger than zero, which has no effect on the front- gate of devices. However, the sub-threshold hump in the back-gate is the ＇Achilles heel＇ for total dose responses of deep sub-micron SOI n-type metal-oxide- semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） iso- lated by shallow trench isolation （STI）. As reported in Refs., the threshold of the parasitic edge transis- tor is negative shifted by radiation-induced charges trapped in STI, leading to off-state leakage in the front-gate of devices.     

基于交织序列的偏振方向映射方法

偏振方向是偏振成像技术中的基本信息之一,能够反映出场景物体表面的方向信息,因此场景中偏振方向的分布对场景信息的解译有着重要的作用。传统的偏振方向表示方法存在着二维或三维信息映射方法的映射结果维度较高和由映射关系的距离相关性低而引起的映射方法噪声鲁棒性低问题。提出了具有距离保持特性的基于交织序列的偏振方向信息一维数值映射方法。选择从斯托克斯矢量分量中提取方向信息作为偏振方向的二维映射方法,再基于交织序列方法将二维数据映射为一维数值;之后研究了距离保持特性与映射方法对噪声鲁棒性的关系,并分析了该文所提出的偏振方向映射方法与传统偏振角映射方法的距离保持特性;进行了仿真实验与真实场景实验。仿真实验中,该文所提方法映射结果的PSNR均值相较于偏振映射方法提升了6%;真实场景实验中,该文方法映射结果相较于斯托克斯矢量映射方法降低了信息维度,相较于偏角映射方法,NMF特征的NRPSNR均值提升约14%,证明了所提出的映射方法具有低信息维度及较好的噪声鲁棒性。     

Pressure tuning of the anomalous Hall effect in the kagome superconductor CsV3Sb5

Controlling the anomalous Hall effect(AHE)inspires potential applications of quantum materials in the next generation of electronics.The recently discovered quasi-2D kagome superconductor CsV₃Sb₅ exhibits large AHE accompanying with the charge-density-wave(CDW)order which provides us an ideal platform to study the interplay among nontrivial band topology,CDW,and unconventional superconductivity.Here,we systematically investigated the pressure effect of the AHE in CsV₃Sb₅.Our high-pressure transport measurements confirm the concurrence of AHE and CDW in the compressed CsV₃Sb₅.Remarkably,distinct from the negative AHE at ambient pressure,a positive anomalous Hall resistivity sets in below 35 K with pressure around 0.75 GPa,which can be attributed to the Fermi surface reconstruction and/or Fermi energy shift in the new CDW phase under pressure.Our work indicates that the anomalous Hall effect in CsV₃Sb₅ is tunable and highly related to the band structure.