非自治的Schroedinger方程的吸引子

研究2维的非自治非线性Schroedinger方程长时间的动力学行为。证明了一致吸引子的存在性,并给出了该一致吸引子Hausdorff维数的上界。     

Improvement in the electrical performance and bias-stress stability of dual-active-layered silicon zinc oxide/zinc oxide thin-film transistor

Si-doped zinc oxide(SZO) thin films are deposited by using a co-sputtering method,and used as the channel active layers of ZnO-based TFTs with single and dual active layer structures.The effects of silicon content on the optical transmittance of the SZO thin film and electrical properties of the SZO TFT are investigated.Moreover,the electrical performances and bias-stress stabilities of the single- and dual-active-layer TFTs are investigated and compared to reveal the effects of the Si doping and dual-active-layer structure.The average transmittances of all the SZO films are about 90% in the visible light region of 400 nm-800 nm,and the optical band gap of the SZO film gradually increases with increasing Si content.The Si-doping can effectively suppress the grain growth of ZnO,revealed by atomic force microscope analysis.Compared with that of the undoped ZnO TFT,the off-state current of the SZO TFT is reduced by more than two orders of magnitude and it is 1.5 × 10~(-12) A,and thus the on/off current ratio is increased by more than two orders of magnitude.In summary,the SZO/ZnO TFT with dual-active-layer structure exhibits a high on/off current ratio of 4.0 × 10~6 and superior stability under gate-bias and drain-bias stress.     

高师化学实验教学与社会生活相联系的探讨

通过实验教学突现化学在现实生活中的重要地位,引导学生从生产生活实践中感受化学,关注化学与现代社会有关的问题,增强对自然与社会的责任感。     

UNIFORM BLOWUP PROFILES FOR DIFFUSION EQUATIONS WITH NONLOCAL SOURCE AND NONLOCAL BOUNDARY

Long time behavior of solutions to semilinear parabolic equations with nonlocal nonlinear source ut - △u = ∫Ω g(u)dx inΩ× (0, T) and with nonlocal boundary condition u(x, t) = ∫Ω f(x, y)u(y, t)dy on(e) Ω× (0, T) is studied. The authors establish local existence, global existence and nonexistence of solutions and discuss the blowup properties of solutions. Moveover, they derive the uniform blowup estimates for g(s) = sp(p ＞ 1) and g(s) = es under the assumption fΩ f(x, y)dy ＜ 1 for x ∈(e)Ω.     

短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型

随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的尺寸进入到纳米量级,器件的噪声机理逐渐开始转变.传统的热噪声与漏源电流模型精度出现下降,散粒噪声成为器件噪声不可忽略的因素.本文通过求解能量平衡方程,推导了短沟道MOSFET器件的沟道电子温度和电子速度表达式,由此建立了漏源电流模型;基于漏源电流模型建立了适用于40 nm以下器件的散粒噪声模型和热噪声模型.研究了n型金属-氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件在不同偏置电压下,器件尺寸对散粒噪声抑制因子和噪声机理的影响.研究表明:已有的热噪声模型与散粒噪声模型的精度随着器件尺寸的减小而下降,导致相应的散粒噪声抑制因子被高估.当NMOSFET器件的尺寸减小到10 nm时,器件的噪声需由热噪声与受抑制的散粒噪声共同表征.本文建立的短沟道器件散粒噪声模型可应用于纳米尺寸NMOSFET器件噪声性能的分析与建模.     

纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型

随着CMOS工艺的发展,热载流子效应对沟道热噪声的影响随着器件尺寸的降低而增大,传统热噪声模型未能准确表征沟道的热噪声.本文通过解能量平衡方程,得到电子温度表达式,并结合沟道漏电流表达式,建立了沟道热噪声模型.利用建立的电子温度表达式,该热噪声模型考虑了热载流子效应的影响,并且在计算热噪声的过程中考虑了电子温度对迁移率降低的影响以及温度梯度对热噪声的影响.通过分析与计算,结果显示,随着器件尺寸的减小,温度梯度对电子温度产生显著影响,使得热载流子效应的影响增大,热载流子效应对热噪声的增长作用超过了迁移率降低对热噪声的减小作用,最终导致热噪声增大.本文建立的沟道热噪声模型可应用于纳米尺寸金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的噪声性能分析及建模.     

窄域上2D弱阻尼KdV方程的局部吸引子

得到了窄域上2D的非自共轭且非扇形的弱阻尼KdV方程的局部吸引子的存在性.     

非自治的Schrdinger方程的吸引子

研究2维的非自治非线性Schrdinger方程长时间的动力学行为,证明了一致吸引子的存在性,并给出了该一致吸引子Hausdorff维数的上界,     

三氯化镧抗小鼠肝癌作用的整体药效学研究

探讨LaCl3对小鼠原位移植性肝癌的抗肿瘤作用.通过直接注射法建立小鼠肝原位移植瘤模型,于造模后第二天开始给药,每天分别以1.0,0.5,0.1 mg·kg-1LaCl3,0.1 mg·kg-1LaCl3和10 mg·kg-15-Fu,20 mg·kg-15-Fu腹腔注射,连续给药10d,通过抑瘤率测定,生存期观察,及瘤组织坏死程度分析来检测LaCl3,的抗肝癌作用.结果显示,0.5 mg·kg-1及联合用药组可明显抑制小鼠肝癌的生长,并显著延长小鼠生存期.LaCl3对小鼠原位移植性肝癌有显著的抗肿瘤作用.     

纳米Fe(OH)3为模板的三维石墨烯类多孔碳的制备及其催化氧还原性能研究

以煤焦油沥青为碳源,纳米Fe(OH)₃为模板制备了一种三维石墨烯类多孔碳材料,通过测试氧还原性能,确定了最佳制备工艺为：反应物煤沥青,纳米Fe(OH)₃,KOH的质量配比为6:8:4,热解温度为800 ℃. 扫描电镜（SEM）测试结果表明,制得的产品具有明显的孔结构且分布均匀. 透射电镜（TEM）测试结果进一步表明,产品具有泡沫状的多孔结构,高分辨透射电子显微镜图像表明该产品具有多层的三维石墨烯结构. X射线衍射（XRD）数据表明,在29^o位置出现的衍射峰是多层石墨烯结构,42^o位置的衍射峰表明,产品具有一定程度的石墨化. 由拉曼光谱结果计算I_G与I_2D的比值表明产品为多层石墨烯结构. X射线光电子能谱分析（XPS）检测到的C元素含量约为88.7%,主要包含C-C键,图谱中未发现铁元素的存在,证明纳米Fe(OH)₃模板已被洗净. 根据比表面积测定（BET）可知,多孔碳的比表面积为2040 m²•g^-1,孔径集中分布在10~400 nm,这与TEM测试得到的结果一致. 在0.1 mol•L^-1 KOH中进行催化氧还原性能测试,起始还原电位为0 V (vs. Hg/HgO),电子转移数为3.58。测试结果表明,制得的三维石墨烯类多孔碳具有良好的催化氧还原性能.