半相依回归系统参数的广义压缩估计

本文对二个相依回归方程组成的线性回归系统(1,1),在设计矩阵呈病态时,提出了—类改进估计广义压缩估计类,讨论了这类估计的可容许性和均方误差下的比较。     

电子碰撞亚稳态氦电离截面的计算

在电子和激发态原子散射的物理过程中，靶的连续态是非常重要的通道，我们使用等价局部光学势模型计算了从电离阈值到２００ｅＶ能量范围的氦的２３Ｓ亚稳态的电离截面，并同实验结果作了比较。     

生物组织光传播的时域特征分析

采用蒙特卡罗方法对脉冲光在组织中传播的时域特征作了研究，并把计算结果与漫射理论的解析解作了比较，文中详细分析了组织光学特性参数与组织表面时间分辨的漫反射光分布之间的关系。结果表明：散射系影响着漫反射光强到达峰值的时间，吸收系数影响着漫反射光强在峰值之后随时间下降的速度，而ｇ因子对响应曲线的前沿影响较大，在后沿阶段基本上没有影响。     

关于正交设计与均匀设计的比较（Ⅰ）

本文通过对优化效率的比较，说明在主要方面正交设计要比均匀设计更好。     

高压合成立方氮化硼用的新触媒材料的研究

 本文研究了合成立方氮化硼用新触媒材料Mg₃B₂N₄及Ca₃B₂N₄的制备方法，并对它们的稳定性及其催化作用进行了讨论。氮化硼原料的结晶状态及合成温度、合成时间、气流量等对新触媒的合成有着重要的影响。本文还在高温高压下利用新触媒进行了立方氮化硼的合成实验，结果表明，与碱土金属触媒相比新触媒具有合成压力低、转化率高、合成温度和压力范围宽、产物杂志含量低、破碎强度高等优点，是一种应用前景很大的触媒材料。     

用光学显微术和X-射线衍射法研究焦炭结构

用X-射线衍射测定了具有各种不同光学组织(从各向同性到直径大于60μm 的广域)的24种焦炭。研究了光学组织指数(OTI)与微晶高度和面间距之间的关系。对于光学组织中大于中粒锒嵌(1.5—5.0μm)的焦炭,其OTI 值随X-射线衍射指数的变化很小。对于光学组织中结构很小的焦炭,则微晶高度急剧下降和面间距增加。这些结果可以解释为当生成中粒锒嵌焦炭时,流动中间相融并,消除了缺陷。而光学组织尺寸较小的焦炭则是未经融并,因此缺陷残存于焦炭中,从而降低了结晶化程度。     

高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究

 在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下，从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO₃、单稀土氧化物Tb₄O₇、CeO₂和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO₂+Tb₄O₇等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa，温度高于600 ℃时发现了混合物CeO₂+Tb₄O₇、氧化物Tb₄O₇中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明，对应这一电阻变化，在结构上出现了变化。结果分析表明，这一变化与Tb⁴⁺→Tb³⁺的价态变化密切相联。     

圆锥形壳体的固有振动特性

本文报导了20个不同结构形式和尺寸的圆锥壳试件的振动实验结果,包括固有频率测定数据和沿母线方向振动型式以及节线分布的测量结果,同时也探讨了实验方法.实验结果证实了圆锥壳振动型式与锥角及周向波数有关的推断,这一特性应作为运用直接法计算时选取振型函数的参考.文中给出了按Ritz法和分解法计算的结果,与突验数据作了比较和讨论.同时还给出了按分解法计算任意封顶锥壳的曲线图表,以利工程设计计算应用.     

检驗半导体材料导电类型的几种化学处理法

近些年来,半导体在科学技术中有着广泛的应用,半导体工业获得了飞跃的发展。随着半导体工业的发展,对半导体材料的貭量检驗提出了更高的要求,要求有更多、更方便和更准确的方法來检驗它的貭量。检驗半导体材料貭量的重要任务之一,是检驗它的导电类型的单一性。一般常用探針法来确定半导体材料锗和硅的导电类型。但这些方法具有一定的局限     

莫斯科大学一九九二年入学考试部分数学试题简介

莫斯科大学一九九二年入学考试部分数学试题简介千溪１力学—数学系１．１解方程６ｓｉｎ１、２设四边形ＡＢＣＤ有外接圆，且其对角线相交于点Ｅ．在直线ＡＣ上取一点Ｍ，且有ＤＭＥ＝８０°，已知ＡＢＤ＝６０°，ＬＣＢＤ＝７０°．问点Ｍ位于对角线ＡＣ上还是位于ＡＣ...