两类Mycielski图及一些平面图的均匀全色数

对于图G(V,E)的正常k-全染色φ称为G(V,E)的k-均匀全染色,当且仅当任意两个色类中的元素总数至多相差1.xvee(G)=m in{k存在图G的一个k-均匀全染色}称为G的均匀全色数.本文得到了两类M ycielsk i图及圈,轮图和扇形的均匀全色数.     

原子转移自由基聚合法合成磺胺类片段印迹聚合物及其表征

采用原子转移自由基聚合与片段印迹技术相结合的方法,以磺胺类物质的结构类似物4,6-二氯嘧啶为模板合成印迹聚合物。以4,6-二氯嘧啶(模板)︰甲基丙烯酸缩水甘油酯(功能单体)︰2,2'-联吡啶(配体)的摩尔比为10︰180︰1合成印迹聚合物。控制反应温度为60℃,反应时间为5 h。印迹聚合物的吸附量为1.48 mg/g,非印迹聚合物的吸附量为0.73 mg/g。以合成的聚合物为新型材料,对样品中的兽药残留进行选择性分离、富集,结果表明印迹聚合物的选择吸附能力明显优于非印迹聚合物。通过电镜扫描对聚合物的表面形态进行了表征。     

聚对苯二甲酸乙二酯溶剂诱导结晶研究 Ⅲ．溶剂对聚对苯二甲酸乙二酯玻璃化转变温度的影响

应用动态力学方法测定了聚对苯二甲酸乙二酯ＰＥＴ／溶剂体系的粘弹谱，从实验上证实溶剂对ＰＥＴ进行增塑，使其玻璃化转变温度降低，导致ＰＥＴ在低下通常的结晶温度下结晶，甚至在室温便进行结晶，证明溶剂诱导结晶是由于玻璃化转变温度降低的机理是正确的。可接受的。     

低共熔溶剂催化有机合成反应的研究进展

低共熔溶剂(DESs)是一种新型的离子液体(ILs)类似物,与传统有机溶剂、离子液体相比,DESs具有低毒、廉价、易于合成、生物可降解性等特点,因此在众多领域广受关注。近年来DESs在有机合成领域备受关注,被广泛用作合成反应的溶剂、催化剂、反应物等,在有机反应方面存在很大发展空间,本文综述了DESs在有机合成反应中的应用,重点讨论其在氧化还原反应、取代反应、缩合反应、环化反应等方面的研究进展,为其开发应用提供新思路。     

3-吲哚羧酸的性质对其印迹聚合物印迹效率的影响

以3-吲哚丙酸(IPA)和3-吲哚丁酸(IBA)为模板分子,4-乙烯基吡啶(4-Vpy)为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,乙腈为致孔剂,利用非共价本体聚合法,制备了印迹聚合物P(IPA)和P(IBA),并用色谱法评价了其分子识别性能。结果表明,P(IPA)和P(IBA)分别对IPA和IBA具有分子识别能力,静电作用在其分子识别过程中起重要作用。此外,对P(IPA)、P(IBA)和同样条件下制备的3-吲哚乙酸(IAA)印迹聚合物P(IAA)的分子识别能力进行了比较,乙腈为流动相时,P(IAA)、P(IPA)和P(IBA)对各自模板分子的印迹因子IF值分别为大于6.00,4.27和2.28,即随着3-吲哚羧酸羧基碳链的增长,其印迹效率降低。结果表明,在P(IPA)和P(IBA)中,分别存在与对应的模板分子互补的印迹空穴;随着3-吲哚羧酸酸性的降低,印迹聚合物的印迹效率降低。     

铁、锌、锰、钙在出血性脑卒中患者脑脊液中的含量变化及临床意义探讨

对正常对照组与出血性脑卒中患病组脑脊液的微量元素含量的变化作了比较分析。结果表明 ,测定的五种元素中 ,患病组中铁、锌、锰、钙含量均显著上升 (P <0 0 1 )。脑脊液微量元素含量的改变 ,有助于脑卒中类型的鉴别诊断和提出新的临床治疗方法。     

聚对苯二甲酸乙二酯的熔融双峰

未拉伸聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、单轴拉伸PET、双轴拉伸PET在不同条件下热处理,并进行了DSC热分析、X-射线衍射分析、红外分析。结果表明:熔融双峰现象起因于DSC等速升温过程中PET的部分熔融和重结晶;低温峰是等温热处理过程中形成的不完善微晶的熔融峰,高温峰是重结晶后较完善的微晶的熔融峰;在等速升温过程中,PET晶胞参数不变、晶格完善、晶粒增大,并且规则折迭链增加,但晶粒随温度增大的过程中出现低谷。     

锌电极有机复配缓蚀剂的性能研究

应用极化曲线、表面张力、放电实验和SEM等测试方法,研究了阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(简称SDBS)和非离子表面活性剂吐温-20(简称Tween)之复配体系(简称ST)在碱性介质中对锌电极电化学性能的影响及其作用机理.实验表明,复配缓蚀剂ST具有比单一添加SDBS或Tween更高的缓蚀效率,并且二者具有明显的协同作用,Tween在复配体系中的作用是使活性物质于锌电极表面的临界胶团浓度显著降低,吸附分布更加均匀.从而可更有效的抑制锌电极腐蚀,改善锌电极的表观形貌,达到延迟钝化的效果,使活性物质利用率得到显著提高.     

多级结构SiC纤维制备及电化学性能研究

鉴于中空和表面多级结构有助于提升超级电容器电极材料电化学储能性能,以正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源,以PVP为助纺剂,运用静电纺丝结合碳热还原技术制备出中空SiC纤维,并采用渗硅技术在SiC纤维表面构筑出球形纳米颗粒的多级结构.研究表明,采用静电纺丝结合碳热还原可以得到具有中空结构、连续性好且结晶程度较高的β-SiC纤维,其比电容为22 F/g.采用渗硅工艺可在β-SiC纤维表面生长球形颗粒多级结构,提升其电化学性能,使其具有较大比电容,为54 F/g.