利用电荷迁移反应测定头孢羟氨苄

提出一种基于电荷迁移反应简便可靠地测定头孢羟氨苄的分光光度法。在甲醇－乙醇介质中，头孢羟氨苄与氯冉酸于５０℃反应１５ｍｉｎ能够形成稳定的１：１络合物，其λｍａｘ＝５２８ｎｍ，线性范围为２０￣４００ｍｇ／Ｌ。用拟定的方法测定原粉和胶囊，结果与药典法一致。对浓度１００ｍｇ／Ｌ的药物１０次测定相对标准偏差为１．４％，样品的标准加入回收率为９９．０％￣１００．８％。     

希土元素与三甲胺氧化物配合物的制备及光谱性质

尽管文献报道了三甲胺氧化物与Mn、Co、Ni、Zn、Cd、Cu等多种离子在有机溶剂中形成较稳定的配合物。但对其金属配合物的研究远不如芳香族杂环化合物那样引起人们广泛的注意。本文研究了它与希土元素形成配合物的合成和光谱性质。     

含空穴传输和电子注入基的发光化合物的制备

对电致发光材料及器件(ELDs)发光性能的优化,一个重要的途径是在材料的组合中,要既具有空穴传输功能团,又具有电子注入功能团,并使两者的传输效率应尽量达到一个恰当的平衡,提高载流子传输中空穴与电子的复合几率,降低驱动电压,提高激子的发生几率,并对发光材料的发光区域进行控制[1].为此,在电致发光材料的分子设计及合成上,常需提供分子中含有空穴传输功能基团和分子中含有电子注入功能基团的有机分子,作为构筑电致发光器件的材料化合物,或将这两种功能团纳入到一个有机分子或高分子中.     

以离子液体为反应介质的Baylis-Hillman反应的研究

Baylis-Hillman反应是一个具有原子经济性的C-C键形成反应[1].就其反应结果看,反应物的全部原子均进入产物分子中,没有小分子副产物形成,这对于环境生态的保护具有明显的意义,因而是一个合成化学和绿色化学倍加关注的反应.     

铒离子掺杂的含LaF3纳晶氟氧化物玻璃陶瓷的制备及其发光性能

主要研究了热处理制度对掺杂Er^3＋离子的含有LaF3纳米晶体的氟氧化物玻璃陶瓷的上转换发光和近红外发光性质的影响。制备了ErF3掺杂的SiO2-Al2O3-Na2O-LaF3系统玻璃，将其在不同温度下处理不同的时间，测试其上转换和近红外的发光行为的变化，并相应进行了XRD测试，基于XRD数据计算了晶粒大小和结晶度，考察了热处理制度对该材料微观结构及发光性能的影响。结果表明：在一定的温度下保温，LaF3晶体从玻璃基体中析出，并且随着热处理温度的升高和时间的延长，晶粒不断长大，结晶度持续增加，因为上转换的发光与基质的声子环境密切相关，所以随着氟化物晶体的增多，相应的玻璃陶瓷的上转换发光的强度也增大，而在氟氧化物玻璃中检测不到上转换发光。但是，对于近红外1530nm处的铒离子发光，氟化物晶体的析出对于其发光性质并没有太大的影响。     

基于芳香四羧酸构筑的两种配位聚合物的荧光及磁性质（英文）

在溶剂热条件下,基于芳香四羧酸合成了2种新颖的配位聚合物:{[Zn2(tptc)(1,4-bimb)2]·H2O}n(1)和{[Ni(tptc)0.5(1,2-bimb)(H2O)]·H2O}n(2),其中,tptc为对-三联苯-3,3″,5,5″-四羧酸,1,4-bimb为1,4-二(咪唑-1-亚甲基)苯,1,2-bimb为1,2-二(咪唑-1-亚甲基)苯。结构分析表明,1为三维结构,拓扑符号为(86);2为二维层状网络,通过氢键相互作用进一步扩展为三维超分子结构。此外,我们还研究了1对阳离子、阴离子的荧光感应以及2的磁性质。     

乙腈溶剂中芳酰基硫脲对F~-识别作用的理论研究

采用混合密度泛函B3LYP方法,在6-31G**水平上和URHF溶剂半径中优化乙腈溶剂中四种芳酰基硫脲及其氟离子复合物的几何构型,从几何结构参数、电荷布居、前线轨道、结合能以及热力学参数等角度探讨复合物形成过程中主客体间的相互作用,结果表明,芳酰基硫脲在乙腈溶液中识别氟离子是一个自发过程,识别作用主要是硫脲氮氢与氟离子的氢键作用。受体分子识别氟离子能力与取代基密切相关,以N-对硝基苯基-N’-对硝基苯甲酰基硫脲氟离子复合物最稳定。在基态结构的基础上用相同的理论水平计算了乙腈溶剂中四种受体分子及氟离子复合物的电子吸收光谱。结果表明,有取代基的芳酰基硫脲识别氟离子后的光谱行为变化大,有利于使用比色法检测阴离子。光谱理论计算值很好地反映了实测值,这为实验室开展工作提供了依据。     

U型通道内部流动与换热的数值研究

应用数值方法研究了燃气轮机叶片内部U型通道内流动与顶部换热特性.采用SST k-ω模型,分析了U型通道内光滑和带凹坑顶部结构以及不同Re数和旋转数对U型通道内部流动和顶部换热的影响。结果表明:在静止条件下,带凹坑结构的通道顶部Nu数较高,并且随着凹坑深度的增加,通道顶部换热能力增强;并且凹坑结构对通道压降的影响较小。随雷诺数增大,凹坑对通道顶部换热增强的幅度降低。在旋转状态下,随着旋转数的增加,通道顶部换热能力增强,但通道压降增大。     

非Fourier温度场分布的奇摄动解

应用非Fourier热传导定律构建了单层材料中温度场模型，即一类在无界域上带小参数的奇摄动双曲方程，通过奇摄动展开方法，得到了该问题的渐近解.首先应用奇摄动方法得到了该问题的外解和边界层矫正项，通过对内解和外解的最大模估计和关于时间导数的最大模估计以及线性抛物方程理论，得到了内外解的存在唯一性，从而得到了解的形式渐近展开式.通过余项估计，给出了渐近解的L2估计，得到了渐近解的一致有效性，从而得到了无界域上温度场的分布.通过奇摄动分析，给出了非Fourier 温度场与Fourier 温度场的关系，描述了非Fourier温度场的具体形态.