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522.
磨损方程ΔW=KP~aV~bt~c中的参数a、b、c可以用回归法或平均值法来计算。计算结果与文献值相比,前者的误差不大于±5%;后者不超过±10%,只要试验次数超过3次以上,可明显提高精度。 相似文献
523.
低焓能源系指150℃以下的中低温载热流体.分析这类能源的力能效果应该以“可用能量利用系数”为指标,不宜用“热效率”,作者在文献[1]中已详加论述.本文是文献[1]的引伸,以运用低沸点介质的双流体循环热力系统(图1)作为低焓能源利用模型,对低温地下热水试验电站进行热力学分析. 相似文献
524.
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527.
本文利用Brambilla的波导阵列理论,结合HL-1装置的具体参数,计算了2.45 GHz低杂波耦合系统的波谱及波能的总体反射系数与边界等离子体密度剖面的关系。结果表明,要得到好的耦合效率及适合于电流驱动实验的波谱,有必要使波导口伸入孔栏阴影区1—1.5cm,使之尽量突破截止层,同时调节各波导间的相位差在70°—100°之间。 相似文献
528.
A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3+离子的宽带发射光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
首次报道在A3M2Ge3O12:Cr(A=Cd^2+,M=Al^3+,Ga^3+,Sc^3+)锗酸盐石榴石体系中,Cr^3+离子室温下的红-近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Al^3+→Ga^3+→Sc^3+和十二面体格位上的Cd^2+→Ca^2+组成顺序变化,室温下,Cr^3+离子的^4T2→^4A2能级跃迁的R-NIR宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。 相似文献
529.
GaN材料作为第三代半导体材料,具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点,是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟,因此图形化外延生长法是一种较好的选择。本文基于SOI(silicon-on-insulator)基片,利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺,设计并加工了工作在太赫兹波段的、可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅。光栅周期为16μm,光栅宽度为6μm,峰值位置为25.901μm。通过仿真优化,设计的微驱动器在水平电压220V时,水平方向上的位移为±7.26μm;垂直方向加200V电压时,垂直位移2.5μm。为了研究在图形化SOI衬底上外延生长的InGaN/GaN量子阱薄膜的光学性能,用激光拉曼光谱仪对薄膜进行了光致发光光谱实验。实验结果表明,InGaN/GaN量子阱薄膜具有良好的发光性能,其发光范围为350~500nm,覆盖了紫外光到黄绿光。由于局域态效应与禁带收缩的作用,随着环境温度由10K升高至室温,薄膜的PL光谱的峰位呈现"S"形变化趋势。 相似文献
530.
发展了一种基于分子相互识别的蛋白质分类方法, 应用数据挖掘策略与统计学聚类, 根据辅酶A (coenzyme-A, CoA)结合蛋白的结合模式特征数据, 通过对比和分析多种分类方法对该体系的分类准确度, 对这类体内重要的蛋白进行了分类方法学研究, 选择了最优的两步聚类法. 本研究工作设计和建立了一个分类参数, 可以简洁有效地评价出各个结合特征的显著性与重要性, 并以此为依据从所有特征中筛选出决定性的特征变量. 研究结果所得到的CoA结合蛋白的三个分类, 都具有显著的氢键与疏水结合特征; CoA可以与多个生物活性关键氨基酸残基形成氢键作用. 这些相互作用的共性及分类上的差异, 说明了配体与不同受体相互作用过程中结合模式上的细微差别, 对于以CoA结合蛋白为靶点的选择性调控分子设计具有重要的参考意义与指导作用. 相似文献