Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.     

α—萘酚胁迫对普通小球藻生长及抗氧化酶活性的影响

研究了α－萘酚对普通小球藻的生长、光合色素的MDA含量及抗氧化酶9SOD、CAT、POD）活性的影响,结果表明,随着α－萘酚浓度的升高,藻的生长速率、叶绿素a与类胡萝卡素的含量,SOD、CAT、POD活性均先升高后下降,除POD活性在5．00mg.L^－1时达到最大值外,其余均在2．00mg.L^-1达到最大,而在α－萘酚浓度低于2．00mg.L^-1时,MDA含量变化不大,只有当3种抗氧化酶活性呈不同的下降后,MDA含量才急剧上升,膜脂过氧化加剧,说明α－萘酚导致普通小球藻膜脂过氧化是其致毒机制之一,而抗氧化酶在一定污染物浓度范围内具有防御保护作用。     

退火对PECVD制备的掺磷硅薄膜及其电阻温度系数影响的研究

本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明:未退火样品主要为非晶/微晶混合相;当退火温度从500℃上升到700℃,薄膜结构呈现出先向非晶相转变,后完全晶化的趋势,与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加而单调减小。文中我们采用Lu的模型对上述实验结果进行了解释,认为由Si-P键构成的晶界势垒高度的变化是上述实验结果的根本原因。     

半同胚空间类中存在最弱拓扑的条件

若(X,τ)是 S_1-空间,S_τ是它的半开集族[τ]={σ:σ为 X 的拓扑且 S_σ=S_τ)。本文到如下结果:1)若[τ]有最弱拓扑τ(?),则(X,τ(?))是(X,τ)的半正则化空间。2)[τ]中有最弱拓扑的充要条件是(X,τ)的每个非空开集都包含非空的正则开集。因为 T_1一空间是 S_1空间,伪度量空间是 S_1一空间但未必是 T_1一空间。所以,我们的结果推广了[1]中的定理5、推论5和定理6。     

2-Harmonic Maps Between Riemannian Manifolds and Conservation Laws (Ⅱ)

For harmonic map f: M→N,P.Baird and J. Eells have successfully foundout its stress-energy tensor S_f=e(f)g- f*h,which is called 1-stress-energy tensorin order to differ from what we’ll develop later.In view of the original defini-tion of 2-harmonic maps,people would ask what is the associated 2-stress-energytensor and the second conservation law of 2—harmonic maps.     

ΛN张量相互作用的首次观测

在用HYPERBALL进行的16ΛO的γ射线谱学测量中, 观察到由16ΛO的6.6 MeV 1－2 激发态跃迁到基态自旋翻转二重态( 1－1和0-)之间的两条γ射线. 由这两条γ射线的能量差得到基态二重态之间的能量间隔为26.4 ± 1.6(stat) ± 0.5(syst) keV, 并由此推导出ΛN之间的张量相互作用强度T=0.03MeV.实验还测定了16ΛO的激发态的激发能为6561.7 ± 1.1(stat) ± 1.7(syst) keV.     

多通道表面放电光泵浦源触发特性研究

 介绍了多通道表面放电光泵浦源的设计，理论分析了触发电压幅值及上升时间、绝缘基板厚度等参数对所设计光泵浦源触发特性的影响。分析表明：在触发电压作用下，通道两电极处电场出现强烈畸变，而通道中间电场基本为零。采用高速相机拍摄泵浦源的放电图像以及电流线圈测量各通道的放电电流这两种方法实验研究了泵浦源的同步性及放电均匀性。当氮氩混合气体总气压为0.1 MPa (氮氩体积比为3∶7)，充电电压20 kV，触发电压30 kV，前沿约10 ns时，成功实现了10通道均匀放电，抖动约20 ns。实验结果表明：在保证放电装置绝缘良好的情况下，若充电电压和触发电压越高，触发电压上升时间越短，触发电极至通道的有效距离越短，则多通道放电的抖动就越小，放电均匀性越好。     

确定最优价格的一些数学方法

<正> 一 价格问题直接关系到国家、集体、个人各个方面的经济利益,它是各种经济关系的综合表现.为了发展社会主义生产,保证人民生活水平的不断改善和提高,党和政府一贯采取控制和保持生活必需品和关系到国计民生的关键性商品价格基本稳定的方针.十一届三中全会以来,为了在一定范围内调节生产和消费关系,更进一步发展生产,搞活经济,对