具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

基于界面跟踪方法的汽蚀模型和算法的有效性验证

针对两相附着汽蚀流动机理,基于界面跟踪方法发展了新的汽蚀模型和算法。所发展的汽蚀模型和算法不仅考虑了液相／气相界面处的压力差,而且考虑了耦合Reynolds-Averaged Navier-Stokes方程求解技术得到的流场压力梯度信息来迭代计算附着汽蚀形状。采用具有试验数据的半球形头部圆柱体汽蚀绕流作为算例来验证所提出的汽蚀模型和算法的有效性。采用不同的网格数和松弛因子数值验证了发展的汽蚀模型和算法的有效性。三种汽蚀数下的数值计算结果得到的压力系数分布与试验数据完全吻合。结果表明所提出的汽蚀模型和算法能够准确模拟出汽蚀发生点和汽蚀长度。     

各向异性接合材料界面端部场数值分析

为了求解各向异性接合材料界面端部奇异性应力场,建立了一种新型杂交元模型.该模型的独特之处在于:基于有限元特征法得到的奇异性场数值特征解建立了一种新型界面端奇异单元.通过算例证明,新型杂交元模型能够利用较少的单元数获得较为精确的数值结果.当前模型应用范围广泛,能够用于复杂结构的界面端部场求解.     

N-(取代)对三氟甲基苯基-1,3,5-三取代吡唑-4-酰胺衍生物的合成与生物活性

设计合成10个未见文献报道的N-对三氟甲基苯基-1,3,5-三取代吡唑-4-酰胺类化合物, 其结构经元素分析, ¹H NMR, IR 确证. 初步生物活性测试结果表明, 部分化合物对水稻纹枯病、小麦赤霉病、辣椒枯萎病和马铃薯晚疫病有一定的杀菌活性.     

化学文摘社和国际科技信息检索网

化学文摘社和国际科技信息检索网张立群（美国化学文摘社，ＣｈｅｍｉｃａｌＡｂｓｔｒａｃｔｓＳｅｒｖｉｃｅ，Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ３０１２．ＣｏｌｕｍｂｕｓＯＨ４３２１０，ＵＳＡ）张曼平（青岛海洋大学化学系，２６６００３）从１９０７年建立以来，化学文摘社（ＣＡＳ...     

異丙苯過氧化氫的製備

異丙苯与分子氧作用生成異丙苯過氧化氢在1944年為Hock等所發現。近來此過氧化物已成為烯類聚合常用的引發劑;實驗室製法多採用1946年Armstrong所介紹的在水相乳液中氧化的方法。我們參考了近年來工業專利,加以改進,使製法簡化,並得到比水相氧化法更高的過氧化物集積,介紹如下:     

用人工神经网络处理谷物成分分析

本文用人工神经网络处理谷物的付立叶变换近红外漫反射光谱,对谷物中含量在10~(-1)～10~(-3)的蛋白质、脂肪和6种人体必需氨基酸定量分析数据进行了解析,分析结果与经典化学方法没有系统偏差,且优于逐步回归分析法的结果。     

甲醇催化分解动力学之研究

甲醇的裂解产物为H_2与CO,故甲醇被视为一种方便、安全的贮氢材料,可作为汽油的代用燃料;其裂解气作为保护气氛可广泛应用于热处理工业。甲醇裂解有两种方法,高温热裂解(约930℃)与低温催化裂解(约300℃)由于低温催化裂解有诸多优点,在工业上的应用正在发展。     

唑环取代的俘精酸酐的合成及其光致变色性能的研究

合成了含