Biodegradable and flexible l-carrageenan based RRAM with ultralow power consumption

Transient memories, which can physically disappear without leaving traceable remains over a period of normal operation, are attracting increasing attention for potential applications in the fields of data security and green electronics. Resistive random access memory(RRAM) is a promising candidate for next-generation memory. In this context, biocompatible l-carrageenan(l-car), extracted from natural seaweed, is introduced for the fabrication of RRAM devices(Ag/l-car/Pt).Taking advantage of the c...     

以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性

用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP-MOCVD技术,以Volmer Weber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。     

用电化学沉积法制备ZnO/Cu2O异质p-n结

由于P型ZnO的制备仍然存在一定的困难,限制了ZnO在光电方面的应用,尤其是在发光二极管和激光器的实际应用,目前利用P型的透明半导体氧化物与n型ZnO制备异质p-n结,成为新的研究热点。选择P型导电Cu2O与ZnO制备出异质p-n结。Cu2O是一种典型的P型半导体材料,禁带宽度为2．1eV,可见光范围的吸收系数较高。首次利用电化学沉积的方法制备了ZnO／Cu2O异质p-n结,研究了电沉积ZnO,Cu2O的生长机制和ZnO／Cu2O异质结的结构、光学和电学特性。     

Coexistence of unipolar and bipolar modes in Ag/ZnO/Pt resistive switching memory with oxygen-vacancy and metal-Ag filaments

In this study, the unipolar resistive switching(URS) and bipolar resistive switching(BRS) are demonstrated to be coexistent in the Ag/Zn O/Pt memory device, and both modes are observed to strongly depend on the polarity of forming voltage. The mechanisms of the URS and BRS behaviors could be attributed to the electric-field-induced migration of oxygen vacancies(VO) and metal-Ag conducting filaments(CFs) respectively, which are confirmed by investigating the temperature dependences of low resistance states in both modes. Furthermore, we compare the resistive switching(RS)characteristics(e.g., forming and switching voltages, reset current and resistance states) between these two modes based on VO- and Ag-CFs. The BRS mode shows better switching uniformity and lower power than the URS mode. Both of these modes exhibit good RS performances, including good retention, reliable cycling and high-speed switching. The result indicates that the coexistence of URS and BRS behaviors in a single device has great potential applications in future nonvolatile multi-level memory.     

静电纺丝法制备NiO纳米纤维及其表征

纳米级NiO因具有优良的催化和热敏等性能而被广泛用于催化剂^[1]、电池电极^[2,3]、光电转化材料^[4～6]、电化学电容器^[7～8]等诸多方面.迄今,已成功地制备出N iO的纳米颗粒^[9]、纳米线^[10]及纳米薄膜^[11],但是对于具有准一维结构的NiO纳米纤维的制备及性能研究尚未见报道.     

热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.     

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.     

ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。     

基于等离子体电荷转移调控的抗干扰全息存储研究

贵金属纳米粒子由于对激发光的偏振类型和波长的有效响应,成为了全息存储介质的优选材料,但目前还未找到有效的方法抑制紫外光对等离子体存储信息的擦除影响,进而其在抗干扰全息存储器件的应用上受到了很大限制.本文从等离子体诱导电荷分离基本原理出发,利用受主中心俘获载流子转移的方法,在传统Ag/TiO2纳米复合薄膜上,实现了存储信息从可擦除到不可擦除的调控.研究表明:多金属氧酸盐基团能有效调控贵金属/半导体系统内部的电荷转移,实现抗紫外线和射线擦除的高性能全息数据存储.     

类皮肤超柔有机场效应晶体管研究进展

场效应晶体管是现代微电子产业最重要的基本元件之一,有机场效应晶体管具有柔性、质轻、可溶液加工、生物相容性好等突出优势,在软体机器人、植入设备、无感穿戴设备等类皮肤电子领域具有巨大的应用潜力.类皮肤超柔有机场效应晶体管能够与皮肤、假肢等三维静/动态表面实现共形贴合,在形变情况下保持稳定的电学性能,给予佩戴者最小的负担和最大的舒适度.降低厚度和杨氏模量将有效减小器件因形变产生的恢复力,是获得具有三维表面共形贴合能力的类皮肤超柔器件的主要策略.本文综述了超薄和可拉伸两种类皮肤超柔有机场效应晶体管的研究进展,并且展望了该领域的发展趋势.