聚乙烯-聚异戊二烯两嵌段共聚物的合成和表征

以正丁基锂为引发剂,阴离子聚合合成了聚丁二烯-聚异戊二烯两嵌段共聚物,然后以2-乙基己酸钴/三乙基铝配位络合催化体系,将其中丁二烯段进行选择性氢化,制备了聚乙烯-聚异戊二烯两嵌段共聚物.对这两种嵌段产物分别用红外光谱、GPC,粘度法、DSC、X-射线衍射和动态力学谱等方法进行了表征.     

拟合隐函数曲线的GNL法

１参数可线性化的曲线拟合问题假设我们已经获得ｎ组独立观测值（ｘｉ,ｙｉ）,其中是精确观测值,ｉ＝１,２,…,ｎ,下同．现欲在最小二乘意义下,拟合非线性模型并假设观测点都分布在模型函数曲线附近．其中为连续可导函数ｇ（ｙ）的反函数,且在我们所研究的ｙ变化范围内恒有ｇ’（ｙ）≠０,（ｊ＝１,２.....下同）为ｐ（＜ｎ）个待定参数．（ｘ）为区间Ｘ内ｐ个线性无关的已知连续函数．随机变量,即为也就是要求求解残差平方和Ｑ（）的无条件极值问题其中参数向量,残差向量,而残差都是微量．对这类常见问题,有以下几种算法．…     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

HFC32/HFCl43a/HFCl34a在空调/直接式蓄冷空调循环中替代HCFC22的研究

提出探讨了一种有希望替代HCFC22的三元混合工质—HFC32／HFCl43a／HFCl34a。理论制冷循环和水合性能分析表明。在推荐组成下该物系的热力学性质与HCFC22基本相当,理论制冷循环GOP和容积制冷量均略优于HCFC22,在空调循环蒸发工况下能够形成气体水合物。     

气相色谱分析样品的提取与富集技术

对几种常用或新近发展起来的气相色谱分析样品的提取和富集方法如固相萃取法、吹扫——捕集法、热解析法等作了简要论述,着重讨论了它们的应用特点、优缺点,并对这几种提取、富集方法进行了比较。     

利用LiDAR系统对飞机残骸进行分析的新方法

飞机失事的事故率较低,但损失一般较为严重.对飞机残骸现场的有效记录,能够帮助我们了解失事场景,并进行后续分析,但国内外相关研究较少.本文利用一套LiDAR系统对事故现场进行测绘和三维尺度图像信息保存.并结合改进的ICP算法实现了更高精度的点云拼接,从而对失事前后的同一部件进行对比分析,以确定其受力和变形情况,进而帮助确定失事原因.与其他飞机失事场景记录方法相比,该系统三维重现效果更好.     

硒化锑薄膜太阳电池的模拟与结构优化研究

采用wx-AMPS模拟软件对硒化锑(Sb_2Se_3)薄膜太阳电池进行建模仿真,将CdS, ZnO和Sn02的模型应用到Sb_2Se_3太阳电池的电子传输层中.结果显示,应用CdS和ZnO都能实现较高的器件性能,并发现电子传输层电子亲和势(Xe-ETL)的变化能够调节Sb_2Se_3太阳电池内部的电场分布,是影响器件性能的关键参数之一.过高或者过低的Xe-ETL都会使电池的填充因子降低,导致电池性能劣化.当Xe-ETL为4.2eV时,厚度为0.6μm的Sb_2Se_3太阳电池取得了最优的7.87%的转换效率.应用优化好的器件模型,在不考虑Sb_2Se_3层缺陷态的理想情况下,厚度为3μm的Sb_2Se_3太阳电池的转换效率可以达到16.55%(短路电流密度J_(SC)=34.88 mA/cm~2、开路电压V_(OC)=0.59 V、填充因子FF=80.40%).以上模拟结果表明,Sb_2Se_3薄膜太阳电池在简单的器件结构下就能够获得优异的光电性能,具有较高的应用潜力.     

ZnO单晶的微区光致发光特性研究

ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮,因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方式,对ZnO单晶进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱实验,分析研究了ZnO单晶在不同温度(低温)和不同激光能量强度照射下其光致发光特性。研究结果表明,ZnO单晶内存在少量杂质及表面氧缺陷,这些结构对其发光特性有一定的影响;在低温条件下,ZnO单晶具有良好的发光特性,且随着温度的提高,发光光谱峰的位置会向长波长方向移动,但强度会减小;当激光光源的强度增大,ZnO单晶的PL发射光谱的强度也会随之增大,且峰的位置和相对强度不变。结合拉曼(Raman)光谱实验,从分子及原子振动、转动类型验证了纤锌矿ZnO单晶的六方晶系结构;配合X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)技术,得出ZnO单晶良好的结晶特性以及晶轴取向。     

Identification of surface oxygen vacancy-related phonon–plasmon coupling in TiO_2 single crystal

Oxygen vacancies(OVs) play a critical role in the physical properties and applications of titanium dioxide nanostructures, which are widely used in electrochemistry and photo catalysis nowadays. In this work, OVs were artificially introduced in the surface of a pure TiO_2 single crystal by pulsed laser irradiation. Raman spectra showed that the intensity of E_g mode was enhanced. Theoretical calculations disclose that this was caused by the strong coupling effect between the phonon vibration and plasmon induced by the OVs-related surface deformation, and good agreement was achieved between the experiments and theory.     

Broadband chirped InAs quantum-dot superluminescent diodes with a small spectral dip of 0.2 dB

We report on the fabrication and characterization of InAs/GaAs chirped multilayer quantum-dot superluminescent diodes (CMQD-SLDs) with and without direct Si doping in QDs. It was found that both the output power and the spectral width of the CMQD-SLDs were significantly enhanced by direct Si doping in the QDs. The output power and spectral width have been increased by approximately 18.3% and 40%, respectively. Moreover, we shortened the cavity length of the doped CMQD-SLD and obtained a spectral width of 106 nm. In addition, the maximum output power and spectral width of the CMQD-SLD doped directly with Si can be further increased to 16.6 mW and 114 nm, respectively, through anti-reflection coating and device packaging. The device exhibited the smallest spectral dip of 0.2 dB when the spectrum was widest. The improved performances of the doped CMQD-SLD can be attributed to the direct doping of Si in the QDs, optimization of device structure and device packaging.