首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   283篇
  免费   90篇
  国内免费   237篇
化学   345篇
晶体学   5篇
力学   27篇
综合类   12篇
数学   26篇
物理学   195篇
  2024年   1篇
  2023年   13篇
  2022年   21篇
  2021年   11篇
  2020年   13篇
  2019年   12篇
  2018年   25篇
  2017年   21篇
  2016年   24篇
  2015年   22篇
  2014年   28篇
  2013年   26篇
  2012年   21篇
  2011年   16篇
  2010年   19篇
  2009年   16篇
  2008年   25篇
  2007年   12篇
  2006年   28篇
  2005年   29篇
  2004年   19篇
  2003年   21篇
  2002年   21篇
  2001年   14篇
  2000年   17篇
  1999年   25篇
  1998年   14篇
  1997年   10篇
  1996年   14篇
  1995年   4篇
  1994年   7篇
  1993年   4篇
  1992年   9篇
  1991年   7篇
  1990年   5篇
  1989年   6篇
  1988年   2篇
  1987年   3篇
  1986年   5篇
  1985年   4篇
  1984年   2篇
  1983年   5篇
  1982年   2篇
  1980年   4篇
  1979年   1篇
  1965年   1篇
  1956年   1篇
排序方式: 共有610条查询结果,搜索用时 15 毫秒
601.
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关,而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。  相似文献   
602.
利用锻造镦粗工艺制备了高横向塑性Mo-La2O3棒材,并检测了其在退火过程中横向弯曲性能,观察了其组织结构,利用SEM进行了断口形貌分析。结果表明:Mo-La2O3棒经锻造镦粗变形85%后横向具有较好的塑性,延伸率达到了2%,在退火过程中横向塑性逐渐升高,在1200℃时延伸率达到10%以上,经1570℃退火1 h后,合金发生了再结晶,此时延伸率为1.5%;Mo-La2O3棒中形成了大量的位错胞亚结构,胞内有大量的位错缠结在一起,这些位错还被La2O3钉扎;Mo-La2O3棒经1200℃退火后,断口有"分层"现象,且断口上具有明显的河流状花样和解理台阶,断裂面上伴有大量塑性变形的韧带和撕裂岭。  相似文献   
603.
Pt/C催化剂对乙醇电氧化的粒径效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用有机溶胶方法, 通过控制溶剂挥发温度制备了具有不同粒径大小的Pt/C催化剂. 制得的Pt/C催化剂中, Pt粒子具有非常优异的均一性和良好的分散度. 电化学研究表明, 对于乙醇的电催化氧化, Pt/C催化剂存在着明显的粒径效应. 当Pt粒子粒径为3.2 nm时, Pt/C催化剂对乙醇的电催化氧化的质量比活性最佳. X射线光电子能谱(XPS)的研究显示, Pt/C催化剂对乙醇氧化的粒径效应与其零价Pt含量以及Pt粒子的比表面积密切相关.  相似文献   
604.
刘宁  金鹏  王占国 《中国物理 B》2012,(11):410-413
We report the effect of the GaAs spacer layer thickness on the photoluminescence(PL) spectral bandwidth of InAs/GaAs self-assembled quantum dots(QDs).A PL spectral bandwidth of 158 nm is achieved with a five-layer stack of InAs QDs which has a 11-nm thick GaAs spacer layer.We investigate the optical and the structural properties of the multilayer-stacked InAs/GaAs QDs with different GaAs spacer layer thicknesses.The results show that the spacer thickness is a key parameter affecting the multi-stacked InAs/GaAs QDs for wide-spectrum emission.  相似文献   
605.
60年代初,随着光激光器的问世[1-2]和倍频效应的发现[3-5],科学界又诞生了一门崭新的学科:非线性光学(Non-linear Optics,NLO).作为现代科学最活跃的学科领域之一,非线性光学为许多具有重要应用价值的科学技术提供了新的物理基础,在光信息处理、光纤通信、现代军事、激光印刷等领域,非线性光学材料将发挥出巨大的作用[6-7].  相似文献   
606.
李新坤  梁德春  金鹏  安琪  魏恒  吴剑  王占国 《中国物理 B》2012,21(2):28102-028102
According to the InAs/GaAs submonolayer quantum dot active region, we demonstrate a bent-waveguide superluminescent diode emitting at a wavelength of around 970 nm. At a pulsed injection current of 0.5 A, the device exhibits an output power of 24 mW and an emission spectrum centred at 971 nm with a full width at half maximum of 16 nm.  相似文献   
607.
研制了基于三分区镜的倒立式三视场施密特型望远镜,对其关键技术进行了分析。利用正三棱锥的几何对称性,推导了3个视场的视轴夹角与分区镜面夹角之间的关系式,设计了用于实现多视场观测功能的三分区镜;通过有限元法分析了倒立式施密特望远镜主镜重力形变对像质的影响,阐述了检测光路关键参数对施密特修正镜加工误差的影响程度,采用蒙特卡罗法对该光学系统的杂散光进行了分析。最后对整个光学系统进行了实验检测,检测结果表明:实际研制的三分区镜镜面之间的夹角为133.08°,可同时对相互垂直的3个视场进行观测;该望远镜光学系统的PV=0.614λ,RMS=0.105λ(λ=632.8 nm)。该系统可用于地球空间姿态测量,拓展了施密特望远镜的应用范围。  相似文献   
608.
甲烷+硫化氢(CH4+H2S)体系汽液平衡(VLE)数据对酸性天然气脱硫具有重要意义,直接影响天然气脱硫的工艺设计。为了比较不同超额吉布斯自由能–状态方程(GE-EoS)模型在再现甲烷–硫化氢体系相行为时的准确性,采用PR方程,从不同参考压力系下进行考虑,选择了Huron-Vidal (HV)、modified Huron-Vidal one-order (MHV1)、linear combination of Vidal and Michelson (LCVM)三种混合法则搭配Wilson、NRTL、UNIQUAC三种活度系数模型所组成9种GE-EoS模型,且将van der waals模型作为对比模型,探究了不同模型对二元混合物CH4+H2S的VLE数据的关联与预测上的表现,推荐PR+MHV1+UNIQUAC模型结合温度关联函数A+B×ln T来关联或预测二元混合物CH4+H2S在温度为273 K以下时的汽液相平衡相行为,为天然气脱硫工艺提供有效的参考。  相似文献   
609.
TS-1分子筛酸性的固体核磁表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
钛硅分子筛是一种具有广泛用途的环境友好催化剂 .它的开发和应用 ,使分子筛由酸催化作用扩展到了催化氧化过程 .TS- 1作为氧化催化剂 ,在以双氧水为氧化剂的烯烃环氧化、芳烃环的羟基化、环己酮的肟化、醇以及饱和烃的氧化等反应中显示出优良的催化性能 ,因而倍受关注 [1~ 4 ] .然而 ,尽管钛以四配位的形式进入分子筛的骨架 ,但仍然存在弱酸中心 ,这种弱酸中心在一些催化氧化反应中起着一定的作用[5] .人们对分子筛的酸性进行了长期研究 ,从最初的化学滴定法到量热法以及 NH3- TPD,尽管可得到分子筛酸性位的一些信息 ,但无法区分酸的种…  相似文献   
610.
利用高分辨电子能量损失谱( H R E E L S) 和热脱附谱( T D S), 研究了15 N O 在 Mo(100)c(2×2) N 表面上的吸附态及其随温度的变化. 120 K 时, 在 M o(100)c(2×2) N 表面低暴露量的15 N O 发生解离和分子吸附, 解离生成的15 N 在1 230 K 与另一15 N 原子或氮化钼中的14 N 原子并合、脱附. 在升温时大部分分子吸附的15 N O 发生解离和反应, 解离生成的15 N 原子与另一15 N 原子生成15 N2 而脱附, 或与表面残存的15 N O 生成15 N2 O 脱附. 15 N2 O 的脱附峰温与 Mo(100)表面相比, 升高了约150 K, 可能与形成氮化钼后电子由金属钼向非金属氮转移有关. 电子能量损失谱( E L S)表明, 15 N O 在 Mo(100)c(2×2) N 表面生成了一种新的14 N15 N O 物种. 300 K 时, 低暴露量的15 N O 在 M o(100)c(2×2) N 表面解离吸附; 高暴露量时, 存在分子吸附的15 N O.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号